一种芯片生产线的镍废水处理方法

    公开(公告)号:CN105293608A

    公开(公告)日:2016-02-03

    申请号:CN201510869340.2

    申请日:2015-12-02

    IPC分类号: C02F1/04

    摘要: 本发明公开了一种芯片生产线的镍废水处理方法,属于芯片生产废水处理技术领域。所述废水处理方法包括废水收集、废水蒸发、废气处理和固体废渣处理;所述废水蒸发是在蒸发室内通入高温气体进行加热蒸发,蒸发时间为12~16h,蒸发温度为180~220℃。本发明通过物理蒸发方法将废水进行分离后,分别处理,具有方法简单、处理效果高、不使用化学试剂,对环境友好的优点。

    一种晶圆裂片装置
    23.
    发明授权

    公开(公告)号:CN118692971B

    公开(公告)日:2024-10-29

    申请号:CN202411188176.4

    申请日:2024-08-28

    摘要: 一种晶圆裂片装置,涉及半导体加工领域,包括:工作台,顶面设有一端设有开口的凹部,凹部中设有通孔;承载机构,包括转动安装于通孔中并竖直移动的承载座,用于承载覆膜的晶圆;裂片机构包括设于凹部上方并竖直移动的升降架,升降架上设有压杆;升降架中心设有绕通孔轴线转动的连接架,连接架底部设有滚压轮,用于使晶圆裂开;上料机构,包括设于凹部开口侧并绕自身轴线间歇转动的转动架,转动架上沿其轴线方向设有多个承载部,用于承载覆膜的晶圆,转动架与工作台之间设有推板,用于推送覆膜的晶圆;限位机构包括设于凹部的开口处并竖直移动的挡板,用于对覆膜的晶圆侧边限位。能够自动对晶圆进行裂片处理,在提高效率的同时保证晶圆完全裂开。

    一种晶圆片清洗组件、清洗装置及清洗方法

    公开(公告)号:CN114769200B

    公开(公告)日:2024-09-13

    申请号:CN202210445227.1

    申请日:2022-04-26

    IPC分类号: B08B3/02 B08B13/00 H01L21/67

    摘要: 本发明公开了一种晶圆片清洗组件、清洗装置及清洗方法,清洗组件用于清洗晶圆片,包括清洗池、清洗槽、多个水喷头。清洗槽左右两端连接于清洗池内壁,清洗槽底部悬空,且底部开口设置;水喷头形状为圆盘状,连接有水管,水喷头两面均设有喷水孔,清洗槽内间隔设有喷头卡槽、晶圆片卡槽,多个水喷头依次排列于喷头卡槽内;若干晶圆片依次排列于晶圆片卡槽内。将浸泡式清洗改成喷洒式清洗,可以清洗每一个晶圆片,并且便于污水快速流走,可以极大的提高晶圆片的清洗效果和清洗效率。

    一种大电流瞬态抑制组合器件及其成型方法

    公开(公告)号:CN118507482A

    公开(公告)日:2024-08-16

    申请号:CN202410963002.4

    申请日:2024-07-18

    IPC分类号: H01L27/02 H01L21/822

    摘要: 一种大电流瞬态抑制组合器件及其成型方法,涉及半导体器件领域,器件包括:顶面设有N‑外延层的P++半导体衬底;多个第一P++隔离阱;D1二极管;多个互相串联的D3二极管;D2二极管和/或D4二极管;方法包括步骤:准备P++半导体衬底;在P++半导体衬底表面形成N‑外延层后进行下一步,或在P++半导体衬底表面形成N‑外延层后,在N‑外延层注入N型离子形成N++埋层,再在两个第一P++隔离阱之间注入N型离子形成多个N++阱,然后再进行下一步;对N‑外延层注入P型离子形成第一P++隔离阱;在第一P++隔离阱之间注入N型离子形成多个N+区;在部分第一P++隔离阱之间注入P型离子形成多个P+区;用导线连接各部件。实现正向导通开启电压的叠加,更易控制钳位电压。

    一种晶圆沟槽腐蚀装置
    27.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116344411A

    公开(公告)日:2023-06-27

    申请号:CN202310603769.1

    申请日:2023-05-26

    IPC分类号: H01L21/67

    摘要: 本发明公开一种晶圆沟槽腐蚀装置,涉及半导体器件生产技术领域,包括:工作台、转移机构、晶圆架、吹气机构。工作台上依次设有腐蚀池、收集池和清洗池;转移机构包括沿工作台长度方向移动的横杆,横杆上设有两个对称布置且相向移动的夹持模块,夹持模块包括两个对称布置的夹杆,夹杆沿竖直和横杆的宽度方向移动,用于夹持晶圆架;晶圆架有多个,分布于腐蚀池、收集池和清洗池内,晶圆架上设有承载框,用于承载晶圆;吹气机构设于收集池内,包括穿设于收集池中的传动轴,传动轴上设有两个转杆,转杆上设有多个吹气口,用于向晶圆架吹气。将从腐蚀池取出的晶圆携带的蚀刻液收集回腐蚀池,减少浪费,在清洗之前减少蚀刻液的残留,减少废液的产生。

    一种晶圆存放框
    28.
    发明授权

    公开(公告)号:CN115910874B

    公开(公告)日:2023-05-23

    申请号:CN202310222346.5

    申请日:2023-03-09

    IPC分类号: H01L21/673 H01L21/687

    摘要: 本发明提供一种晶圆存放框,属于半导体硅晶圆生产辅助器具技术领域,晶圆存放框包括:一对相互平行的侧板,且侧板的内壁开设有成对设置的条形槽,两块侧板之间的下方设有支撑板。支撑板的后端转动连接于两块侧板的一端,转动的轴线垂直于侧板,支撑板前端的两侧设有垂直于侧板的连接轴,支撑板两侧的连接轴上均滑动设有卡块,通过卡块抵接于侧板的内壁,以使支撑板固定。存放框不仅方便晶圆的装取,而且能有效防止晶圆掉落。

    一种晶圆承载框及晶圆分片装置

    公开(公告)号:CN115881596B

    公开(公告)日:2023-05-05

    申请号:CN202310218119.5

    申请日:2023-03-08

    摘要: 本发明提供一种晶圆承载框及晶圆分片装置,属于处理半导体的设备领域,晶圆承载框,包括:从上至下呈间隔设置且相互平行的限位框、筛板及承载板。限位框呈矩形框架结构,其内部用于放置烧结后呈柱体状态的晶圆。筛板阵列开设有多个条形孔,用于穿过分片之后的单片晶圆,筛板与限位框之间的间距小于或等于晶圆的半径。承载板的顶面对应条形孔下方同一截面的两侧均开设有弧形槽,且同一截面的两个弧形槽的相交处连通,且相交处与条形孔底边之间的间距大于晶圆的直径。晶圆分片装置,包括浸泡池及晶圆承载框。本发明可提高分片效率,且便于观察分片进度,能有效节省及简化操作流程。

    一种晶圆自动甩干装置
    30.
    发明授权

    公开(公告)号:CN115355680B

    公开(公告)日:2023-01-03

    申请号:CN202211277437.0

    申请日:2022-10-19

    摘要: 一种晶圆自动甩干装置,包括:工作台、承载机构、转移机构、移动机构。工作台中心设有罐体;承载机构包括可转动地设于罐体内的转动座,转动座上设有多个承载单元,承载单元包括沿转动座半径移动的承载座,用于承载晶圆框;转移机构设于工作台上方,包括沿竖直方向移动的支撑板,支撑板上设有两个对称布置且同步径向移动和转动的夹持部;移动机构设于罐体周侧并安装于工作台的底面,包括多个沿圆周方向间隔均匀布置的移动单元,移动单元包括两个对称布置的转动杆,且转动杆沿其轴线方向移动的同时绕自身轴线转动,用于移动承载座。能够自动对晶圆框进行转移,并在甩干过程中对其进行限位,在提高转移效率的同时,又减轻劳动强度。