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公开(公告)号：CN116891747A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310350701.7
申请日：2023-04-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C09K13/00 , C23F1/20 , C23F1/26 , C23F1/30 , C23F1/36 , C23F1/38 , C23F1/40 , C23F1/02 , H01L21/3213 , C09K13/06
Abstract: 提供蚀刻组合物、通过使用其蚀刻含有金属的膜的方法、和通过使用其制造半导体器件的方法，所述蚀刻组合物包括氧化剂、铵盐、含水溶剂、和加速剂。所述铵盐包括铵阳离子和有机阴离子，和所述加速剂包括由式1‑1表示的化合物、由式1‑2表示的化合物、由式1‑3表示的化合物、由式1‑4表示的化合物、由式1‑5表示的化合物、由式1‑6表示的化合物、或其任意组合，其中，在式1‑1至1‑6中，Ar1、X1至X3、Y1、T1、T1a、R2、Z1、a1和A1各自如说明书中所定义的。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN116472772A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202180072194.4
申请日：2021-10-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04W72/12
Abstract: 根据多种实施例，一种电子装置包括：至少一个处理器；以及RF电路，被配置为处理与耦合到所述至少一个处理器的第一SIM相关联的数据分组以及与耦合到所述至少一个处理器的第二SIM相关联的数据分组，其中所述至少一个处理器可以被配置为：建立对应于第一SIM的第一PDU会话；建立对应于第二SIM的第二PDU会话；基于第一PDU会话的网络切片类型是特定的第一类型，预先存储第一PDU会话的第一信息；以及基于对处理与对应于所存储的第一信息的第一SIM相关联的第一数据分组的请求，通过使用RF电路来处理与第一SIM相关联的第一数据分组，同时延迟与第二SIM相关联的操作的执行。
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公开(公告)号：CN110885685B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN201910825559.0
申请日：2019-09-03
IPC: C09K13/08 , C09K13/00 , H01L21/306 , H01L21/28
Abstract: 提供了一种蚀刻组合物和一种使用该蚀刻组合物制造半导体器件的方法。根据实施例，所述蚀刻组合物可以包括：大约15重量％至大约75重量％的过乙酸；氟化合物；胺化合物；以及有机溶剂。
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公开(公告)号：CN114868455A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202180007479.X
申请日：2021-01-05
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种用户设备(UE)，包括：与第一蜂窝网络相对应的第一用户识别模块、与第二蜂窝网络相对应的第二用户识别模块、无线通信电路、以及可操作地连接到第一用户识别模块、第二用户识别模块和无线通信电路的处理器。其中处理器被配置为：控制UE通过无线通信电路，利用第一用户识别模块的第一识别信息与支持EUTRA NR双连接(EN‑DC)的第一蜂窝网络执行数据通信；检测触发通过第二蜂窝网络的数据通信的活动；以及响应于检测到该活动，通过无线通信电路利用第二用户识别模块的第二识别信息与第二蜂窝网络连接数据通信，并且维持对UE能力的与第一蜂窝网络相关联的EN‑DC的支持。
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公开(公告)号：CN110885685A
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201910825559.0
申请日：2019-09-03
IPC: C09K13/08 , C09K13/00 , H01L21/306 , H01L21/28
Abstract: 提供了一种蚀刻组合物和一种使用该蚀刻组合物制造半导体器件的方法。根据实施例，所述蚀刻组合物可以包括：大约15重量％至大约75重量％的过乙酸；氟化合物；胺化合物；以及有机溶剂。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102117698B
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201010605685.4
申请日：2010-12-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01G4/00 , H01G4/002 , H01G4/005 , H01G4/06 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L28/91 , H01L27/10817 , H01L27/10852 , H01L28/87
Abstract: 本发明公开形成电容器及动态随机存取存储器器件的方法。在电容器的形成方法中，包括第一绝缘材料的第一模层图案可以形成在衬底上。第一模层图案可以具有沟槽。包括第二绝缘材料的支撑层可以形成在沟槽中。第二绝缘材料可以相对于第一绝缘材料具有蚀刻选择性。第二模层可以形成在第一模层图案和支撑层图案上。下电极可以形成为穿过第二模层和第一模层图案。下电极可以接触支撑层图案的侧壁。可以去除第一模层图案和第二模层。电介质层和上电极可以形成在下电极和支撑层图案上。
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公开(公告)号：CN1949482B
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN200610132163.0
申请日：2006-10-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8242
CPC classification number: H01L28/90 , H01L21/0334 , H01L21/31144 , H01L27/10852
Abstract: 一方面，提出了一种制造半导体存储器器件的方法，包括：在半导体衬底的第一部分和第二部分上面形成模具绝缘膜，其中模具绝缘膜包括在半导体衬底的第一部分上面彼此间隔的多个存储节点电极孔。该方法还包括：在存储节点电极孔的内表面上分别形成多个存储节点电极，以及形成覆盖膜，所述覆盖膜覆盖位于半导体衬底的第一部分上面的存储节点电极和模具绝缘膜的第一部分，但暴露出位于半导体衬底的第二部分上面的模具绝缘膜的第二部分。该方法还包括：至少利用湿法刻蚀，选择性地除去模具绝缘膜以暴露出由覆盖膜所覆盖的存储节点电极中的至少一个存储节点电极的侧壁，以及通过干法刻蚀除去覆盖膜以暴露出存储节点电极的上部。
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公开(公告)号：CN114868455B
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202180007479.X
申请日：2021-01-05
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种用户设备(UE)，包括：与第一蜂窝网络相对应的第一用户识别模块、与第二蜂窝网络相对应的第二用户识别模块、无线通信电路、以及可操作地连接到第一用户识别模块、第二用户识别模块和无线通信电路的处理器。其中处理器被配置为：控制UE通过无线通信电路，利用第一用户识别模块的第一识别信息与支持EUTRA NR双连接(EN‑DC)的第一蜂窝网络执行数据通信；检测触发通过第二蜂窝网络的数据通信的活动；以及响应于检测到该活动，通过无线通信电路利用第二用户识别模块的第二识别信息与第二蜂窝网络连接数据通信，并且维持对UE能力的与第一蜂窝网络相关联的EN‑DC的支持。
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公开(公告)号：CN118421318A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410023611.1
申请日：2024-01-08
Applicant: 三星电子株式会社 , 东友精细化工有限公司
IPC: C09K13/08 , H01L21/306 , C09K13/00
Abstract: 本公开内容涉及用于蚀刻硅和硅锗的蚀刻剂组合物、和/或使用所述蚀刻剂组合物的图案的制备方法。所述蚀刻剂组合物可包括氧化剂、基于氟的化合物、由化学式1或2表示的表面活性剂和水。所述蚀刻剂组合物可以5重量％‑40重量％的量包括所述表面活性剂，基于100重量％的所述蚀刻剂组合物。
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公开(公告)号：CN118216097A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202280074957.3
申请日：2022-11-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04B7/08 , H04B7/06 , H04B17/318 , H04B17/336 , H04W52/02 , H04W88/06 , H04L65/1066 , H04L65/80
Abstract: 示例性电子装置包括多个天线和用于通过多个天线与第一通信网络或第二通信网络通信的至少一个通信处理器，其中，至少一个通信处理器能够被配置为使得电子装置可以通过第一通信网络与外部电子装置建立呼叫，电子装置可以检查在与外部电子装置的呼叫被连接的状态下与通信质量相关的信息，并且基于确认与通信质量相关的信息满足指定条件而执行减少多个天线中用于接收的天线的数量的操作。
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