公开(公告)号：CN109817516A

公开(公告)日：2019-05-28

申请号：CN201811384728.3

申请日：2018-11-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金泰善 ,  朴荣植 ,  郭民根 ,  金炳勳 ,  金容彻 ,  李炫姃 ,  崔诚元

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/66

Abstract: 一种半导体装置包括：半导体衬底，包括单元内区域及划片槽，所述划片槽界定所述单元内区域；第一重叠图案，位于所述半导体衬底上；以及第二重叠图案，邻近所述第一重叠图案，其中所述第一重叠图案是衍射式重叠(DBO)图案，且所述第二重叠图案是扫描电子显微镜(SEM)重叠图案。本公开的半导体装置可改善重叠一致性且减小对重叠图案的损坏。

公开(公告)号：CN108511525A

公开(公告)日：2018-09-07

申请号：CN201710748871.5

申请日：2017-08-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金东宇 ,  李炫姃 ,  金善政 ,  李承勋 ,  朴金锡 ,  赵南奎

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423

Abstract: 本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括鳍型有源区、纳米片、栅极、源极/漏极区和绝缘间隔物。鳍型有源区从衬底突出并在第一方向上延伸。纳米片与鳍型有源区的上表面间隔开并包括沟道区。栅极在鳍型有源区之上。源极/漏极区连接到纳米片。绝缘间隔物在鳍型有源区上以及在纳米片之间。气隙基于绝缘间隔物的位置在绝缘间隔物与源极/漏极区之间。

公开(公告)号：CN108242425A

公开(公告)日：2018-07-03

申请号：CN201711191152.4

申请日：2017-11-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李正韩 ,  李善佶 ,  姜明一 ,  李正允 ,  李承勋 ,  李炫姃 ,  金善昱

IPC: H01L21/8234

CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L27/1116 ,  H01L29/0649

Abstract: 一种集成电路(IC)器件包括分别从衬底的第一区域和第二区域凸出的第一鳍型有源区和第二鳍型有源区、第一栅线和第二栅线、以及第一源极/漏极区和第二源极/漏极区。第一鳍型有源区具有第一顶表面，第一凹陷具有从第一顶表面起的第一深度。第一源极/漏极区填充第一凹陷并具有第一宽度。第二鳍型有源区具有第二顶表面，第二凹陷具有从第二顶表面起的第二深度。第二深度大于第一深度。第二源极/漏极区填充第二凹陷并具有第二宽度。第二宽度大于第一宽度。

公开(公告)号：CN106057891A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201610197247.6

申请日：2016-03-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金东宇 ,  李承勋 ,  金善政 ,  李炫姃 ,  具本荣

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10

CPC classification number: H01L29/7849 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/165 ,  H01L29/785 ,  H01L29/0603 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/1025 ,  H01L29/1037

Abstract: 公开了一种半导体器件，该半导体器件包括：缓冲层，在基底上，缓冲层具有与基底的晶格常数不同的晶格常数；鳍状结构，从缓冲层向上突出；栅电极，横跨鳍状结构之上；包覆层，在鳍状结构的侧面并覆盖鳍状结构的顶表面和侧壁；以及界面层，在包覆层和鳍状结构之间，界面层包括与缓冲层相同的元素。

公开(公告)号：CN105826387A

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201610037286.X

申请日：2016-01-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁炆承 ,  崔恩惠 ,  金善政 ,  李承勋 ,  李炫姃

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10

CPC classification number: H01L29/1054 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02532 ,  H01L29/161 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785 ,  H01L29/06 ,  H01L29/1033

Abstract: 提供了半导体衬底和半导体器件。所述半导体衬底包括底部衬底、底部衬底上的第一硅锗层以及第一硅锗层上的第二硅锗层。第二硅锗层的锗分率在离开底部衬底的方向上减小，并且第二硅锗层的最下面部分的锗分率大于第一硅锗层的最上面部分的锗分率。