公开(公告)号：CN102113131A

公开(公告)日：2011-06-29

申请号：CN200980129536.0

申请日：2009-06-19

申请人： LG电子株式会社

发明人： 郑柱和 ,  安俊勇 ,  郑智元 ,  朴铉定 ,  李圣恩

IPC分类号： H01L31/042

CPC分类号： H01L31/02363 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/50 ,  Y02E10/52

摘要： 本发明涉及太阳能电池及其制造方法，所述制造方法包括在基板的表面上不均匀地形成锯齿状部分、在所述基板中形成第一型半导体和第二型半导体、形成与所述第一型半导体接触的第一电极和形成与所述第二型半导体接触的第二电极。在制造太阳能电池的湿式蚀刻过程中所用的蚀刻剂基于所述蚀刻剂的总重量包含约0.5重量％～10重量％的HF、约30重量％～60重量％的HNO3和至多为约30重量％的乙酸。

公开(公告)号：CN101878536A

公开(公告)日：2010-11-03

申请号：CN200880118116.8

申请日：2008-11-05

申请人： LG电子株式会社

发明人： 安俊勇 ,  郭桂荣 ,  郑柱和

IPC分类号： H01L31/042

CPC分类号： H01L31/0684 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： 公开了硅太阳能电池和其制造方法。所述硅太阳能电池包括：掺杂有第一导电杂质的硅半导体基板；所述基板上的掺杂有第二导电杂质的发射极层，所述第二导电杂质的极性与所述第一导电杂质的极性相反；所述基板的整个表面上的防反射层；穿过所述防反射层并连接到所述发射极层的上电极；以及连接到所述基板的下部的下电极。所述发射极层包括重掺杂有所述第二导电杂质的第一发射极层、和轻掺杂有所述第二导电杂质的第二发射极层。所述第二发射极层的表面电阻在100Ohm/sq至120Ohm/sq的范围内。

公开(公告)号：CN114127961A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202080052377.5

申请日：2020-04-09

申请人： LG电子株式会社

发明人： 金圣辰 ,  郑柱和 ,  崔亨旭 ,  张元宰

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0368

摘要： 根据本发明的实施方式的太阳能电池包括：第一铝氧化物层，第一铝氧化物层位于第一导电类型区域上，该第一导电类型区域由具有n型导电类型并且包括氢的多晶硅层组成；以及第一钝化层，该第一钝化层位于第一铝氧化物层上并且包括包含与第一铝氧化物层的材料不同的材料的第一介电层。

公开(公告)号：CN113302747A

公开(公告)日：2021-08-24

申请号：CN202080008582.1

申请日：2020-01-02

申请人： LG电子株式会社

发明人： 张元宰 ,  金圣辰 ,  都荣九 ,  郑柱和 ,  安俊勇 ,  曹海宗 ,  高智洙

IPC分类号： H01L31/0236 ,  H01L31/0368 ,  H01L31/0224 ,  H01L21/306

摘要： 本发明涉及太阳能电池制备方法。其包括：多晶硅层形成步骤，用于在包括基区并由单晶硅材料形成的半导体基板的后表面上形成包含第一掺杂剂的多晶硅层；前表面纹理化步骤，用于对半导体基板的前表面进行纹理化并且还去除形成于前表面上的多晶硅层；第二导电区形成步骤，用于通过在半导体基板的前表面上扩散第二掺杂剂来形成第二导电区；钝化膜形成步骤，用于在形成于半导体基板的后表面上的多晶硅层上形成第一钝化膜，并且在半导体基板的前表面上的第二导电区上形成第二钝化膜；以及电极形成步骤，用于形成穿过第一钝化膜并且连接至多晶硅层的第一电极并且在第二导电区上形成穿过第二钝化膜的第二电极。

公开(公告)号：CN109037359A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201810878741.8

申请日：2015-11-30

申请人： LG电子株式会社

发明人： 河廷珉 ,  金圣辰 ,  郑柱和 ,  安俊勇 ,  崔亨旭 ,  张元宰 ,  金在声

IPC分类号： H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0747

CPC分类号： H01L31/022433 ,  H01L31/0201 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/03685 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/077 ,  H01L31/1824 ,  H01L31/1864 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/50

摘要： 太阳能电池。公开了太阳能电池及其制造方法。一种太阳能电池包括：半导体基板；隧穿层，其在半导体基板的第一表面上；第一导电类型半导体区域，其在隧穿层上并且包含第一导电类型的杂质；第二导电类型半导体区域，其在第二表面上并且包括与第一导电类型相反的第二导电类型的杂质；第一钝化膜，其在第一导电类型半导体区域上；第一电极，其在第一钝化膜上形成，并且穿过在第一钝化膜中形成的开口部连接到第一导电类型半导体区域；第二钝化膜，其在第二导电类型半导体区域上；以及第二电极，其在第二钝化膜上形成，并且穿过在第二钝化膜中形成的开口部连接到第二导电类型半导体区域。

公开(公告)号：CN105655427B

公开(公告)日：2018-07-24

申请号：CN201510892086.8

申请日：2015-11-30

申请人： LG电子株式会社

发明人： 河廷珉 ,  金圣辰 ,  郑柱和 ,  安俊勇 ,  崔亨旭 ,  张元宰 ,  金在声

IPC分类号： H01L31/04 ,  H01L31/0224

CPC分类号： H01L31/022433 ,  H01L31/0201 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/03685 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/077 ,  H01L31/1824 ,  H01L31/1864 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/50

摘要： 公开了太阳能电池及其制造方法。一种太阳能电池包括：半导体基板；隧穿层，其在半导体基板的第一表面上；第一导电类型半导体区域，其在隧穿层上并且包含第一导电类型的杂质；第二导电类型半导体区域，其在第二表面上并且包括与第一导电类型相反的第二导电类型的杂质；第一钝化膜，其在第一导电类型半导体区域上；第一电极，其在第一钝化膜上形成，并且穿过在第一钝化膜中形成的开口部连接到第一导电类型半导体区域；第二钝化膜，其在第二导电类型半导体区域上；以及第二电极，其在第二钝化膜上形成，并且穿过在第二钝化膜中形成的开口部连接到第二导电类型半导体区域。

公开(公告)号：CN102290453A

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN201110168794.9

申请日：2011-06-21

申请人： LG电子株式会社

发明人： 金圣辰 ,  郭桂荣 ,  都荣九 ,  李满 ,  李圣恩 ,  梁荣成 ,  权泰瑛 ,  曺海宗 ,  崔珉浩 ,  郑柱和

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/022425 ,  H01L31/022433 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/547

摘要： 太阳能电池。讨论了一种太阳能电池及其制造方法。该太阳能电池包括：第一导电类型的基板；与所述第一导电类型相反的第二导电类型的发射极层；连接至所述发射极层的多个第一电极；连接至所述多个第一电极的至少一个第一集电器；以及连接至所述基板的第二电极。所述发射极层和所述基板一起形成p-n结。所述多个第一电极中的每一个第一电极都具有多层结构，并且所述至少一个第一集电器具有单层结构。