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公开(公告)号：CN111630628B
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN201980009723.9
申请日：2019-01-09
申请人： 荣昌化学制品株式会社
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/3213 , H01L21/311 , G03F7/00
摘要： 本发明的目的是提供一种用于在半导体制造工艺中体现大纵横比的微细硅图案的工艺，涉及一种处理得在有机碳膜层选择地附着耐氟酸性物质后，使用含氟酸水溶液，以湿式蚀刻形成图案的新型湿式蚀刻方法，本发明的以湿式蚀刻形成图案的方法在形成CD小的图案时，不对数μm深度的蚀刻对象物的活性区域造成损伤地进行蚀刻，从而表现出提供微细图案形成方法的效果。
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公开(公告)号：CN110476127B
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN201880021974.4
申请日：2018-03-22
申请人： 荣昌化学制品株式会社
摘要： 本发明涉及半导体制造工艺中EUV(Extreme Ultraviolet：远紫外线)用显影液组合物，更详细而言，涉及一种在显影时能够降低Eop并更均匀地形成图案的微细图案形成用显影液组合，涉及一种EUV(Extreme Ultraviolet)用微细图案形成用显影液组合物，其特征在于，包括：以化学式1表示的水溶性聚合物、以化学式2表示的非离子性表面活性剂及碱性化合物。
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公开(公告)号：CN113661445A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202080026081.6
申请日：2020-03-25
申请人： 荣昌化学制品株式会社
摘要： 为了提供在半导体光刻工艺中有用的具有高厚度的硬掩膜组合物，本发明提供一种旋涂式硬掩膜组合物及对其组合物通过旋涂涂覆在被蚀刻层上部进行涂覆的工艺及进行烘烤工艺而形成硬掩膜层的图案化方法。根据本发明的硬掩膜，由优异的溶解度特性而具有表现出高厚度、能够承受多重蚀刻过程的高耐蚀刻性及优异的机械特性的效果。
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公开(公告)号：CN108027569B
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN201680052664.X
申请日：2016-08-26
申请人： 荣昌化学制品株式会社
IPC分类号： G03F7/32 , G02B5/20 , H01L27/146
摘要： 本发明涉及彩色滤光片图像传感器用显影剂组合物，更详细地说涉及显影力优秀，并且能够更均匀地形成图案且不会在显影后在基板上留下光致抗蚀剂残留物的彩色滤光片图像传感器用显影剂组合物。
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公开(公告)号：CN110476127A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201880021974.4
申请日：2018-03-22
申请人： 荣昌化学制品株式会社
摘要： 本发明涉及半导体制造工艺中EUV(Extreme Ultraviolet：远紫外线)用显影液组合物，更详细而言，涉及一种在显影时能够降低Eop并更均匀地形成图案的微细图案形成用显影液组合，涉及一种EUV(Extreme Ultraviolet)用微细图案形成用显影液组合物，其特征在于，包括：以化学式1表示的水溶性聚合物、以化学式2表示的非离子性表面活性剂及碱性化合物。
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公开(公告)号：CN113196178B
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN201980081913.1
申请日：2019-11-11
申请人： 荣昌化学制品株式会社
IPC分类号： G03F7/32
摘要： 本申请发明涉及一种用于对使用于极紫外光曝光光源的包括聚羟基苯乙烯(polyhydroxystyrene)的光致抗蚀剂图案进行坍塌程度改善及缺陷数减少的工艺液体，更详细地，涉及一种用于光致抗蚀剂图案的坍塌程度改善及缺陷数减少的工艺液体组合物及使用其的图案形成方法，其中，所述工艺液体组合物包括：0.0001至1重量％的碱性物质，0.0001至1重量％的阴离子表面活性剂，及98至99.9998重量％的水。
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公开(公告)号：CN109313401B
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN201780038755.2
申请日：2017-06-20
申请人： 荣昌化学制品株式会社
摘要： 本发明的目的在于，在半导体制造工艺中提供利用光致抗蚀剂可缩小(Shrink)光致抗蚀剂图案的光致抗蚀剂图案缩小用组合物与利用该组合物的图案缩小方法，在形成光致抗蚀剂图案时，缩小要形成的图案，大幅度减少半导体制造工艺的工艺数量，不仅如此还节省制造时间以及制造成本。
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公开(公告)号：CN114127639A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202080051572.6
申请日：2020-06-24
申请人： 荣昌化学制品株式会社
摘要： 本申请发明涉及一种在光致抗蚀剂图案工艺中改善光致抗蚀剂图案的裂痕缺陷及减少缺陷数的工艺液体组合物及利用其的图案形成方法。其中，所述光致抗蚀剂图案具有对光致抗蚀剂表面的水的接触角为70°以上的疏水性。更详细地，本申请发明涉及一种工艺液体组合物，所述工艺液体组合物由0.00001至0.1重量％的氟系表面活性剂、0.0001至0.1重量％的烃系阴离子表面活性剂、0.0001至0.1重量％的碱性物质、及99.7至99.99979重量％的水组成，且表面张力为40mN/m以下，接触角为60°以下。
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公开(公告)号：CN113196178A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN201980081913.1
申请日：2019-11-11
申请人： 荣昌化学制品株式会社
IPC分类号： G03F7/32
摘要： 本申请发明涉及一种用于对使用于极紫外光曝光光源的包括聚羟基苯乙烯(polyhydroxystyrene)的光致抗蚀剂图案进行坍塌程度改善及缺陷数减少的工艺液体，更详细地，涉及一种用于光致抗蚀剂图案的坍塌程度改善及缺陷数减少的工艺液体组合物及使用其的图案形成方法，其中，所述工艺液体组合物包括：0.0001至1重量％的碱性物质，0.0001至1重量％的阴离子表面活性剂，及98至99.9998重量％的水。
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公开(公告)号：CN109313401A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201780038755.2
申请日：2017-06-20
申请人： 荣昌化学制品株式会社
摘要： 本发明的目的在于，在半导体制造工艺中提供利用光致抗蚀剂可缩小(Shrink)光致抗蚀剂图案的光致抗蚀剂图案缩小用组合物与利用该组合物的图案缩小方法，在形成光致抗蚀剂图案时，缩小要形成的图案，大幅度减少半导体制造工艺的工艺数量，不仅如此还节省制造时间以及制造成本。
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