公开(公告)号：CN112133748A

公开(公告)日：2020-12-25

申请号：CN202010964120.9

申请日：2020-09-15

申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院

发明人： 王东 ,  严伟伟 ,  汪琼 ,  吴勇 ,  陈兴 ,  陆俊 ,  葛林男 ,  何滇 ,  曾文秀 ,  王俊杰 ,  穆潘潘 ,  操焰 ,  崔傲 ,  袁珂 ,  陈军飞 ,  张进成

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335

摘要： 本发明公开了一种大尺寸Si衬底的HEMT器件及其制备方法，属于微电子技术领域，包括从下至上依次层叠设置的衬底L1、纳米柱层L2、成核层L3、快速合并层L4、高阻层L5、沟道层L6以及势垒层L7，本发明提供了一种新的结构及长法，实现硅衬底上氮化镓外延薄膜的高晶格质量，提高器件的性能。

公开(公告)号：CN111584627A

公开(公告)日：2020-08-25

申请号：CN202010465630.1

申请日：2020-05-28

申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院

发明人： 吴勇 ,  汪琼 ,  王东 ,  陈兴 ,  严伟伟 ,  陆俊 ,  葛林男 ,  何滇 ,  曾文秀 ,  王俊杰 ,  穆潘潘 ,  操焰 ,  崔傲 ,  袁珂 ,  陈军飞 ,  张进成

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

摘要： 本发明公开了一种近似同质外延HEMT器件结构，属于微电子技术领域，包括从下至上依次排布的衬底、低温成核层、石墨烯层一、缓冲层一、恢复层、石墨烯层二、缓冲层二、高阻层、沟道层以及势垒层，本发明可以大幅度降低材料的位错密度，提高晶格质量，从而提升HEMT器件的电子迁移率、击穿电压以及漏电流等特性，适用于高压大功率电子器件应用，通过插入石墨烯层易于剥离，可以有效的缓解蓝宝石于氮化镓层的热失配以及可以提高蓝宝石衬底和氮化镓薄膜衬底的利用率，有效降低成本。

公开(公告)号：CN111564490A

公开(公告)日：2020-08-21

申请号：CN202010465882.4

申请日：2020-05-28

申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院

发明人： 吴勇 ,  陆俊 ,  王东 ,  陈兴 ,  汪琼 ,  葛林男 ,  严伟伟 ,  何滇 ,  曾文秀 ,  王俊杰 ,  操焰 ,  崔傲 ,  袁珂 ,  陈军飞 ,  张进成

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L29/06

摘要： 一种P-GaN增强型HEMT器件及其制备方法，属于半导体技术领域，包括从下至上依次层叠设置的衬底(101)、ALN成核层(102)、ALGaN缓冲层(103)、GaN沟道层(104)、ALN插入层(105)、ALGaN势垒层(106)、LTPGaN(107)、PGaN(108)、钝化层(109)、源极(110)、漏极(111)、栅极(112)。在PGaN层和势垒层之间生长一层低温饱和P型GaN(LTPGaN层)，该层的生长阻止了PGaN层的mg扩散至沟道层，从而降低器件的导通电阻，提升HEMT器件的工作效率。

公开(公告)号：CN111081762A

公开(公告)日：2020-04-28

申请号：CN201911323134.6

申请日：2019-12-20

申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院

发明人： 汪琼 ,  王东 ,  吴勇 ,  陈兴 ,  严伟伟 ,  陆俊 ,  葛林男 ,  何滇 ,  曾文秀 ,  王俊杰 ,  操焰 ,  崔傲 ,  袁珂 ,  陈军飞 ,  张进成

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/20 ,  H01L29/34 ,  H01L21/335 ,  H01L29/778

摘要： 一种新型的HEMT器件的外延结构，属于微电子技术领域，包括从下至上依次层叠设置的衬底、成核层、低温三维层、填平层、高阻层、沟道层以及势垒层，其中填平层是由H2处理层/MgGaN/GaN2循环生长组成，包括H2处理层、MgGaN的二维层、GaN恢复层，本发明通过循环生长H2处理层/MgGaN/GaN填平层可以大幅度降低材料的位错密度，提高晶格质量，从而提升HEMT器件的电子迁移率、击穿电压以及漏电流等特性。

公开(公告)号：CN111063736A

公开(公告)日：2020-04-24

申请号：CN201911323108.3

申请日：2019-12-20

申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院

发明人： 吴勇 ,  王东 ,  陈兴 ,  汪琼 ,  葛林男 ,  陆俊 ,  严伟伟 ,  何滇 ,  曾文秀 ,  王俊杰 ,  操焰 ,  崔傲 ,  袁珂 ,  陈军飞 ,  张进成

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/06

摘要： 一种高质量的HEMT器件外延结构，属于微电子技术领域，包括从下至上依次层叠设置的衬底、成核层、缓冲层、高阻层、沟道层以及势垒层，其中，成核层是由PECVD生长的ALN层，其他层的都由MOCVD生长完成，主要的缓冲层是由ALN/SiN/GaN三个子层的复合循环生长组成，包括ALN晶核层、网状结构SiN薄层、GaN填平层，本发明通过PECVD的方法生长高晶格质量的ALN成核层，为后面的缓冲层做承接作用，再通过循环生长ALN/SiN/GaN缓冲层可以大幅度降低材料的位错密度，提高晶格质量，从而提升HEMT器件的电子迁移率、击穿电压以及漏电流等特性。

公开(公告)号：CN220921306U

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN202322501219.7

申请日：2023-09-14

申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院

发明人： 吴勇 ,  王东 ,  陈兴 ,  何滇 ,  严琴 ,  金京 ,  葛林男 ,  何振伟 ,  穆潘潘

IPC分类号： B23K26/70 ,  B23K37/04 ,  B23K26/362 ,  B23K26/16

摘要： 本实用新型公开了一种用于SiC单晶激光微水射流加工的夹持工装，涉及半导体材料加工的技术领域，包括顶装板、底装板、电动机、滑动板、侧挡条及底撑条，顶装板的前后两侧对称连接有两对垫高条，垫高条的上侧均平行连接有直导轨，直导轨上均滑动连接有滑动块，滑动板设有一对并对应连接于前后两对滑动块上，侧挡条与底撑条均为圆拱形结构，侧挡条设有一对并对应连接于前后两个滑动板的上侧，并在侧挡条的内侧均匀分布有吸水孔，底撑条设有一对并对应连接于前后两个侧挡条的内侧，并在底撑条的上侧均匀分布有吸气孔，底撑条上的吸气孔低于侧挡条上的吸水孔。本申请中的SiC单晶激光微水射流加工的夹持工装具有方案合理、结构简单、使用方便的特点。

公开(公告)号：CN220921268U

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN202322511219.5

申请日：2023-09-15

申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院

发明人： 吴勇 ,  王东 ,  陈兴 ,  何滇 ,  严琴 ,  金京 ,  葛林男 ,  何振伟 ,  穆潘潘

IPC分类号： B23K26/38 ,  B28D7/04 ,  B28D5/00 ,  B23K26/402 ,  B23K26/70

摘要： 本实用新型公开了一种基于激光微水射流对碳化硅单晶进行滚圆用的工装，涉及半导体材料加工的技术领域，包括顶装板、底装板、伺服电机一及伺服电机二，伺服电机一竖直朝上安装于顶装板的中间，并在伺服电机一的输出端连接有圆形的旋转板，旋转板的上侧居中连接有固定板，伺服电机二水平朝前安装于固定板的中间，并在伺服电机二的输出端连接有翻转架，翻转架的前端焊接有弧形的夹紧架一，并在夹紧架一的两端都铰接有弧形的夹紧架二，夹紧架二的外壁上都焊接有L型的连接板，并在连接板上都设有U型的连接槽，并在两个连接槽之间共同插装有一根螺纹杆，并在螺纹杆上螺纹连接有一对锁紧帽。本申请中的工装具有方案合理、结构简单、使用方便的特点。

公开(公告)号：CN220838407U

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202322530312.0

申请日：2023-09-18

申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院

发明人： 吴勇 ,  王东 ,  陈兴 ,  何滇 ,  严琴 ,  金京 ,  葛林男 ,  何振伟 ,  穆潘潘

IPC分类号： B23K26/14 ,  B23K26/08 ,  B23K26/38 ,  B23K26/70

摘要： 本实用新型公开了一种碳化硅晶锭的激光微水射流切割辅助装置，涉及半导体材料加工的技术领域，包括旋转机构与定位机构，其中，所述旋转机构包括底装板、旋转板及伺服电机；所述定位机构包括中装板、液压缸、放置环、夹紧管及夹紧条。本申请先将碳化硅晶锭水平搭放于放置环的上侧，再通过液压缸的活塞杆伸长并带动四周的夹紧管向放置环聚拢，并通过夹紧管上的夹紧条推着碳化硅晶锭挪动，直到碳化硅晶锭与放置环处于同轴分布的位置关系，再通过负压气源将碳化硅晶锭稳稳地吸附在放置环的上侧，再通过伺服电机带动碳化硅晶锭进行自转，并配合激光微水射流对碳化硅晶锭的边缘进行环形切割。本申请具有方案合理、结构简单、使用方便的特点。