公开(公告)号：CN104282337B

公开(公告)日：2019-11-05

申请号：CN201410309432.0

申请日：2014-07-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郭东勋 ,  沈烔教 ,  朴起台 ,  朴贤郁

IPC: G11C16/10 ,  G11C16/06

Abstract: 一种存储设备的写方法包括：基于关于存储器件的存储单元的信息确定是否执行粗编程操作，响应于对将执行粗编程操作的确定，通过执行粗编程操作和细编程操作来在存储器件中对数据进行编程，以及响应于对将不执行粗编程操作的确定，通过执行细编程操作来在存储器件中对数据进行编程。

公开(公告)号：CN103151069B

公开(公告)日：2018-04-10

申请号：CN201210520121.X

申请日：2012-12-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹翔镛 ,  朴起台 ,  韩真晚

IPC: G11C11/4063 ,  G11C29/42

CPC classification number: G06F11/1068 ,  G06F11/1008 ,  G06F11/1072 ,  G11C29/52

Abstract: 操作存储器系统和非易失性存储器设备的方法包括：对从非易失性存储器设备内的第一（“源”）部分M比特非易失性存储单元中读取的M页数据执行错误检查和纠正（ECC）操作，由此生成M页ECC处理数据，其中M是大于2的正整数。然后，使用例如地址加扰重编程技术，利用M页ECC处理数据来编程非易失性存储器设备内的第二（“目标”）部分M比特非易失性存储单元。

公开(公告)号：CN107393588A

公开(公告)日：2017-11-24

申请号：CN201710611341.6

申请日：2014-05-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 南尚完 ,  朴起台

IPC: G11C16/04 ,  G11C16/16 ,  G11C16/34

Abstract: 本发明涉及一种具有不同的伪字线的三维快闪存储器件和数据储存设备。一种三维(3D)快闪存储器，包括：被布置在地选择线和最低主字线之间的第一伪字线，以及被布置在串选择线和最高主字线之间的具有不同的字线配置的第二伪字线。

公开(公告)号：CN103093818B

公开(公告)日：2017-09-05

申请号：CN201210436459.7

申请日：2012-11-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朱相炫 ,  朴起台 ,  尹翔镛 ,  韩真晚

IPC: G11C16/10 ,  G11C16/34

CPC classification number: G06F11/1016 ,  G06F11/08 ,  G06F11/10 ,  G06F11/1008 ,  G06F11/1048 ,  G06F11/1068 ,  G06F11/1076 ,  G06F11/108 ,  G11C11/5628 ,  G11C16/10 ,  G11C16/3418 ,  H03M13/151 ,  H03M13/1525 ,  H03M13/1545

Abstract: 一种存储系统及其操作方法，存储系统包括：非易失性存储装置和存储器控制器，存储器控制器配置为控制非易失性存储装置，并配置为向非易失性存储装置提供包括从该非易失性存储装置读取的数据的错误的错误位置信息的错误标志信息。

公开(公告)号：CN102479550B

公开(公告)日：2017-05-03

申请号：CN201110382310.0

申请日：2011-11-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔允熙 ,  朴起台 ,  金甫根

IPC: G11C16/06 ,  G11C16/02

CPC classification number: G11C16/10 ,  G11C7/04 ,  G11C16/26 ,  G11C16/30

Abstract: 公开一种在非易失性存储器件中生成经补偿的操作电压的方法，以及相关的非易失性存储器件，所述操作电压如读取电压。响应于一个或多个存储单元条件来补偿操作电压，所述存储单元条件如温度变化、所选择的存储单元的编程数据状态或物理位置、所选择的存储单元的页信息、或所选择的字线的位置。

公开(公告)号：CN104637535A

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201410643554.3

申请日：2014-11-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郭东勋 ,  朴起台

IPC: G11C16/06

Abstract: 本发明公开了一种驱动非易失性存储器装置的方法，该方法包括步骤：通过关于非易失性存储器单元执行第一编程循环使非易失性存储器单元的阈电压正向漂移；然后，使非易失性存储器单元的阈电压逆向漂移；以及通过关于非易失性存储器单元执行第二编程循环使非易失性存储器单元的阈电压再次正向漂移。

公开(公告)号：CN104282337A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201410309432.0

申请日：2014-07-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郭东勋 ,  沈烔教 ,  朴起台 ,  朴贤郁

IPC: G11C16/10 ,  G11C16/06

Abstract: 一种存储设备的写方法包括：基于关于存储器件的存储单元的信息确定是否执行粗编程操作，响应于对将执行粗编程操作的确定，通过执行粗编程操作和细编程操作来在存储器件中对数据进行编程，以及响应于对将不执行粗编程操作的确定，通过执行细编程操作来在存储器件中对数据进行编程。

公开(公告)号：CN102831076A

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN201210196929.7

申请日：2012-06-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹翔镛 ,  朴起台

IPC: G06F12/08

CPC classification number: G11C11/5628 ,  G06F12/0246 ,  G06F2212/7203 ,  G11C16/3418 ,  G11C16/3454 ,  G11C2211/5641

Abstract: 公开了一种用于包括多位存储设备和存储控制器的数据存储设备的片上缓冲编程方法。该片上缓冲编程方法包括：测量数据存储设备的性能；判断所测量的性能是否满足数据存储设备的目标性能；以及根据判断结果选择多个调度方式中的一个作为数据存储设备的片上缓冲编程调度方式。

公开(公告)号：CN102479556A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201110363250.8

申请日：2011-11-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹翔镛 ,  朴起台 ,  孙弘乐

IPC: G11C29/44 ,  G11C16/26

CPC classification number: G11C16/0483 ,  G11C11/5642 ,  G11C11/5678 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/004 ,  G11C16/26

Abstract: 在一个实施例中，一种用于读取非易失性存储器单元阵列中的存储器单元的方法包括基于单个读取命令，使用硬决策电压集合和至少第一软决策电压集合从存储器单元读取数据。

公开(公告)号：CN102290105A

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN201110056113.X

申请日：2011-03-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹翔镛 ,  朴起台 ,  韩真晚 ,  李元奭

IPC: G11C16/10

CPC classification number: G11C16/10 ,  G11C11/56 ,  G11C11/5628 ,  G11C14/0018 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/26 ,  G11C2211/5641 ,  G11C2211/5642 ,  G11C2211/5643

Abstract: 一种数据存储设备包括：包括存储单元阵列的非易失性存储器件；和包括缓冲存储器并控制该非易失性存储器件的存储器控制器。该数据存储设备的操作方法包括：根据外部请求将数据存储在缓冲存储器中，并确定存储在该缓冲存储器中的数据是否是伴随该存储单元阵列的缓冲器编程操作的数据。当存储在该缓冲存储器中的数据是伴随该缓冲器编程操作的数据时，该方法还包括确定是否需要对该存储单元阵列的主编程操作，以及当需要对存储单元阵列的主编程操作时，确定对该存储单元阵列的主编程操作的编程模式。该方法还包括基于确定的编程模式向该多位存储器件发出用于对该存储单元阵列的主编程操作的命令的集合。