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公开(公告)号：CN110843394B
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN201911181293.7
申请日：2019-11-27
申请人： 西安航思半导体有限公司
摘要： 本发明公开一种QFN封装器件的加工设备，包括支撑板、第一框架、第二框架、第三框架、打标器和打磨机构，所述第一框架、第二框架、第三框架依次连接设置于支撑板的同一侧，所述打标器设置于第二框架上方，所述打磨机构安装于第三框架上方，所述打磨机构包括顶板和活动安装于顶板下方的打磨头，所述顶板一侧与支撑板固定连接，此顶板的另一侧设置有一挡板，所述挡板上开有一风嘴，所述第三框架下方设置有一吸尘仓，所述吸尘仓内设置有一负压风机，所述第三框架下方设置有一集尘板。本发明自动实现了对安装于移动块内的半导体器件的双面打标而无需人工干预翻面，既可以避免人工翻面带来的误差而影响打标的精度，又可以提高作业的效率。
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公开(公告)号：CN109904125B
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN201910167033.8
申请日：2019-03-06
申请人： 西安航思半导体有限公司
IPC分类号： H01L23/29 , H01L23/367 , H01L21/56
摘要： 本发明公开了一种耐高温QFN封装结构的制备方法，QFN封装结构包括位于环氧绝缘体中的散热焊盘、芯片和导电焊盘，所述芯片位于散热焊盘上，且所述芯片与散热焊盘之间设有银浆层，位于散热焊盘周边设有若干个导电焊盘，所述导电焊盘和芯片通过一引线连接，包括以下步骤：S1.先将硅微粉和阻燃剂与γ‑甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷混合均匀，进行表面处理；S2.再加入环氧树脂、线型酚醛树脂、液体丁腈橡胶、二苯基甲烷二异氰酸酯、焦碳酸二乙酯、磷酸二苄酯、5‑氟‑2‑甲氧基苯胺、2,4,6‑三(二甲氨基甲基)苯酚和脱模剂。本发明在保证良好力学性能的前提下，兼具有优秀的耐热性能，玻璃化温度达190~230℃，可满足大功率高发热芯片封装的要求。
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公开(公告)号：CN109950158A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201910131685.6
申请日：2019-02-22
申请人： 西安航思半导体有限公司
IPC分类号： H01L21/56 , H01L23/29 , H01L23/31 , H01L23/367 , C08L63/00 , C08L61/06 , C08L9/02 , C08L71/02 , C08L1/14 , C08L23/30 , C08K9/06 , C08K3/36 , C08K3/24 , C08K3/38 , C08K5/098 , H01B3/40 , C08G59/42 , C08G59/50
摘要： 本发明公开了一种高导热DFN封装器件的制备方法，包括以下步骤：S1.先将硅微粉和阻燃剂与3-氨基丙基三乙氧基硅烷混合均匀，进行表面处理；S2.再加入环氧树脂、线型酚醛树脂、液体丁腈橡胶、焦碳酸二乙酯、聚乙二醇单辛基苯基醚、醋酸丁酸纤维素、5-氟-2-甲氧基苯胺、2,4,6-三(二甲氨基甲基)苯酚和脱模剂，混合均匀；S3.将混合物于90~110℃混炼3~5分钟，产物冷却后粉碎过筛；该方法制备得到的高导热DFN封装器件内部气孔的发生率低，有效避免了气孔导致的导热性能降低进而引起电性方面的失效的问题。
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公开(公告)号：CN109904125A
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201910167033.8
申请日：2019-03-06
申请人： 西安航思半导体有限公司
IPC分类号： H01L23/29 , H01L23/367 , H01L21/56
摘要： 本发明公开了一种耐高温QFN封装结构的制备方法，QFN封装结构包括位于环氧绝缘体中的散热焊盘、芯片和导电焊盘，所述芯片位于散热焊盘上，且所述芯片与散热焊盘之间设有银浆层，位于散热焊盘周边设有若干个导电焊盘，所述导电焊盘和芯片通过一引线连接，包括以下步骤：S1.先将硅微粉和阻燃剂与γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷混合均匀，进行表面处理；S2.再加入环氧树脂、线型酚醛树脂、液体丁腈橡胶、二苯基甲烷二异氰酸酯、焦碳酸二乙酯、磷酸二苄酯、5-氟-2-甲氧基苯胺、2,4,6-三(二甲氨基甲基)苯酚和脱模剂。本发明在保证良好力学性能的前提下，兼具有优秀的耐热性能，玻璃化温度达190~230℃，可满足大功率高发热芯片封装的要求。
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公开(公告)号：CN116417396A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202111674343.2
申请日：2021-12-31
申请人： 西安航思半导体有限公司
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/67
摘要： 本发明公开一种DFN集成电路键合装置，其气缸的活塞杆上安装有一用于与待加工基板上方的待加工芯片挤压接触的压板，支撑板的侧表面上开设有一沿水平方向延伸的条形槽，一滑动板的一侧滑动设置于条形槽内，滑动板的另一侧下表面上安装有电缸，水平设置的滑动板下表面两端各连接有一竖直设置的第一安装板，对称设置于电缸两侧的2块第一安装板之间转动连接有一双向螺杆，2个第一安装板相对的表面上各安装有一L形板，一端与第一安装板连接的L形板的另一端延伸至吸盘上方向下折弯并安装有一活塞缸，活塞缸与对应的第二安装板之间连接有气囊。本发明保证了芯片与吸盘紧密贴合，提高了转移过程中芯片的安全性，也提高了装置整体的可靠性。
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公开(公告)号：CN113451228B
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202110621536.5
申请日：2019-03-06
申请人： 西安航思半导体有限公司
IPC分类号： H01L23/29 , H01L23/367 , H01L23/488
摘要： 本发明公开一种高强度QFN封装结构，包括位于环氧绝缘体中的散热焊盘、芯片和导电焊盘，所述芯片位于散热焊盘上，且所述芯片与散热焊盘之间设有银浆层，位于散热焊盘周边设有若干个导电焊盘，所述导电焊盘和芯片通过一引线连接；所述环氧绝缘体的原料包括以下重量份组分：环氧树脂、线型酚醛树脂、液体丁腈橡胶、二苯基甲烷二异氰酸酯、焦碳酸二乙酯、磷酸二苄酯、硅微粉、γ‑甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、5‑氟‑2‑甲氧基苯胺、2,4,6‑三(二甲氨基甲基)苯酚、脱模剂、阻燃剂。本发明QFN封装半导体器增强了环氧绝缘体的整体力学性能，也可满足大功率高发热芯片封装的要求。
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公开(公告)号：CN112435975B
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202011428825.5
申请日：2019-02-22
申请人： 西安航思半导体有限公司
IPC分类号： H01L23/367 , H01L23/29
摘要： 本发明公开了一种芯片封装结构，其散热焊盘的中央区开有一供芯片嵌入的沉槽，从而在散热焊盘的边缘区形成一围堰部，所述沉槽的底部和围堰部与芯片的下表面和侧壁之间均设置有银浆层，所述沉槽的底部开有若干个延伸至散热焊盘内的换热盲孔；所述环氧绝缘体的原料包括以下重量份组分：环氧树脂、线型酚醛树脂、液体丁腈橡胶、焦碳酸二乙酯、硅微粉、聚乙二醇单辛基苯基醚、3‑氨基丙基三乙氧基硅烷、醋酸丁酸纤维素、5‑氟‑2‑甲氧基苯胺、2,4,6‑三(二甲氨基甲基)苯酚、脱模剂、阻燃剂。本发明芯片封装结构芯片封装结构散热效果、力学性能优异，封装结构稳定可靠。
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公开(公告)号：CN113451226A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110620907.8
申请日：2019-03-06
申请人： 西安航思半导体有限公司
IPC分类号： H01L23/29 , H01L23/367 , H01L23/488
摘要： 本发明公开了一种耐热型QFN封装半导体器件，散热焊盘远离芯片的一侧开有分隔槽，所述分隔槽宽度为0.1~0.3mm，所述分隔槽将散热焊盘远离芯片的一侧等分分隔形成至少2块焊盘单体，所述分隔槽中填充有导热绝缘条；环氧绝缘体的原料包括以下重量份组分：环氧树脂、线型酚醛树脂、液体丁腈橡胶、二苯基甲烷二异氰酸酯、焦碳酸二乙酯、磷酸二苄酯、硅微粉、γ‑甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、5‑氟‑2‑甲氧基苯胺、2,4,6‑三(二甲氨基甲基)苯酚、脱模剂、阻燃剂。本发明耐热型QFN封装半导体器件增强了环氧绝缘体的整体力学性能，有效保证了封装结构稳定性和兼具有优秀的耐热性能。
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公开(公告)号：CN112435974A
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN202011403577.9
申请日：2019-02-22
申请人： 西安航思半导体有限公司
IPC分类号： H01L23/367 , H01L23/29
摘要： 本发明公开了一种高强度DFN封装半导体器件，包括位于环氧绝缘体中的散热焊盘、芯片和导电焊盘，所述芯片位于散热焊盘上，位于散热焊盘周边设有若干个导电焊盘，所述导电焊盘和芯片通过一引线连接；所述环氧绝缘体的原料包括以下重量份组分：环氧树脂80份、线型酚醛树脂55份、液体丁腈橡胶16份、焦碳酸二乙酯8份、硅微粉80份、聚乙二醇单辛基苯基醚 0.1份、3‑氨基丙基三乙氧基硅烷2份、醋酸丁酸纤维素5份、5‑氟‑2‑甲氧基苯胺2份、2,4,6‑三(二甲氨基甲基)苯酚5份、脱模剂3份、阻燃剂10份。本发明高强度DFN封装半导体器件散热效果、力学性能优异，增强了环氧绝缘体的整体力学性能，有效保证了封装结构稳定性。
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公开(公告)号：CN110867401A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201911181316.4
申请日：2019-11-27
申请人： 西安航思半导体有限公司
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/677
摘要： 本发明公开一种集成电路封装器件的加工装置，包括支撑板、第一框架、第二框架、第三框架、打标器和打磨机构，所述第一框架、第二框架、第三框架依次连接设置于支撑板的同一侧，所述打标器设置于第二框架上方，所述打磨机构安装于第三框架上方，所述打磨机构包括顶板和活动安装于顶板下方的打磨头，所述顶板一侧与支撑板固定连接，此顶板的另一侧设置有一挡板，所述挡板上开有一风嘴，所述第三框架下方设置有一吸尘仓，此吸尘仓通过一第一风管与所述风嘴贯通连接。本发明实现了对移动至第三框架上的半导体器件的打磨，还可以将打磨过程中产生的碎屑吸收至吸尘仓的内部，避免碎屑造成空气污染影响工作人员身体健康，同时还可以避免后期清洁人员清理困难。
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