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公开(公告)号:CN101356629B
公开(公告)日:2012-06-06
申请号:CN200680050730.6
申请日:2006-11-09
申请人: 高级技术材料公司
发明人: 帕梅拉·M·维辛廷 , 江平 , 迈克尔·B·克赞斯基 , 麦肯齐·金
IPC分类号: H01L21/302 , H01L21/461
CPC分类号: C09K13/08 , H01L21/02032 , H01L21/02079 , H01L21/31111 , H01L21/32134
摘要: 本发明公开了用于从废弃的微电子器件上除去低k介电材料、浸蚀终止材料和/或金属堆叠材料的去除组合物和方法。所述去除组合物包括氢氟酸。所述组合物实现从其上具有材料的微电子器件结构的表面上至少部分地除去所述材料,以再循环和/或重复使用所述结构,而不会损坏半导体结构中所用的底层多晶硅或裸硅层。
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公开(公告)号:CN101421386B
公开(公告)日:2011-08-10
申请号:CN200680046497.4
申请日:2006-10-12
申请人: 高级技术材料公司
IPC分类号: C11D7/50
CPC分类号: C11D3/26 , C09D9/04 , C11D3/30 , C11D3/3773 , C11D3/43 , C11D7/32 , C11D7/3209 , C11D11/0047 , C23G1/20 , G03F7/425 , G03F7/426 , H01L21/02063 , H01L21/3212
摘要: 本发明公开了一种用于从其上具有光致抗蚀剂和/或牺牲性抗反射涂层(SARC)材料的微电子器件上去除所述材料的液体去除组合物和方法。所述液体去除组合物包括至少一种有机季碱和至少一种表面相互作用增强添加剂。在制造集成电路时,所述组合物实现至少部分去除光致抗蚀剂和/或SARC材料,同时对微电子器件上的金属材料如铜和钴的蚀刻最小化,且不会损害微电子器件结构中所用的低k介电材料。
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公开(公告)号:CN101421386A
公开(公告)日:2009-04-29
申请号:CN200680046497.4
申请日:2006-10-12
申请人: 高级技术材料公司
IPC分类号: C11D7/50
CPC分类号: C11D3/26 , C09D9/04 , C11D3/30 , C11D3/3773 , C11D3/43 , C11D7/32 , C11D7/3209 , C11D11/0047 , C23G1/20 , G03F7/425 , G03F7/426 , H01L21/02063 , H01L21/3212
摘要: 本发明公开了一种用于从其上具有光致抗蚀剂和/或牺牲性抗反射涂层(SARC)材料的微电子器件上去除所述材料的液体去除组合物和方法。所述液体去除组合物包括至少一种有机季碱和至少一种表面相互作用增强添加剂。在制造集成电路时,所述组合物实现至少部分去除光致抗蚀剂和/或SARC材料,同时对微电子器件上的金属材料如铜和钴的蚀刻最小化,且不会损害微电子器件结构中所用的低k介电材料。
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公开(公告)号:CN103402659A
公开(公告)日:2013-11-20
申请号:CN201280011927.4
申请日:2012-12-13
申请人: 高级技术材料公司
发明人: 陈天牛 , 迈克尔·B·克赞斯基 , 江平
CPC分类号: B23K1/018 , B09B3/00 , B09B5/00 , B23K3/08 , B23K37/00 , C22B1/005 , C22B3/02 , C22B3/04 , C22B4/00 , C22B7/006 , C22B11/046 , C25C1/00 , H05K3/22 , H05K2203/178 , Y02P10/234 , Y02P70/613 , Y02W30/82 , Y02W30/821 , Y02W30/822
摘要: 本发明涉及用于循环利用印刷线路板的装置和方法,其中可以收集电子部件、贵金属和贱金属以供重新使用和循环利用。所述装置总的来说包括机械焊料去除模块和/或热模块、化学焊料去除模块和贵金属浸沥模块,其中所述模块连接在一起以使电子废弃物从模块到模块连续通过。
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公开(公告)号:CN103249849A
公开(公告)日:2013-08-14
申请号:CN201180049029.3
申请日:2011-08-19
申请人: 高级技术材料公司
发明人: 迈克尔·B·科赞斯基 , 江平 , 詹姆斯·诺曼 , 约翰·沃纳 , 劳拉·印加尔斯 , 蒂娜卡·格纳纳姆加里 , 弗雷德·斯特里科勒 , 泰德·缅达姆
CPC分类号: C22B11/046 , C22B1/005 , C22B3/0005 , C22B3/16 , C22B7/006 , C22B7/007 , C22B7/008 , C22B15/0006 , C22B15/0067 , C22B15/0069 , C22B15/0071 , C22B15/0073 , C22B15/0078 , Y02P10/214 , Y02P10/234 , Y02W30/54
摘要: 对从印刷线路板取出的电子组件进行回收利用的方法,通过所述方法,使用环境友好的组合物从所述电子组件提取贵金属和贱金属。使用本文中描述的方法和组合物,可以从所述电子组件提取至少金、银和铜离子,并将它们还原成其相应的金属。
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公开(公告)号:CN102217042A
公开(公告)日:2011-10-12
申请号:CN200980146332.8
申请日:2009-10-01
申请人: 高级技术材料公司
发明人: 迈克尔·B·科赞斯基 , 江平 , 查尔斯·贝奥 , 米克·贝耶罗帕弗里克
IPC分类号: H01L21/306 , H01L21/3063 , H01L21/301
CPC分类号: H01L21/31111 , C09K13/08 , C11D1/00 , C11D1/008 , C11D1/72 , C11D1/78 , C11D3/0026 , C11D3/042 , C11D3/2068 , C11D3/37 , C11D3/3707 , C11D11/0047 , C23F1/18 , H01L21/02032 , H01L21/32134
摘要: 本发明涉及用于将至少一个材料层从其上具有该材料层的不合格微电子器件结构移除的移除组合物及方法。该移除组合物包括氢氟酸。该组合物在不损坏待保留层的同时实现待移除材料的实质移除以回收、再加工、重复利用和/或再使用该结构。
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公开(公告)号:CN104532001A
公开(公告)日:2015-04-22
申请号:CN201410643978.X
申请日:2011-04-15
申请人: 高级技术材料公司
发明人: 安德里·布罗索 , 斯维特拉娜·格里戈连科 , 江平 , 迈克尔·科赞斯基
CPC分类号: H05K3/22 , C22B7/007 , C22B7/008 , C22B11/046 , C23F1/44 , C25C1/20 , H05K2203/176 , H05K2203/178 , Y02P10/214 , Y02P10/234 , Y02P20/582 , Y02P70/613 , Y02W30/54 , Y10T29/49815
摘要: 本发明涉及废弃印刷电路板的循环利用方法,具体地,公开了使用环境友好型组合物来循环利用印刷线路板的方法,其中电子组件、贵金属及贱金属可被收集以供再利用及循环利用。
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公开(公告)号:CN102939396B
公开(公告)日:2015-04-01
申请号:CN201180019159.2
申请日:2011-04-15
申请人: 高级技术材料公司
发明人: 安德里·布罗索 , 斯维特拉娜·格里戈连科 , 江平 , 迈克尔·科赞斯基
IPC分类号: B09B3/00
CPC分类号: H05K3/22 , C22B7/007 , C22B7/008 , C22B11/046 , C23F1/44 , C25C1/20 , H05K2203/176 , H05K2203/178 , Y02P10/214 , Y02P10/234 , Y02P20/582 , Y02P70/613 , Y02W30/54 , Y10T29/49815
摘要: 本发明公开了使用环境友好型组合物来循环利用印刷线路板的方法,其中电子组件、贵金属及贱金属可被收集以供再利用及循环利用。
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公开(公告)号:CN102939396A
公开(公告)日:2013-02-20
申请号:CN201180019159.2
申请日:2011-04-15
申请人: 高级技术材料公司
发明人: 安德里·布罗索 , 斯维特拉娜·格里戈连科 , 江平 , 迈克尔·科赞斯基
CPC分类号: H05K3/22 , C22B7/007 , C22B7/008 , C22B11/046 , C23F1/44 , C25C1/20 , H05K2203/176 , H05K2203/178 , Y02P10/214 , Y02P10/234 , Y02P20/582 , Y02P70/613 , Y02W30/54 , Y10T29/49815
摘要: 本发明公开了使用环境友好型组合物来循环利用印刷线路板的方法,其中电子组件、贵金属及贱金属可被收集以供再利用及循环利用。
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公开(公告)号:CN101681130A
公开(公告)日:2010-03-24
申请号:CN200880016177.3
申请日:2008-03-31
申请人: 高级技术材料公司
发明人: 江平 , 迈克尔·B·克赞斯基 , 大卫·W·明赛克
IPC分类号: G03F7/42 , C09K8/02 , H01L21/027
CPC分类号: H01L21/02079 , C11D1/004 , C11D1/29 , C11D3/042 , C11D3/046 , C11D3/3454 , C11D3/3947 , C11D11/0041 , C23F1/16 , G03F7/423 , H01L21/31111 , H01L21/31133 , H01L21/32134
摘要: 本发明是关于用于自其上具有至少一个材料层的不合格微电子装置结构除去该材料层的除去组合物及方法。该除去组合物包括氢氟酸。该组合物实现待除去的材料的实质除去,同时不会损坏待保留的层,以再生、再加工、再循环和/或再使用该结构。
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