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公开(公告)号：CN105264633A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201480031930.1
申请日：2014-05-02
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 斯坦尼斯拉夫·S·托多罗夫 , 乔治·M·葛梅尔 , 理查·艾伦·斯普林克 , 诺曼·E·赫西 , 法兰克·辛克莱 , 常胜武 , 约瑟·C·欧尔森 , 大卫·罗杰·汀布莱克 , 库尔·T·岱可-路克
IPC: H01J37/304 , H01J37/317
CPC classification number: C23C14/54 , C23C14/48 , G21K5/00 , H01J37/304 , H01J37/3171 , H01J2237/24535 , H01J2237/24542 , H01J2237/31703
Abstract: 一种控制离子植入机中的离子束的系统，包括检测系统与分析组件。检测系统用于检测在第一频率的离子束的多个束电流量测。分析组件用于判定基于多个束电流量测的离子束的变化，所述变化对应于在第二频率的离子束的束电流变化，所述第二频率不同于所述第一频率。所述系统也包括回应于分析组件的输出而调整离子束的调整组件以减少所述变化，其中当离子植入机中产生离子束时，所述分析组件与所述调整组件经设置以动态地将离子束的变化减少至低于阀值。
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公开(公告)号：CN111742389B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN201980013814.X
申请日：2019-01-22
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 常胜武 , 法兰克·辛克莱 , 亚历山大·利坎斯奇 , 克里斯多夫·坎贝尔 , 罗伯特·C·林德柏格 , 艾立克·D·赫尔曼森
IPC: H01J37/147 , H01J37/317
Abstract: 本文提供减少离子植入机中粒子的方法，具体而言，提供一种用于向晶片递送离子束的静电过滤器及离子植入系统。静电过滤器可包括壳体及位于壳体内的多个导电束光学器件。导电束光学器件围绕朝晶片引导的离子束线排列，且可包括靠近壳体的入口孔的入口孔电极。导电束光学器件还可包括沿着离子束线位于入口孔电极的下游的高能电极以及位于高能电极的下游的接地电极。高能电极被定位成比入口电极及接地电极更远离离子束线，从而使得高能电极在物理上被阻挡以免受从晶片返回的背溅射材料的包络撞击。静电过滤器还可包括用于独立地向导电束
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公开(公告)号：CN111742388A
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN201980013322.0
申请日：2019-01-22
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 常胜武 , 法兰克·辛克莱 , 亚历山大·利坎斯奇 , 克里斯多夫·坎贝尔 , 罗伯特·C·林德柏格
IPC: H01J37/147 , H01J37/317
Abstract: 本文提供减少离子植入机中粒子的方法。静电过滤器可包括壳体及位于壳体内的多个导电束光学器件。导电束光学器件围绕朝晶片引导的离子束线排列，且可包括靠近壳体的入口孔的入口孔电极。导电束光学器件还可包括沿着离子束线位于入口孔电极的下游的高能电极以及位于高能电极的下游的接地电极。高能电极被定位成比入口电极及接地电极更远离离子束线，从而使得高能电极在物理上被阻挡以免受从晶片返回的背溅射材料的包络撞击。静电过滤器还可包括用于独立地向导电束光学器件中的每一者递送电压及电流的电气系统。
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公开(公告)号：CN108140527B
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201680057536.4
申请日：2016-10-03
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/317 , H01J27/02 , H01J37/30
Abstract: 本文中提供加速器/减速器、离子植入系统以及用于控制加速器/减速器内的离子束的方法。在示例性方面中，一种离子植入系统包括：离子源，用于产生离子束；以及终端抑制电极，耦合至终端，其中所述终端抑制电极用以经由所述终端抑制电极的孔传导所述离子束，并从第一电压源对所述离子束施加第一电位。所述系统还包括透镜，所述透镜耦合至所述终端并邻近所述终端抑制电极安置，其中所述透镜用以经由所述透镜的孔传导所述离子束并从第二电压源对所述离子束施加第二电位。在示例性方面中，所述透镜与所述终端抑制电极电绝缘并独立地受到驱动，因此能够实现增大的离子束电流操作范围。
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公开(公告)号：CN105264634B
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201480032406.6
申请日：2014-05-02
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 斯坦尼斯拉夫·S·托多罗夫 , 乔治·M·葛梅尔 , 理查·艾伦·斯普林克 , 诺曼·E·赫西 , 法兰克·辛克莱 , 常胜武 , 约瑟·C·欧尔森 , 大卫·罗杰·汀布莱克 , 库尔·T·岱可-路克
IPC: H01J37/304 , H01J37/317
CPC classification number: C23C14/54 , C23C14/48 , G21K5/00 , H01J37/304 , H01J37/3171 , H01J2237/24535 , H01J2237/24542 , H01J2237/31703
Abstract: 本发明公开一种离子植入机与控制离子植入机中的离子束的系统，包括检测器以沿着垂直于离子束的传播方向的第一方向，进行所述离子束的多个束电流量测。所述系统也包括分析组件与调整组件。所述分析组件用以基于所述多个束电流量测来判定束电流轮廓，所述束电流轮廓包括沿着所述第一方向的束电流的变化。当束电流轮廓指示束高度低于阀时，所述调整组件沿着所述第一方向调整所述离子束的高度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105264634A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201480032406.6
申请日：2014-05-02
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 斯坦尼斯拉夫·S·托多罗夫 , 乔治·M·葛梅尔 , 理查·艾伦·斯普林克 , 诺曼·E·赫西 , 法兰克·辛克莱 , 常胜武 , 约瑟·C·欧尔森 , 大卫·罗杰·汀布莱克 , 库尔·T·岱可-路克
IPC: H01J37/304 , H01J37/317
CPC classification number: C23C14/54 , C23C14/48 , G21K5/00 , H01J37/304 , H01J37/3171 , H01J2237/24535 , H01J2237/24542 , H01J2237/31703
Abstract: 一种控制离子植入机中的离子束的系统，包括检测器以沿着垂直于离子束的传播方向的第一方向，进行所述离子束的多个束电流量测。所述系统也包括分析组件与调整组件。所述分析组件用以基于所述多个束电流量测来判定束电流轮廓，所述束电流轮廓包括沿着所述第一方向的束电流的变化。当束电流轮廓指示束高度低于阀时，所述调整组件沿着所述第一方向调整所述离子束的高度。
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公开(公告)号：CN103119688B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201180045304.4
申请日：2011-09-14
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/10 , H01J37/147 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/21 , H01J2237/216 , H01J2237/24405 , H01J2237/24528 , H01J2237/24542
Abstract: 一种束线式离子植入机，包括：离子源，其被配置为用以产生离子束；扫描器，其被配置为用以对离子束进行扫描，从而产生具有从扫描起点向外发散的轨迹的被扫描离子束；以及聚焦元件，其具有聚焦场，位于扫描器的上游，被配置为用以使离子束聚焦于位于扫描起点处的焦点。一种离子束调整方法包括：产生离子束；使离子束聚焦于位于扫描起点处的焦点；以及对离子束进行扫描，以产生具有从扫描起点向外发散的轨迹的被扫描离子束。
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公开(公告)号：CN104823263A
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201380061200.1
申请日：2013-10-22
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 常胜武
IPC: H01J37/12 , H01J37/147 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/12 , H01J37/1474 , H01J37/3171 , H01J2237/121 , H01J2237/151
Abstract: 一种离子束扫描总成(202，300)包括扫描电极组(314a，314b，316a，316b，318)，扫描电极组界定一间隙(330)以接收离子束或在第一平面(xz-平面)扫描离子束。静电多极透镜系统，包括多个电极(304，306，310，312)，沿部分藉由一对扫描电极所界定的离子束前进路径排列。静电多极透镜系统经组态以在垂直于第一平面的方向(y)上改变离子束的形状。
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公开(公告)号：CN111492455B
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN201880080151.9
申请日：2018-12-12
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J27/02 , H01J37/08 , H01J37/305
Abstract: 一种控制离子束的装置与方法。所述装置可包括电极总成，所述电极总成包括被排列成多个电极对的多个电极，所述多个电极对被排列成通过其传导离子束。给定电极对沿描述标称中央射线轨迹的圆弧的半径放置，其中第一电极对的半径以及相邻电极对的半径界定角距。所述多个电极对可界定多个角距，其中在第一配置中，所述多个角距并非全部相等。所述装置还可包括与EM连通的电源供应器，所述电源供应器被配置成向所述多个电极独立地供应电压。
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公开(公告)号：CN111742389A
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN201980013814.X
申请日：2019-01-22
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 常胜武 , 法兰克·辛克莱 , 亚历山大·利坎斯奇 , 克里斯多夫·坎贝尔 , 罗伯特·C·林德柏格 , 艾立克·D·赫尔曼森
IPC: H01J37/147 , H01J37/317
Abstract: 本文提供减少离子植入机中粒子的方法。静电过滤器可包括壳体及位于壳体内的多个导电束光学器件。导电束光学器件围绕朝晶片引导的离子束线排列，且可包括靠近壳体的入口孔的入口孔电极。导电束光学器件还可包括沿着离子束线位于入口孔电极的下游的高能电极以及位于高能电极的下游的接地电极。高能电极被定位成比入口电极及接地电极更远离离子束线，从而使得高能电极在物理上被阻挡以免受从晶片返回的背溅射材料的包络撞击。静电过滤器还可包括用于独立地向导电束光学器件中的每一者递送电压及电流的电气系统。
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