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公开(公告)号：CN101199024A
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200680009994.7
申请日：2006-03-29
申请人： 桑迪士克股份有限公司
发明人： 东谷正昭
CPC分类号： G11C16/3445 , G11C8/08 , G11C11/5628 , G11C11/5635 , G11C16/0483 , G11C16/08 , G11C16/12 , G11C16/16 , G11C16/3404 , G11C16/3409 , G11C16/345 , G11C16/3454 , G11C16/3468 , G11C16/3472 , G11C16/3477 , G11C2211/5621 , G11C2216/18
摘要： 在擦除操作期间改变施加至非易失性存储器系统的存储器单元的电压条件，以使选择存储器单元与所述系统中当前正被擦除的其它存储器单元的擦除行为均衡化。所改变的条件可补偿NAND串内的电容性耦合电压。在偏置NAND串以进行擦除操作并开始施加擦除电压脉冲后，可使一个或一个以上内部存储器单元的字线浮动。通过使所选内部字线浮动，在耦合至其的单元的隧道电介质区域上所形成的峰值擦除电位从其正常电平降低。因此，这些单元的擦除速率被减慢以大致匹配所述串中较慢擦除的末端存储器单元。可在不同的时间使不同的字线浮动以使不同存储器单元的擦除行为改变不同的量。
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公开(公告)号：CN103943147B
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201410018415.1
申请日：2014-01-16
申请人： 恩智浦美国有限公司
发明人： J·S·朝伊
IPC分类号： G11C16/10
CPC分类号： G11C16/345 , G11C7/04 , G11C16/0483 , G11C16/10 , G11C29/021 , G11C29/028 , G11C2029/5002
摘要： 本发明涉及使用温度传感器自适应软编程非易失存储器的系统及方法。擦除具有位单元的阵列的非易失性存储器（NVM）包括在所述位单元的初始擦除之后进行软编程。过擦除的位单元被确定。温度被检测。基于所述温度的第一软编程栅电压被提供。使用所述第一软编程栅电压对所述过擦除的位单元进行软编程被执行。任何剩余的过擦除的位单元被确定。如果有任何剩余的过擦除的位单元，使用从所述第一软编程栅电压递增的第二软编程栅电压对所述剩余的过擦除的位单元执行软编程。
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公开(公告)号：CN101218651B
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN200680010518.7
申请日：2006-03-29
申请人： 桑迪士克科技公司
IPC分类号： G11C16/34
CPC分类号： G11C16/3409 , G11C11/5628 , G11C11/5635 , G11C16/0483 , G11C16/12 , G11C16/16 , G11C16/3404 , G11C16/345 , G11C16/3454 , G11C16/3468 , G11C16/3472 , G11C16/3477 , G11C2211/5621 , G11C2216/18
摘要： 将一组非易失性存储元件划分为子组进行软编程，以便更完全地软编程较慢的软编程元件。所述整个组的元件经软编程，直到被验证为经软编程为止(或直到第一子组元件被验证为经软编程，同时从验证中排除第二子组为止)。在所述组被验证为经软编程之后，第一子组元件被抑制进一步软编程，同时对第二子组元件实施额外的软编程。第二子组可包含较慢的软编程元件。第二子组可接着经历软编程验证，同时从验证中排除所述第一子组。针对所述第二子组的软编程和验证可持续，直到其被验证为经软编程为止。取决于哪一子组正经软编程和验证，可使用不同的步长大小以增加软编程信号的大小。
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公开(公告)号：CN102855937A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201210214479.X
申请日：2012-06-27
申请人： 爱思开海力士有限公司
发明人： 李炯珉
CPC分类号： G11C16/06 , G11C11/5628 , G11C16/0483 , G11C16/345
摘要： 本发明提供了半导体存储器件及其操作方法。所述操作方法包括：执行第一LSB编程循环，以将第一LSB数据存储在字线的第一存储单元中；执行第二LSB编程循环，以将第二LSB数据存储在所选字线的第二存储单元中，并检测具有低于呈负电位的过擦除参考电压的阈值电压的过擦除存储单元以将所述阈值电压提高至高于所述过擦除参考电压；执行第一MSB编程循环，以将第一MSB数据存储在所述第一存储单元中；以及，执行第二MSB编程循环，以将第二MSB数据存储在所述第二存储单元。
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公开(公告)号：CN101213614A
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200680009937.9
申请日：2006-03-29
申请人： 桑迪士克股份有限公司
IPC分类号： G11C16/34
CPC分类号： G11C16/344 , G11C11/5628 , G11C11/5635 , G11C16/0483 , G11C16/12 , G11C16/16 , G11C16/3404 , G11C16/3409 , G11C16/3445 , G11C16/345 , G11C16/3454 , G11C16/3468 , G11C16/3472 , G11C16/3477 , G11C2211/5621 , G11C2216/18
摘要： 将一组非易失性存储元件划分为子组进行擦除，以便避免过度擦除较快擦除存储元件。擦除整个所述组元件，直到所述组元件的第一子组被验证为经擦除为止。所述第一子组可包含较快擦除单元。验证所述第一子组包含从验证中排除第二子组。在所述第一子组被验证为经擦除之后，其被抑制擦除，同时进一步擦除所述第二子组。当所述第二子组被验证为经擦除时，所述组元件被验证为经擦除。验证所述组元件经擦除可包含从验证中排除所述第一子组或一起验证所述第一和第二子组两者。取决于正擦除和验证哪个子组而使用不同的步长大小，以便更有效且准确地擦除所述组元件。
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公开(公告)号：CN102855937B
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201210214479.X
申请日：2012-06-27
申请人： 爱思开海力士有限公司
发明人： 李炯珉
CPC分类号： G11C16/06 , G11C11/5628 , G11C16/0483 , G11C16/345
摘要： 提供了半导体存储器件及其操作方法。所述操作方法包括：执行第一LSB编程循环，以将第一LSB数据存储在字线的第一存储单元中；执行第二LSB编程循环，以将第二LSB数据存储在所选字线的第二存储单元中，并检测具有低于呈负电位的过擦除参考电压的阈值电压的过擦除存储单元以将所述阈值电压提高至高于所述过擦除参考电压；执行第一MSB编程循环，以将第一MSB数据存储在所述第一存储单元中；以及，执行第二MSB编程循环，以将第二MSB数据存储在所述第二存储单元。
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公开(公告)号：CN101213614B
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN200680009937.9
申请日：2006-03-29
申请人： 桑迪士克股份有限公司
IPC分类号： G11C16/34
CPC分类号： G11C16/344 , G11C11/5628 , G11C11/5635 , G11C16/0483 , G11C16/12 , G11C16/16 , G11C16/3404 , G11C16/3409 , G11C16/3445 , G11C16/345 , G11C16/3454 , G11C16/3468 , G11C16/3472 , G11C16/3477 , G11C2211/5621 , G11C2216/18
摘要： 将一组非易失性存储元件划分为子组进行擦除，以便避免过度擦除较快擦除存储元件。擦除整个所述组元件，直到所述组元件的第一子组被验证为经擦除为止。所述第一子组可包含较快擦除单元。验证所述第一子组包含从验证中排除第二子组。在所述第一子组被验证为经擦除之后，其被抑制擦除，同时进一步擦除所述第二子组。当所述第二子组被验证为经擦除时，所述组元件被验证为经擦除。验证所述组元件经擦除可包含从验证中排除所述第一子组或一起验证所述第一和第二子组两者。取决于正擦除和验证哪个子组而使用不同的步长大小，以便更有效且准确地擦除所述组元件。
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公开(公告)号：CN101199024B
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN200680009994.7
申请日：2006-03-29
申请人： 桑迪士克股份有限公司
发明人： 东谷正昭
CPC分类号： G11C16/3445 , G11C8/08 , G11C11/5628 , G11C11/5635 , G11C16/0483 , G11C16/08 , G11C16/12 , G11C16/16 , G11C16/3404 , G11C16/3409 , G11C16/345 , G11C16/3454 , G11C16/3468 , G11C16/3472 , G11C16/3477 , G11C2211/5621 , G11C2216/18
摘要： 在擦除操作期间改变施加至非易失性存储器系统的存储器单元的电压条件，以使选择存储器单元与所述系统中当前正被擦除的其它存储器单元的擦除行为均衡化。所改变的条件可补偿NAND串内的电容性耦合电压。在偏置NAND串以进行擦除操作并开始施加擦除电压脉冲后，可使一个或一个以上内部存储器单元的字线浮动。通过使所选内部字线浮动，在耦合至其的单元的隧道电介质区域上所形成的峰值擦除电位从其正常电平降低。因此，这些单元的擦除速率被减慢以大致匹配所述串中较慢擦除的末端存储器单元。可在不同的时间使不同的字线浮动以使不同存储器单元的擦除行为改变不同的量。
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公开(公告)号：CN101218651A
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200680010518.7
申请日：2006-03-29
申请人： 桑迪士克股份有限公司
IPC分类号： G11C16/34
CPC分类号： G11C16/3409 , G11C11/5628 , G11C11/5635 , G11C16/0483 , G11C16/12 , G11C16/16 , G11C16/3404 , G11C16/345 , G11C16/3454 , G11C16/3468 , G11C16/3472 , G11C16/3477 , G11C2211/5621 , G11C2216/18
摘要： 将一组非易失性存储元件划分为子组进行软编程，以便更完全地软编程较慢的软编程元件。所述整个组的元件经软编程，直到被验证为经软编程为止(或直到第一子组元件被验证为经软编程，同时从验证中排除第二子组为止)。在所述组被验证为经软编程之后，第一子组元件被抑制进一步软编程，同时对第二子组元件实施额外的软编程。第二子组可包含较慢的软编程元件。第二子组可接着经历软编程验证，同时从验证中排除所述第一子组。针对所述第二子组的软编程和验证可持续，直到其被验证为经软编程为止。取决于哪一子组正经软编程和验证，可使用不同的步长大小以增加软编程信号的大小。
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公开(公告)号：CN1057171C
公开(公告)日：2000-10-04
申请号：CN95192817.1
申请日：1995-02-22
申请人： 罗姆有限公司
IPC分类号： H01L29/788 , H01L27/115 , G11C16/04 , G11C16/06
CPC分类号： G11C16/345 , G11C16/0416 , G11C16/10 , G11C16/14 , G11C16/16 , G11C16/3404 , G11C16/3409 , G11C16/3445 , G11C16/3459 , H01L27/115 , H01L29/7883
摘要： 一单个晶体管电可擦除可编程存储器件，能够利用Fowler-Nordheim隧道效应进行编程和擦除，能够利用低电压进行操作。每个源和漏区的部分和第1栅绝缘层相互重叠，选择多晶硅层间绝缘层使其具有高的介电常数，以便使浮栅、控制栅，源、漏之间的电容耦合率最大。通过首先把单元块的电压升高到高阈值电压和一个一个地降低各选择单元的阈值电压来设置阵列各单元的逻辑状态。
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