公开(公告)号：CN101345244A

公开(公告)日：2009-01-14

申请号：CN200810133183.9

申请日：2008-07-09

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 王俊利 ,  平野智之 ,  片冈豊隆 ,  萩本贤哉

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L21/82385 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823468 ,  H01L21/823475 ,  H01L21/823835 ,  H01L21/823857 ,  H01L21/823871 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置，其包括：在半导体基板上形成的第一组晶体管；以及在所述半导体基板上形成的第二组晶体管，所述第二组中每个晶体管的工作电压低于所述第一组中每个晶体管的工作电压；其中，所述第一组中的每个晶体管包括经过第一栅绝缘膜在所述半导体基板上形成的第一栅电极和在所述第一栅电极上形成的硅化物层；所述第二组中的每个晶体管包括经过第二栅绝缘膜在形成于所述半导体基板上面的绝缘膜中的栅形成用沟槽内形成的第二栅电极；并且，形成有保护膜使其覆盖住所述第一组晶体管的每个第一栅电极上的所述硅化物层。

公开(公告)号：CN1832199A

公开(公告)日：2006-09-13

申请号：CN200610051497.5

申请日：2006-02-28

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 山口晋平 ,  田井香织 ,  平野智之

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/43 ,  H01L27/10 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/28044 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/78

Abstract: 一种半导体器件，其包括在半导体衬底的上侧具有栅电极的场效应晶体管，在所述半导体衬底和所述栅电极之间具有栅极绝缘膜，其中，至少所述栅电极的栅极绝缘膜一侧包括含有铪和硅的膜。