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公开(公告)号：CN110890389A
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201910747082.9
申请日：2019-08-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 公开了一种图像传感器及其制造方法。所述图像传感器可以包括：多个单元像素；滤色器阵列，设置在所述多个单元像素上，滤色器阵列包括多个滤色器；抗反射层，设置在所述多个单元像素与滤色器阵列之间；以及栅栏图案，包括埋在抗反射层中的下部和使所述多个滤色器彼此分离的上部。栅栏图案的上部的宽度可以大于下部的宽度。
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公开(公告)号：CN101308812B
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN200810099060.8
申请日：2008-05-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L23/522
CPC classification number: H01L27/10888 , H01L21/76897 , H01L27/10855
Abstract: 提供了制造具有自对准接触栓塞的半导体器件的方法。方法包括：在半导体基板上形成下绝缘层；在下绝缘层上形成相互平行的多个互连图案；形成上绝缘层，其被配置为填充在互连图案之间；以及，形成跨越多个互连图案的多个第一掩膜图案，多个第一掩膜图案中的第一掩膜图案在具有上绝缘层的半导体基板上相互平行。方法可以包括：形成第二掩膜图案，其自对准于多个第一掩膜图案并且位于多个第一掩膜图案中的第一掩膜图案之间，使用第一和第二掩膜图案和多个互连图案作为刻蚀掩膜，刻蚀上绝缘层和下绝缘层，以形成使半导体基板暴露的多个接触孔，并且在多个接触孔的相应接触孔中形成多个接触栓塞。还提供了半导体器件。
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公开(公告)号：CN101232022B
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200810004580.6
申请日：2008-01-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L23/522 , H01L21/8239 , H01L21/768
CPC classification number: H01L27/10885 , H01L27/10814 , H01L27/10823 , H01L27/10876
Abstract: 本发明提供一种包括阻挡绝缘层的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：半导体衬底，包括多个有源区，其中有源区由器件隔离层定义且沿第一方向设置；多个位线电极，连接到所述有源区，其中每个所述位线电极沿第二方向延伸；以及多个第一阻挡绝缘层。每个所述第一阻挡绝缘层沿第三方向延伸，所述第一阻挡绝缘层中的至少一个设置于所述器件隔离层位于所述有源区中的两个之间的对应第一部分上，所述两个有源区沿第一方向相邻，所述第一方向与所述第二方向彼此不同。
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公开(公告)号：CN114365580B
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202080063126.7
申请日：2020-07-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开涉及了根据实施例，电子设备可以包括蓝牙通信电路和至少一个处理器。所述至少一个处理器可以被配置为：通过使用蓝牙通信电路，基于第一蓝牙通信，执行与具有第一蓝牙地址的第一音频电子设备的第一通信连接；在执行第一通信连接时，基于第一蓝牙通信，从具有第一蓝牙地址的第二音频电子设备接收第二通信连接请求；由于第一通信连接，通过使用蓝牙通信电路向第二音频电子设备发送包括对所接收的第二通信连接请求的拒绝信息的第二通信连接请求响应信号；以及通过第一通信连接向第一音频电子设备发送与第二通信连接请求的拒绝信息相关的消息。其他实施例也是可能的。
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公开(公告)号：CN110277314B
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN201910127992.7
申请日：2019-02-19
Applicant: 三星电子株式会社 , 易案爱富科技有限公司
IPC: H01L21/306 , H01L21/308 , C23C14/48
Abstract: 提供了蚀刻SiGe前使用的预处理组合物，该组合物包括：酸；醇；具有化学式R‑Si(R1)n(OR2)3‑n的硅烷化合物，其中，R是(C3‑C20)烷基、(C6‑C12)芳基、(C6‑C12)芳基(C3‑C20)烷基或(C3‑C20)烷基(C6‑C12)芳基，R1是氢、羟基、卤素、(C1‑C20)烷基、卤代(C1‑C20)烷基、(C6‑C12)芳基、(C6‑C12)芳基(C1‑C20)烷基或(C1‑C20)烷基(C6‑C12)芳基，R2是氢、(C1‑C20)烷基、卤代(C1‑C20)烷基、(C6‑C12)芳基、(C6‑C12)芳基(C1‑C20)烷基或(C1‑C20)烷基(C6‑C12)芳基。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109712974B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN201810907064.8
申请日：2018-08-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088
Abstract: 提供了一种产生布局的方法和利用其制造半导体装置的方法，所述产生布局的方法包括：接收包括有源鳍的半导体装置的设计布局；从设计布局中提取有源鳍的设计规则；形成与有源鳍叠置的鳍线，使得鳍线具有比有源鳍的长度大的长度，其中，鳍线从与半导体装置的布局区域的一个边缘邻近的位置朝向另一边缘连续地延伸，并且形成在半导体装置的整个布局区域中；利用鳍线在半导体装置的整个布局区域中形成芯轴图案布局；利用有源鳍在半导体装置的整个布局区域中形成切割图案布局。
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公开(公告)号：CN107925738B
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN201680047443.3
申请日：2016-08-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/445 , H04N5/262 , H04N5/265 , H04N21/2387
Abstract: 根据各种示例，一种用于在电子设备中提供图像的方法可以包括以下步骤：通过使用功能上与电子设备连接的相机来获得对象的第一图像；生成包括要与第一图像相关的第二图像在内的至少一个图像；以及同时在功能上与电子设备连接的显示器的第一区域上显示第一图像并在显示器的第二区域上显示第二图像。
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公开(公告)号：CN110890364A
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201910859361.4
申请日：2019-09-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L27/092 , H01L21/8234 , H01L21/8238
Abstract: 可以提供一种半导体器件和制造半导体器件的方法，该半导体器件包括：基板，具有多个有源鳍，所述多个有源鳍中的每个有源鳍沿第一方向延伸；第一栅极结构和第二栅极结构，跨过所述多个有源鳍，第一栅极结构和第二栅极结构沿不同于第一方向的第二方向延伸，第一栅极结构和第二栅极结构在第二方向上彼此间隔开；至少一个绝缘阻挡物，沿第一方向延伸并在所述多个有源鳍之间，绝缘阻挡物使第一栅极结构的下部和第二栅极结构的下部彼此分隔；以及栅极隔离层，连接到绝缘阻挡物的一部分，栅极隔离层使第一栅极结构的上部和第二栅极结构的上部彼此分隔。
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公开(公告)号：CN104347690B
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201410369696.5
申请日：2014-07-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，该半导体器件包括从衬底上突出的鳍部。鳍部包括基部、位于基部上的中间部和位于中间部上的沟道部。中间部的宽度小于基部的宽度而大于沟道部的宽度。栅电极覆盖沟道部的两个侧壁和上表面，器件绝缘图案覆盖基部的两个侧壁和中间部的两个侧壁。
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公开(公告)号：CN103181786B
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201310002007.2
申请日：2013-01-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: A61B8/00
CPC classification number: H01L41/083 , B06B1/0622 , B06B1/0685 , G10K11/002
Abstract: 本发明公开了一种超声换能器、超声探头和超声波图像诊断设备。一种超声换能器、超声探头和执行超声程序的图像诊断设备。超声换能器包括：压电层；设置在压电层的上表面上的声匹配层；多个后效率层，设置在压电层的下表面上并具有不同的声阻抗。可以通过适当地改变后效率层的声阻抗和厚度来控制超声换能器的灵敏度、带宽和脉冲长度。
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