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公开(公告)号：CN101936915B
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201010242053.6
申请日：2010-07-30
申请人： 哈尔滨工业大学(威海)
IPC分类号： G01N21/88
摘要： 本发明涉及一种啤酒瓶瓶底中心区域的污物检测方法，其包括如下步骤：对获取的瓶底图片的中心圆区域进行定位，用模板处理定位后的区域，然后求模板处理后的连通域，计算每个连通域的面积，判断面积的大小并和阈值相比较来确定是干扰还是可能存在污物，对去除干扰后的图像求能用最小的矩形框住相同标号的连通区域的矩形的长和宽，并比较长和宽的比值，如果比值大于一定值或小于一定值则为线性污物，否则计算矩形的面积，如果大于某个阈值则为污物，否则为干扰，本发明提供的检测方法具有速度快精度高的特点，适用于国内现有的啤酒瓶检测装置中。
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公开(公告)号：CN102163243B
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201010615818.6
申请日：2010-12-30
申请人： 哈尔滨工业大学
IPC分类号： G06F17/50
摘要： 含I型中心裂纹对接接头实现等承载的对接接头设计方法，属于焊接技术领域，解决了含I型中心裂纹对接接头承载能力低于母材的问题。对于焊缝含I型中心裂纹同时母材也存在裂纹的对接接头，主要步骤为：计算接头断裂韧度匹配比、求得母材区的应力强度因子、确定满足母材与焊缝区都存在裂纹时的等承载的焊缝区的应力强度因子、求出含I型中心裂纹对接接头的K因子公式、获得所需的焊缝几何参数值。对于焊缝含中心裂纹而母材无缺陷的对接接头，主要步骤为：测量母材金属的抗拉强度以及焊缝熔敷金属的断裂韧度、求出含I型中心裂纹对接接头的K因子公式、确定等承载的接头几何参数满足的条件、获得所需的焊缝几何参数值。本发明适用于双面施焊的平板对接接头。
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公开(公告)号：CN102554787A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210013695.8
申请日：2012-01-17
申请人： 哈尔滨工业大学
IPC分类号： B24B53/075 , B24B41/06
CPC分类号： Y02P70/177
摘要： 抛光砖用金刚石磨块修整装置，它涉及一种金刚石磨块修整装置。本发明为解决现有的金刚石磨块修整方法存在修整效率低、修整后的磨块直线度差的问题。第一丝杠导轨工作台的导轨与第二丝杠导轨工作台的导轨呈T字形设置，所述第一大皮带轮固套在第一传动轴的一端上，所述第一传动轴的一端上固装有第一电极，所述第一小皮带轮通过第一同步带与第一大皮带轮传动连接，所述第一磨块夹具固套在第一传动轴的中部；所述第二传动轴的一端上固装有第二电极，所述第二小皮带轮通过第二同步带与第二大皮带轮传动连接，所述第二磨块夹具固套在第二传动轴的中部；第一磨块夹具和第二磨块夹具上沿圆周方向均布加工有多个凹槽。本发明用于修整金刚石磨块。
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公开(公告)号：CN102091893A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201010615842.X
申请日：2010-12-30
申请人： 哈尔滨工业大学
IPC分类号： B23K37/00
摘要： 可使焊接接头按母材承载能力承载的设计方法，它涉及一种焊缝形状设计方法，解决了焊接接头的承载能力低于母材的问题。对于母材和焊缝都出现裂纹的情况，通过焊缝形状设计使焊缝与母材的K因子比值与接头的断裂韧度匹配比相等实现等承载；对于母材无缺陷而焊缝出现裂纹的情况，通过焊缝形状设计使焊缝中裂纹发生失稳扩展的临界应力与母材的抗拉强度相等实现等承载；对于母材中出现裂纹而焊缝中无缺陷的情况，通过焊缝形状设计使母材中裂纹发生失稳扩展的临界应力与焊缝中的峰值应力相等并且不高于焊缝熔敷金属的抗拉强度实现等承载；对于母材和焊缝都不存在缺陷的情况，通过焊缝形状设计使焊缝中的峰值应力和母材平均应力的比值与接头的抗拉强度匹配比相等实现等承载。适用于任何形式的焊接接头。
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公开(公告)号：CN101936915A
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN201010242053.6
申请日：2010-07-30
申请人： 哈尔滨工业大学(威海)
IPC分类号： G01N21/88
摘要： 本发明涉及一种啤酒瓶瓶底中心区域的污物检测方法，其包括如下步骤：对获取的瓶底图片的中心圆区域进行定位，用模板处理定位后的区域，然后求模板处理后的连通域，计算每个连通域的面积，判断面积的大小并和阈值相比较来确定是干扰还是可能存在污物，对去除干扰后的图像求能用最小的矩形框住相同标号的连通区域的矩形的长和宽，并比较长和宽的比值，如果比值大于一定值或小于一定值则为线性污物，否则计算矩形的面积，如果大于某个阈值则为污物，否则为干扰，本发明提供的检测方法具有速度快精度高的特点，适用于国内现有的啤酒瓶检测装置中。
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公开(公告)号：CN101670556B
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN200910308691.0
申请日：2009-10-23
申请人： 哈尔滨工业大学
摘要： 胶体液流动压空化射流抛光装置及方法，它涉及一种抛光装置及方法。本发明为解决现有超光滑表面抛光方法加工效率低、成本高、工件材料适应性受限以及现有的超光滑表面抛光装置存在设备复杂、维护成本高的问题。装置：空化射流器固定在支架上，空化射流器的输入端通过管路与第一液流换向阀的出口连接。方法：一、胶体抛光液面淹没被抛光工件10～200mm；二、空化射流器的油压为0.5～15MPa；三、空化射流压力为0.5～15MPa；四、空化射流器的喷口设置在胶体抛光液中，空化射流器以15～250m/s的速度喷向工件，抛光后取出工件即为抛光工件。本发明用于光学玻璃、微晶玻璃、半导体材料及单晶材料的超精密、超光滑抛光。
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公开(公告)号：CN101670556A
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：CN200910308691.0
申请日：2009-10-23
申请人： 哈尔滨工业大学
摘要： 胶体液流动压空化射流抛光装置及方法，它涉及一种抛光装置及方法。本发明为解决现有超光滑表面抛光方法加工效率低、成本高、工件材料适应性受限以及现有的超光滑表面抛光装置存在设备复杂、维护成本高的问题。装置：空化射流器固定在支架上，空化射流器的输入端通过管路与第一液流换向阀的出口连接。方法：一、胶体抛光液面淹没被抛光工件10～200mm；二、空化射流器的油压为0.5～15MPa；三、空化射流压力为0.5～15MPa；四、空化射流器的喷口设置在胶体抛光液中，空化射流器以15～250m/s的速度喷向工件，抛光后取出工件即为抛光工件。本发明用于光学玻璃、微晶玻璃、半导体材料及单晶材料的超精密、超光滑抛光。
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公开(公告)号：CN101487897A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200910071453.2
申请日：2009-02-27
申请人： 哈尔滨工业大学
摘要： ICCD增益正弦波调制无扫描速度成像器，属于光电成像领域。本发明的目的是解决目前基于多普勒频移逐点扫描获取目标速度像的测速装置误差大的问题。本发明的半导体激光器发射出的激光光束经发射光学整形系统整形后照射到目标上，经目标反射后的激光光束被接收光学系统接收、汇聚至ICCD面阵探测器形成回波信号，正弦波函数发生器发出的激光经高压调制电源与ICCD面阵探测器相连形成ICCD调制信号，ICCD调制信号与回波信号进行混频后，并由控制处理器进行傅立叶变换处理，获得目标的速度像。本发明应用于光电成像领域获取目标的速度像。
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公开(公告)号：CN101487896A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200910071428.4
申请日：2009-02-23
申请人： 哈尔滨工业大学
IPC分类号： G01S17/89
摘要： 指数增益调制距离成像器，它涉及光电成像领域。本发明解决了现有获取高速运动目标的距离像的装置瞬时功率低、需要长时间曝光导致对高速运动目标距离获取能力低的问题。指数增益调制距离成像器，脉冲激光器输出的光束经第一分光片分成第一反射光和第一透射光，第一反射光入射至光电探测器的感光端，第一透射光经发射光学整形系统、接收光学系统后由第二分光片分成两束并分别入射至第一ICCD成像仪和第二ICCD成像仪的光输入端。高压调制电源的调制信号输出端与第一ICCD成像仪的微通道板连接，高压直流电源的电流信号输出端与第二ICCD成像仪的微通道板连接。本发明可用于远距离主动遥感技术、目标识别技术、机器人视觉技术等领域。
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公开(公告)号：CN101310922A
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200810064046.4
申请日：2008-02-29
申请人： 哈尔滨工业大学
摘要： 磷酸二氢钾晶体潮解抛光方法，它涉及晶体的抛光方法。它解决了现有超精密加工方法加工KDP晶体时晶体表面会产生小尺度波纹和粒子嵌入、晶体表面难以清洗以及加工效率低、成本高的问题。本发明方法为：一、采用KDP晶体抛光装置；二、采用现有切削技术对KDP晶体(4)坯料的待抛光面进行预处理；三、对载样盘(5)纵向施加一定压力；四、使潮解抛光液或水蒸气潮解经步骤二预处理后的KDP晶体表面；五、启动载样盘(5)的控制开关和抛光盘(3)的控制开关，对经步骤二预处理后的KDP晶体的表面进行潮解抛光。本发明的方法新颖、独特、简单、加工效率高、成本低，加工的KDP晶体表面无小尺度波纹，无粒子嵌入，容易清洗，表面粗糙度达到1～8nm。
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