公开(公告)号：CN107810547B

公开(公告)日：2019-07-30

申请号：CN201680037201.6

申请日：2016-06-24

申请人： 瓦里安半导体设备公司

发明人： 杰森·M·夏勒 ,  威廉·T·维弗 ,  摩根·D·艾文斯 ,  罗伯特·布然特·宝佩特 ,  保罗·E·佩敢堵 ,  朱利安·G·布雷克 ,  大卫·伯拉尼克 ,  阿拉·莫瑞迪亚

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/683

CPC分类号： H01L21/67115 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6831

摘要： 本发明揭示一种设备及利用发光二极管加热的静电夹具。所述利用LED加热的静电夹具包括包含LED加热器的第一子组合件和包括静电夹具的第二子组合件。所述LED衬底加热器子组合件包含具有凹部的基底。多个发光二极管LED安置在所述凹部内。所述LED可为GaN或GaP LED，其在容易由硅吸收的波长处发光，因此有效且快速地加热所述衬底。包括静电夹具的所述第二子组合件安置在所述LED衬底加热器子组合件上。所述静电夹具包含在由所述LED发射的所述波长处为透明的顶部电介质层和内部层。一或多个电极安置于所述顶部电介质层与所述内部层之间以形成所述静电力。

公开(公告)号：CN107636818A

公开(公告)日：2018-01-26

申请号：CN201680026696.2

申请日：2016-04-26

申请人： 瓦里安半导体设备公司

发明人： 摩根·D·艾文斯 ,  杰森·M·夏勒 ,  D·杰弗里·里斯查尔 ,  阿拉·莫瑞迪亚 ,  威廉·T·维弗 ,  罗伯特·布然特·宝佩特

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/68 ,  F26B3/30

CPC分类号： F26B3/30 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/68

摘要： 揭露一种当衬底在负载锁室与平台之间传送时用于加热衬底的系统。所述系统包括发光二极管的阵列，其配置于对准站上方。发光二极管可为GaN或GaP发光二极管，其发出具有易于被硅吸收的波长的光，因此有效且快速地加热衬底。发光二极管可排列为使得对准期间的衬底旋转产生衬底的均匀温度分布。此外，对准期间的加热也可提高生产力以及省略目前与处理室连结的预加热站。

公开(公告)号：CN107112187A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201580068755.8

申请日：2015-11-18

申请人： 瓦里安半导体设备公司

发明人： 摩根·D·艾文斯 ,  凯文·安葛林 ,  D·杰弗里·里斯查尔 ,  威廉·T·维弗 ,  杰森·M·夏勒 ,  罗伯特·布仁特·宝佩特

IPC分类号： H01J37/317 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67 ,  H01L21/677

CPC分类号： H01L21/67115 ,  H01J37/3171 ,  H01L21/6776 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324

摘要： 本发明公开一种用以在处理期间动态加热工件的系统及方法。系统包括离子源及被排列成阵列的多个发光二极管，多个发光二极管射向工件的表面的一部分处。发光二极管被选择成使其发出处于易于由工件吸收的频率范围内的光，从而加热工件。在某些实施例中，发光二极管恰好在工件的一部分经离子束处理之前加热所述部分。在另一实施例中，发光二极管在工件的一部分正进行处理时加热所述部分。发光二极管可被排列成阵列，阵列可具有至少与离子束的宽度一样宽的宽度。阵列还具有垂直于其宽度的长度，长度具有一行或多行发光二极管。