一种高效率平面钙钛矿太阳能电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN107799654A

    公开(公告)日:2018-03-13

    申请号:CN201710831998.3

    申请日:2017-09-15

    IPC分类号: H01L51/46 H01L51/42 H01L51/48

    摘要: 本发明涉及一种高效率平面钙钛矿太阳能电池,所述高效率平面钙钛矿太阳能电池包括透明导电衬底、电子传导层、钙钛矿层、空穴传导层和金属电极;所述电子传导层为低温工艺溶液法制备的镓掺杂的二氧化钛致密层。本发明还涉及上述高效率平面钙钛矿太阳能电池的制备方法,通过在水解四氯化钛制备二氧化钛致密层的过程中加入硝酸镓以及低温热处理,得到镓掺杂的二氧化钛致密层,并用该镓掺杂的二氧化钛致密层组装钙钛矿太阳能电池。本发明所述的平面钙钛矿太阳能电池采用低温工艺溶液法制备的镓掺杂的二氧化钛致密层作为电子传导层,通过镓掺杂来促进二氧化钛电子传导层对光生电子的收集与传导,其具有光电转换效率高、电池效率高、容易制备的优点。

    一种一维位置传感器及其制造方法

    公开(公告)号:CN107195780A

    公开(公告)日:2017-09-22

    申请号:CN201710410014.4

    申请日:2017-06-03

    摘要: 本发明公开了一种一维位置传感器,包括透明衬底、第一电极层、第一有机层和第二电极层组成;所述的第一有机层截面形状为直角梯形,设置在透明导电衬底之上;所述的第一有机层左侧边缘厚度h1的取值范围为50‑100 nm,右侧边缘厚度h2的取值范围为20‑50 nm,且h1与h2满足关系h1‑h2≥20 nm;所述的第一有机层厚度从左至右匀速下降;所述的第二电极层截面形状为直角梯形,设置在第一有机层之上;所述的第一电极层左侧边缘厚度h3的取值范围为100‑1000 nm,右侧边缘厚度h4的取值按h4=h1+h3‑h2计算获得;所述的第二电极层厚度从左至右匀速上升。本发明同时公开了这种位置传感器的制造方法。