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公开(公告)号：CN1841072A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200610077026.1
申请日：2003-03-25
申请人： 日立金属株式会社
CPC分类号： G01P2015/084
摘要： 本发明提供了一种具有很高灵敏度的超微半导体加速度传感器。该加速度传感器有：块状部分，该块状部分在硅半导体基体的中心部分；框架，该框架形成于基体的边缘部分上；薄弹性支承臂，该薄弹性支承臂在该块状部分和框架的顶表面上，并连接该块状部分和框架；以及应变仪，该应变仪由形成于弹性支承臂的顶表面上的多对压敏电阻器构成。在弹性支承臂顶表面上的一对Z轴方向应变仪之间的距离比一对X轴方向应变仪之间的距离长0.4L至1.2L，或者短1.0L至1.8L，从而使Z轴方向应变仪的输出与X轴方向应变仪的输出为相同水平。也可选择，由Z轴方向应变仪与X轴方向所形成的角度为10至30度或65至90度，因此，Z轴方向应变仪的输出与X轴方向应变仪的输出为相同水平。
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公开(公告)号：CN1273836C
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN03103820.4
申请日：2003-02-12
申请人： 日立金属株式会社
发明人： 齋藤正勝
CPC分类号： G01P15/18 , G01P15/123 , G01P2015/084
摘要： 提供一种微型的和薄的具有高灵敏度的半导体加速度传感器。该加速度传感器有一个在硅半导体基片的中央部分形成质量部，一个在该基片的周围部分形成的边框，设在质量部和边框的上部的弹性支撑臂，以及一组配置于弹性支撑臂的顶面侧的压电电阻对。质量部和厚边框的至少一方具有从各自的顶面向各自的底面扩展宽度的垂直于各自的顶面的横截面。由于在弹性支撑臂分别连接处的质量部的侧长度和/或边框的宽度变短，所以弹性支撑臂加长，借此传感器的灵敏度提高。
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公开(公告)号：CN1223825C
公开(公告)日：2005-10-19
申请号：CN02122165.0
申请日：2002-05-31
申请人： 惠普公司
IPC分类号： G01B7/004
CPC分类号： G01P15/125 , G01P15/18 , G01P2015/082 , G01P2015/084
摘要： 本发明公开了一种用来检测半导体晶片结构的三维移动的微机电系统(MEMS)移动传感器(10)。MEMS器件(10)具有上(30)、中(40)、下(20)层，和一通过屈曲部分(56)附连在该中层(40)上的动子(50)，屈曲部分允许该动子(50)相对于这些层(20，30，40)作三维移动。该动子(50)具有动子电极(70，72)，这些动子电极与安置在邻近层(20，30)上的相反电极(80，82)一起产生一电容。当该动子(50)移动时该电容就发生变化。一电容检测器(90)接收来自该电极(70，72，80，82)的信号，并根据该电容的变化来检测该动子(50)的移动。该MEMS器件(10)处理该检测到的电容以便测定该动子(50)的移动特性。
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公开(公告)号：CN1677705A
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN200410078054.6
申请日：2004-09-20
申请人： 株式会社东芝
发明人： 松尾美惠
CPC分类号： B81C1/0023 , B81C1/00095 , G01L9/0019 , G01P15/0802 , G01P15/0922 , G01P15/18 , G01P2015/084 , H01L21/76898 , H01L37/02 , H01L41/1132 , H01L41/316 , H01L41/332 , H01L2224/16225 , H03H3/02 , H03H9/105 , H03H9/174
摘要： 一种电子元件，包括半导体衬底，具有第一表面和与第一表面相反的第二表面，腔，从半导体衬底的第一表面穿透到第二表面，以及机电组件，具有可动部分，在半导体衬底的第一表面上形成机电组件以便将可动部分设置在腔上。该电子元件还包括导电塞，从半导体衬底的第一表面穿透到第二表面，并电连接到机电组件。
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公开(公告)号：CN1677068A
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN200510063778.8
申请日：2005-04-01
申请人： 富士通媒体部品株式会社 , 富士通株式会社
CPC分类号： G01P15/123 , G01P15/18 , G01P21/00 , G01P2015/084
摘要： 本发明提供用于具有多轴传感器的力传感器装置的应力检测方法和采用此方法的力传感器装置，所述力传感器装置的安装角度是任意的。该应力检测方法包括：检测轴相互正交的第一和第二力传感器。当第一力传感器的检测轴与被检测应力Ax的方向形成角度θ，并且在与被检测应力Ax的方向相垂直的方向上的应力分量是Az时，求得第一力传感器的轴方向的输出Apx为Apx＝αx(Ax×cosθ+Az×sinθ)，并且求得第二力传感器的轴方向的输出Apz为Apz＝αz(Ax×sinθ+Az×cosθ)，以及当αx和αz分别是第一力传感器和第二力传感器的检测灵敏度系数时，将第二力传感器的检测灵敏度系数αz设置为αz＝αxtanθ，求得被检测应力Ax为Ax＝(Apx－Apz)/αx(cosθ－tanθ×sinθ)。
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公开(公告)号：CN1573336A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410045715.5
申请日：2004-05-21
申请人： 精工电子有限公司
IPC分类号： G01P15/125 , H01L29/84
CPC分类号： G01P15/0802 , G01P15/125 , G01P2015/084
摘要： 提供了一种电容型动态量传感器，其能减小检测灵敏度的变化，没有其电极脱落或断开，并且在可靠性上极佳；并提供了其制造方法。在所述电容型动态量传感器中，其中要形成振荡器的半导体基片从其前后侧以高精度被加工以限定振荡器与电极待被叠放于其每个上的平的上部玻璃基片和下部玻璃基片之间的微小间距，由此减小检测灵敏度的变化并抑制其电极脱落和断开。
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公开(公告)号：CN1438487A
公开(公告)日：2003-08-27
申请号：CN03103820.4
申请日：2003-02-12
申请人： 日立金属株式会社
发明人： 齋藤正勝
CPC分类号： G01P15/18 , G01P15/123 , G01P2015/084
摘要： 提供一种微型的和薄的具有高灵敏度的半导体加速度传感器。该加速度传感器有一个在硅半导体基片的中央部分形成质量部，一个在该基片的周围部分形成的边框，设在质量部和边框的上部的弹性支撑臂，以及一组配置于弹性支撑臂的顶面侧的压电电阻对。质量部和厚边框的至少一方具有从各自的顶面向各自的底面扩展宽度的垂直于各自的顶面的横截面。由于在弹性支撑臂分别连接处的质量部的侧长度和/或边框的宽度变短，所以弹性支撑臂加长，借此传感器的灵敏度提高。
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公开(公告)号：CN1437456A
公开(公告)日：2003-08-20
申请号：CN01811578.0
申请日：2001-02-21
申请人： 梅迪特龙股份有限公司
发明人： 比格尔·奥腾
CPC分类号： G10K11/24 , A61B7/04 , A61B8/488 , A61B2562/0204 , B06B1/0688 , G01H11/08 , G01P2015/084 , G10K11/004 , G10K11/22
摘要： 在一种用于发射和拾取机械振动的换能器中，中心物体(4)悬挂在外围框架(2)上的压电弹性悬挂结构(3)上。该悬挂结构(3)被分隔成扇区，并且具有用于每个对应扇区(5)的独立的信号导线，从而可以由不同的扇区(5)同时传输和接收振动。此外，中心物体(4)可以配备有其自身的压电元件。
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公开(公告)号：CN1409118A
公开(公告)日：2003-04-09
申请号：CN02143502.2
申请日：2002-09-26
申请人： 日立金属株式会社
IPC分类号： G01P15/12
CPC分类号： G01P15/18 , B81B3/0078 , B81B2201/0235 , B81B2203/0109 , B81B2203/053 , B81B2203/058 , G01P15/0802 , G01P15/123 , G01P2015/084 , G01P2015/0842
摘要： 本发明提供了一种超小型和薄的半导体加速度传感器，具有高的灵敏度。加速度传感器具有一质量部分形成在硅半导体衬底的中心部分，一框架形成衬底的周边部分，薄的弹性支撑臂，位于质量部分和框架的上部并连接质量部分和框架，许多对压敏电阻分布在弹性支撑臂的上表面侧。在质量部分中形成了许多凹进部分，它们从它的边缘向它的中心凹进。每个弹性支撑臂在每个凹进部分的底部与质量部分的上表面连接，弹性支撑臂的各侧与凹进部分的各侧隔离。由于质量部分的体积和弹性支撑臂的长度能够独立地做大，灵敏度能够做得更大。
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公开(公告)号：CN1389704A
公开(公告)日：2003-01-08
申请号：CN02122165.0
申请日：2002-05-31
申请人： 惠普公司
IPC分类号： G01B7/004
CPC分类号： G01P15/125 , G01P15/18 , G01P2015/082 , G01P2015/084
摘要： 本发明公开了一种用来检测半导体晶片结构的三维移动的微机电系统(MEMS)移动传感器(10)。MEMS器件(10)具有上(30)、中(40)、下(20)层,和一通过屈曲部分(56)附连在该中层(40)上的动子(50),屈曲部分允许该动子(50)相对于这些层(20,30,40)作三维移动。该动子(50)具有动子电极(70,72),这些动子电极与安置在邻近层(20,30)上的相反电极(80,82)一起产生一电容。当该动子(50)移动时该电容就发生变化。一电容检测器(90)接收来自该电极(70,72,80,82)的信号,并根据该电容的变化来检测该动子(50)的移动。该MEMS器件(10)处理该检测到的电容以便测定该动子(50)的移动特性。
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