公开(公告)号：CN103943147A

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：CN201410018415.1

申请日：2014-01-16

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： J·S·朝伊

IPC: G11C16/10

CPC classification number: G11C16/345 ,  G11C7/04 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/10 ,  G11C29/021 ,  G11C29/028 ,  G11C2029/5002

Abstract: 本发明涉及使用温度传感器自适应软编程非易失存储器的系统及方法。擦除具有位单元的阵列的非易失性存储器（NVM）包括在所述位单元的初始擦除之后进行软编程。过擦除的位单元被确定。温度被检测。基于所述温度的第一软编程栅电压被提供。使用所述第一软编程栅电压对所述过擦除的位单元进行软编程被执行。任何剩余的过擦除的位单元被确定。如果有任何剩余的过擦除的位单元，使用从所述第一软编程栅电压递增的第二软编程栅电压对所述剩余的过擦除的位单元执行软编程。

公开(公告)号：CN103853225A

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201310625020.3

申请日：2013-11-28

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： J·S·朝伊 ,  K·A·伊尔根斯坦

IPC: G05F3/24

CPC classification number: G05F3/02 ,  G11C5/147 ,  G11C16/30 ,  H03K19/0016

Abstract: 本公开涉及控制半导体电路中电源的系统及方法。一种功率控制电路包括：多个晶体管，耦接在电源节点（VDD）和栅控电压电源节点（VDDi）之间，其中所述多个晶体管（102、104、106）中的第一晶体管的栅电极被耦接以接收功率控制信号，其中，响应于所述功率控制信号的断言，将所述第一晶体管置于导通状态；第一电压比较器（112），其中，响应于所述功率控制信号的断言，当所述栅控电压电源节点上的电压达到第一参考电压时，将所述多个晶体管中的第二晶体管置于导通状态；以及第二电压比较器（114），其中，响应于所述功率控制信号的断言，当所述栅控电压电源节点上的所述电压达到与所述第一参考电压不同的第二参考电压时，将所述多个晶体管中的第三晶体管置于导通状态。