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公开(公告)号：CN106044701B
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN201610235745.5
申请日：2016-04-15
申请人： 罗伯特·博世有限公司
摘要： 本发明创造一种用于以层序列制造微机电结构(ME1)的方法和一种具有微机电结构的相应的电子构件。本方法包括：提供具有第一表面(10)的载体衬底(T1)；将隔离层(l1)施加到第一表面(10)上；使第一硅层(S1)外延生长到隔离体层(l1)上；结构化第一硅层(S1)以便在第一硅层(S1)中构造沟槽(G)；钝化第一硅层(S1)，其中，填充沟槽(G)并且在背向第一表面(10)的一侧上构成钝化层(P)；结构化钝化层(P)，其中在第一硅层(S1)中构造牺牲区域(O1)和功能区域(F1)，并且牺牲区域(O1)在背向载体衬底(T1)的一侧上至少部分地摆脱钝化层(P)；最后，移除牺牲区域(O1)。
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公开(公告)号：CN104773705B
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN201510016397.8
申请日：2015-01-13
申请人： 罗伯特·博世有限公司
IPC分类号： B81B7/02 , B81C1/00 , B81B3/00 , G01L9/12 , G01P15/125
摘要： 本发明实现一种微机械压力传感器装置以及一种相应的制造方法。所述微机械压力传感器装置包括：具有正侧和背侧的MEMS晶片；在所述MEMS晶片的正侧上方形成的第一微机械功能层；在所述第一微机械功能层上方形成的第二微机械功能层。在所述第一微机械功能层和所述第二微机械功能层之一中构造有可偏移的第一压力探测电极。与所述可偏移的第一压力探测电极相对置地间隔开地构造有固定的第二压力探测电极。在所述MEMS晶片的正侧上方构造有弹性可偏移的膜片区域，所述膜片区域能够通过所述MEMS晶片中的进入开口施加以外部压力并且所述膜片区域通过塞状的连接区域与所述可偏移的第一压力探测电极连接。
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公开(公告)号：CN105940287B
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201480073182.3
申请日：2014-11-17
申请人： 罗伯特·博世有限公司
摘要： 本发明涉及一种微机械压力传感器装置以及一种相应的制造方法。微机械压力传感器装置包括具有正面(VSa)和背面(RSa)的ASIC晶片(1a)以及在ASIC晶片(1a)正面(VSa)上形成的具有多个堆叠的印制导线层(LB0，LB1)和绝缘层(I)的再布线装置(25a)。微机械压力传感器还包括具有正面(VS)和背面(RS)的MEMS晶片(1)、在MEMS晶片(1)的正面(VS)形成的第一微机械功能层(3)和在第一微机械功能层(3)上形成的第二微机械功能层(5)。在第一和第二微机械功能层(3；5)之一中形成可偏移的第一压力探测电极的膜片区域(16；16a；16′)，该膜片区域可通过MEMS晶片(1)中的贯通开口(12；12′；12a′)加载压力。在第一和第二微机械功能层(3；5)之另一个中形成与膜片区域(16；16a；16′)隔开间距对置的固定的第二压力探测电极(11′；11″；11′″；11″″；11a′；111)。第二微机械功能层(5)通过键合连接(7；7，7a；7，7b)与再布线装置(25a)连接，使得固定的第二探测电极(11′；11″；11′″；11″″；11a′；111)被包围在空腔(9；9a)中。
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公开(公告)号：CN108463431A
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201680078844.5
申请日：2016-11-30
申请人： 罗伯特·博世有限公司
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： B81C1/0069 , B81C2201/0191 , B81C2201/0195
摘要： 本发明实现一种用于制造多层MEMS构件的方法和一种相应的多层MEMS构件。所述方法包括以下步骤：提供多层衬底(12、3；1a、2、3)，该多层衬底具有单晶载体层(1；1a)、带有正面(V)和背面(R)的单晶功能层(3)和位于背面(R)与载体层(1)之间的键合层(2)；使第一多晶层(4；4a；4b)在所述单晶功能层(3)的所述正面(V)上生长；去除所述单晶载体层(1；1a)；并且使第二多晶层(40；40a；40b)在所述单晶功能层(3)的所述背面(R)上生长。
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公开(公告)号：CN106044701A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610235745.5
申请日：2016-04-15
申请人： 罗伯特·博世有限公司
CPC分类号： B81C1/00182 , B81B2203/0118 , B81C2201/014 , B81C1/00349 , B81B7/02
摘要： 本发明创造一种用于以层序列制造微机电结构(ME1)的方法和一种具有微机电结构的相应的电子构件。本方法包括：提供具有第一表面(10)的载体衬底(T1)；将隔离层(l1)施加到第一表面(10)上；使第一硅层(S1)外延生长到隔离体层(l1)上；结构化第一硅层(S1)以便在第一硅层(S1)中构造沟槽(G)；钝化第一硅层(S1)，其中，填充沟槽(G)并且在背向第一表面(10)的一侧上构成钝化层(P)；结构化钝化层(P)，其中在第一硅层(S1)中构造牺牲区域(O1)和功能区域(F1)，并且牺牲区域(O1)在背向载体衬底(T1)的一侧上至少部分地摆脱钝化层(P)；最后，移除牺牲区域(O1)。
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公开(公告)号：CN105408240A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201480026952.9
申请日：2014-05-05
申请人： 罗伯特·博世有限公司
IPC分类号： B81B7/02
CPC分类号： G01P1/00 , B81B7/02 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2207/012 , B81C1/00301 , G01C19/56 , G01P15/02
摘要： 提出一种微机械装置，其具有传感器晶片、中间晶片和分析处理晶片，其中所述微机械装置具有主延伸面，其中传感器晶片、中间晶片和分析处理晶片如此重叠地布置，使得中间晶片布置在传感器晶片和分析处理晶片之间，其中分析处理晶片具有至少一个专用集成电路，其中传感器晶片和/或中间晶片包括第一传感器元件并且传感器晶片和/或中间晶片包括与第一传感器元件在空间上分离的第二传感器元件，其中第一传感器元件位于第一腔体中，第一腔体通过中间晶片和传感器晶片构成，并且第二传感器元件位于第二腔体中，第二腔体通过中间晶片和传感器晶片构成，其中第一腔体中的第一气压不同于第二腔体中的第二气压，并且中间晶片至少在一个位置处在垂直于所述主延伸面延伸的方向上具有开口。
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公开(公告)号：CN104276540A
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201410315253.8
申请日：2014-07-03
申请人： 罗伯特·博世有限公司
CPC分类号： B81B3/0037 , B81B3/0021 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81B2207/012 , B81B2207/095 , B81C1/00682 , G01L9/0072 , H04R19/04 , H04R31/00
摘要： 本发明涉及一种微机械部件，具有：基片(10)，其具有空穴(12)，所述空穴向内构造在所述基片的功能性上侧(10a)中；至少部分导电的薄膜(24)，其至少部分地张紧所述空穴；以及对应电极(42)，其间隔开地布置在所述薄膜的从基片远离地指向的外侧上，以使在对应电极和至少部分导电的薄膜之间存在自由空间(52)；所述至少部分导电的薄膜张紧在至少一个至少部分地覆盖所述基片的功能性上侧的电绝缘材料上或其上方；和至少一个压力入口(56)构造在空穴上，以使所述至少部分导电的薄膜利用从所述微机械部件的外部环境流入到所述空穴中的气体介质可向内弯曲到所述自由空间中。本发明还涉及一种微机械部件的制造方法。
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公开(公告)号：CN101738492A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200910222058.X
申请日：2009-11-13
申请人： 罗伯特·博世有限公司
发明人： A·克尔布尔 , L·特夫耶 , J·泽尔霍斯特 , G-N-C·乌尔希里
IPC分类号： G01P15/02 , G01P15/125
CPC分类号： G01P15/125 , G01P15/08 , G01P2015/0831
摘要： 本发明提出一种传感器装置，具有基底和振动质量，其中，该振动质量借助悬挂弹簧固定在基底上，该振动质量设置成可在基底元件的方向上弹性地运动，其中，该振动质量具有主元件和副元件并且所述主元件还借助弹簧元件与副元件连接，在副元件和基底元件之间机械接触的情况下，该弹簧元件从平衡位置中偏转出来。
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公开(公告)号：CN101655508A
公开(公告)日：2010-02-24
申请号：CN200910168056.7
申请日：2009-08-19
申请人： 罗伯特·博世有限公司
IPC分类号： G01P15/02 , G01P15/125 , G01P15/18
CPC分类号： G01P15/125 , G01P15/18 , G01P2015/0831
摘要： 本发明涉及一种加速度传感器，其包括基底、摆动质量、与摆动质量连接的z弹簧以及至少一个与基底和摆动质量连接的另外的弹簧装置，所述z弹簧允许对摆动质量绕一轴线旋转。所述另外的弹簧装置使摆动质量能够在平行于或垂直于所述轴线定向的x或y方向上偏移。所述z弹簧或所述另外的弹簧装置使摆动质量能够在垂直于或平行于轴线定向的y或x方向上偏移。
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