公开(公告)号：CN100499018C

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN03137815.3

申请日：2003-05-21

申请人： 株式会社神户制钢所

发明人： 增田薰 ,  饭岛胜之 ,  吉川哲也 ,  D·W·彼得斯

IPC分类号： H01L21/00 ,  B08B3/00 ,  C11D7/50 ,  G03F7/42

CPC分类号： C11D7/3209 ,  B08B7/0021 ,  C11D7/32 ,  C11D7/5022 ,  C11D11/0047 ,  G03F7/422 ,  G03F7/425

摘要： 本发明提供一种从物体的微结构中清除残余物的方法，其包括下述步骤：制备包括二氧化碳、用于清除残余物的添加剂、在加压流体条件下将添加剂溶解在所说的二氧化碳中的共溶剂的清除剂，使物体和所说的清除剂接触以清除物体中残余物。本发明还提供一种用于从物体的微结构中清除残余物的组合物。

公开(公告)号：CN100485880C

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200510067629.9

申请日：2005-03-18

申请人： 气体产品与化学公司

发明人： D·C·塔博里 ,  G·班纳吉

IPC分类号： H01L21/306 ,  C11D11/00 ,  C11D7/26 ,  C11D7/32 ,  C11D3/33 ,  C11D3/20 ,  C11D3/30

CPC分类号： H01L21/02074 ,  C11D3/2086 ,  C11D3/26 ,  C11D3/33 ,  C11D7/265 ,  C11D7/32 ,  C11D7/3245 ,  C11D11/0047

摘要： 本文公开了一种后CMP清洗组合物和其使用方法。一方面，提供的组合物包括：水、有机碱和多种包含聚氨基多羧酸和羟基羧酸的螯合剂，其中组合物pH值从9.5到11.5变化。

公开(公告)号：CN101421386A

公开(公告)日：2009-04-29

申请号：CN200680046497.4

申请日：2006-10-12

申请人： 高级技术材料公司

发明人： 梅利莎·K·拉斯 ,  大卫·D·伯恩哈德 ,  托马斯·H·包姆 ,  江平 ,  周仁杰 ,  迈克尔·B·克赞斯基

IPC分类号： C11D7/50

CPC分类号： C11D3/26 ,  C09D9/04 ,  C11D3/30 ,  C11D3/3773 ,  C11D3/43 ,  C11D7/32 ,  C11D7/3209 ,  C11D11/0047 ,  C23G1/20 ,  G03F7/425 ,  G03F7/426 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/3212

摘要： 本发明公开了一种用于从其上具有光致抗蚀剂和/或牺牲性抗反射涂层(SARC)材料的微电子器件上去除所述材料的液体去除组合物和方法。所述液体去除组合物包括至少一种有机季碱和至少一种表面相互作用增强添加剂。在制造集成电路时，所述组合物实现至少部分去除光致抗蚀剂和/或SARC材料，同时对微电子器件上的金属材料如铜和钴的蚀刻最小化，且不会损害微电子器件结构中所用的低k介电材料。

公开(公告)号：CN1875325A

公开(公告)日：2006-12-06

申请号：CN200480032175.5

申请日：2004-10-20

申请人： 马林克罗特贝克公司

发明人： 戴维·C·斯基

IPC分类号： G03F7/42 ,  C11D11/00 ,  C11D7/08 ,  C11D7/10

CPC分类号： G03F7/425 ,  C09K13/02 ,  C09K13/08 ,  C11D3/0073 ,  C11D7/02 ,  C11D7/06 ,  C11D7/08 ,  C11D7/10 ,  C11D7/32 ,  C11D7/3209 ,  C11D11/0047 ,  C23G1/16

摘要： 本发明提供了用于微电子产业剥离或清洁半导体晶片基板的碱性组合物，其除去光致抗蚀剂残余物和其它不必要杂质。该组合物包含：(a)一种或多种碱和(b)一种或多种具有以下通式的防止金属腐蚀的金属卤化物：WzMXy，其中M是选自Si、Ge、Sn、Pt、P、B、Au、Ir、Os、Cr、Ti、Zr、Rh、Ru和Sb的金属；X是选自F、CI、Br和I的卤素；W选自H、碱金属或碱土金属，和不含金属离子的氢氧化物碱部分；y是数4－6，取决于金属卤化物；z是数1、2或3。

公开(公告)号：CN1706925A

公开(公告)日：2005-12-14

申请号：CN200510075587.3

申请日：2005-06-06

申请人： 索尼株式会社 ,  株式会社东芝 ,  关东化学株式会社

发明人： 村松真文 ,  浅田和己 ,  萩野友纪乃 ,  奥山敦 ,  中岛崇人 ,  高濑和彦 ,  鱼住宜弘 ,  松村刚 ,  大和田拓央 ,  石川典夫

IPC分类号： C11D3/24 ,  H01L21/302 ,  G03F7/42

CPC分类号： C11D11/0047 ,  C11D3/042 ,  C11D3/046 ,  C11D3/2075 ,  C11D3/2082 ,  C11D3/2086 ,  C11D3/245 ,  C11D7/08 ,  C11D7/10 ,  C11D7/265 ,  C11D7/32 ,  C23G1/24 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/76811

摘要： 本发明提供一种不使蚀刻形状变化而可以除去在绝缘膜的干蚀刻时在蚀刻壁面产生的残渣(特别是聚合物残渣)的洗涤液组合物。该洗涤液组合物用于绝缘膜的图案蚀刻的后处理洗涤，含有至少一种氟化合物、乙醛酸、至少一种有机酸盐及水。氟化合物使用氟化铵。有机酸盐使用草酸铵、酒石酸铵、柠檬酸铵、以及乙酸铵中的至少一种。

公开(公告)号：CN1705735A

公开(公告)日：2005-12-07

申请号：CN200380101371.9

申请日：2003-10-08

申请人： 阿科尼亚有限公司

发明人： R·M·克恩 ,  S·瑞驰瓦根

IPC分类号： C11D3/00 ,  C11D7/26 ,  C11D7/06 ,  C11D7/32 ,  C11D3/48 ,  A61L2/18

CPC分类号： A61L2/186 ,  A01N59/00 ,  A61L9/14 ,  C02F1/722 ,  C02F2103/42 ,  C02F2303/04 ,  C11D3/48 ,  C11D7/06 ,  C11D7/265 ,  C11D7/32 ,  Y02W10/37 ,  A01N59/26 ,  A01N37/44 ,  A01N37/40 ,  A01N37/10 ,  A01N37/06 ,  A01N37/04 ,  A01N37/02 ,  A01N2300/00

摘要： 本发明涉及一种组合物，其包含0.1至40重量％至少一种抗氧化的、至少单不饱和的、取代的或未取代的有机酸；0.1至40重量％至少一种抗氧化的、饱和的、取代的或未取代的有机酸；最高达30重量％的过氧化氢和/或至少一种无机和/或有机过氧化的化合物和最高达2重量％的抗氧化的络合剂。所述的组合物是一种有效的、可广泛使用的消毒剂、灭菌剂和药物，其突出之处在于好的储存稳定性。

公开(公告)号：CN1555409A

公开(公告)日：2004-12-15

申请号：CN02818145.X

申请日：2002-08-20

申请人： 高级技术材料公司

发明人： 威廉·A·沃伊特恰克 ,  法蒂玛·玛·塞约 ,  托马斯·J·克洛芬斯戴恩 ,  达尼埃尔·N·法恩

IPC分类号： C11D3/30 ,  B08B3/08 ,  H01L21/3105

CPC分类号： H01L21/02071 ,  C11D7/261 ,  C11D7/263 ,  C11D7/264 ,  C11D7/265 ,  C11D7/267 ,  C11D7/28 ,  C11D7/32 ,  C11D7/3281 ,  C11D7/34 ,  C11D7/5013 ,  C11D11/0047 ,  G03F7/422 ,  G03F7/425 ,  G03F7/426 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/31138

摘要： 本发明涉及一种用于等离子体灰化后半导体制造的半导体晶片清洁剂，所述制剂包括至少一种有机螯合剂和至少一种极性溶剂，其中螯合剂和极性溶剂的量足以从半导体晶片上有效地除去无机化合物残余物。优选地，螯合剂选自2，4－戊二酮、丙二酸、草酸、对甲苯磺酸和三氟乙酸；和极性溶剂选自水、乙二醇、N－甲基吡咯烷酮(NMP)、γ－丁内酯(BLO)、环己基吡咯烷酮(CHP)、环丁砜、1，4－丁二醇和丁基卡必醇。

公开(公告)号：CN1495535A

公开(公告)日：2004-05-12

申请号：CN03156579.4

申请日：2003-09-09

申请人： 东京应化工业株式会社

发明人： 横井滋 ,  肋屋和正

IPC分类号： G03F7/42

CPC分类号： H01L21/31144 ,  C11D7/32 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/76807

摘要： 本发明公开了一种洗涤液，所述洗涤液，是在形成双金属镶嵌结构的过程中，蚀刻层合在具有金属层的基板上的低电介质层(low－k层)，形成第1蚀刻空间，在所述第1蚀刻空间内填充保护层后，再部分地蚀刻低电介质层和保护层，形成连通所述第1蚀刻空间的第2蚀刻空间后，用于除去所述第1蚀刻空间内残存的保护层的洗涤液，所述洗涤液含有(a)1～25质量％的TMAH、胆碱等季铵氢氧化物、(b)30～70质量％的水溶性有机溶剂及(c)20～60质量％的水。本发明的洗涤液具有如下二方面效果，即在设置了金属层(Cu层等)和低电介质层的基板上形成金属配线的过程中，可以很好地除去用于形成双金属镶嵌结构的保护层，而且不造成低电介质层损坏。

公开(公告)号：CN105359257B

公开(公告)日：2018-03-06

申请号：CN201480033266.4

申请日：2014-06-12

申请人： 三菱瓦斯化学株式会社

发明人： 玉井聪 ,  夕部邦夫

IPC分类号： H01L21/304 ,  C11D7/06 ,  C11D7/26 ,  C11D7/32

CPC分类号： C11D7/06 ,  C11D7/26 ,  C11D7/32 ,  H01L21/02071 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

摘要： 本发明提供从由铟、镓、锌以及氧组成的氧化物(IGZO)的表面清洗和去除含铜附着物而不腐蚀IGZO半导体层、含铜布线的液体组合物，以及使用了该液体组合物的IGZO表面的清洗方法以及利用该清洗方法而清洗的基板。本发明中使用包含选自由羟基羧酸和二羧酸、或它们的盐组成的组中的一种以上且pH值为1.5～10的液体组合物。

公开(公告)号：CN107208005A

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201680005695.X

申请日：2016-01-12

申请人： 嘉柏微电子材料股份公司

发明人： R.伊万诺夫 ,  F.洪 ,  柯政远 ,  F.孙

IPC分类号： C11D7/06 ,  C11D7/60 ,  C11D11/00 ,  H01L21/02

CPC分类号： C11D11/0047 ,  C11D3/0073 ,  C11D7/06 ,  C11D7/261 ,  C11D7/265 ,  C11D7/32 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/3218 ,  C11D7/3281 ,  C11D7/329 ,  C11D7/34 ,  H01L21/02074

摘要： 本发明提供用于在化学机械抛光之后从半导体晶片清洁污染物的组合物。该清洁组合物含有一种或多种氢氧化季铵、一种或多种有机胺、一种或多种金属抑制剂、以及水。本发明还提供使用该清洁组合物的方法。