公开(公告)号：CN110277314A

公开(公告)日：2019-09-24

申请号：CN201910127992.7

申请日：2019-02-19

Applicant: 三星电子株式会社 ,  易案爱富科技有限公司

Inventor： 金秀珍 ,  李孝善 ,  吴政玟 ,  李晓山 ,  金东铉 ,  金学秀 ,  吴政宰 ,  李明护

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/308 ,  C23C14/48

Abstract: 提供了蚀刻SiGe前使用的预处理组合物，该组合物包括：酸；醇；具有化学式R-Si(R1)n(OR2)3-n的硅烷化合物，其中，R是(C3-C20)烷基、(C6-C12)芳基、(C6-C12)芳基(C3-C20)烷基或(C3-C20)烷基(C6-C12)芳基，R1是氢、羟基、卤素、(C1-C20)烷基、卤代(C1-C20)烷基、(C6-C12)芳基、(C6-C12)芳基(C1-C20)烷基或(C1-C20)烷基(C6-C12)芳基，R2是氢、(C1-C20)烷基、卤代(C1-C20)烷基、(C6-C12)芳基、(C6-C12)芳基(C1-C20)烷基或(C1-C20)烷基(C6-C12)芳基。

公开(公告)号：CN110277314B

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN201910127992.7

申请日：2019-02-19

Applicant: 三星电子株式会社 ,  易案爱富科技有限公司

Inventor： 金秀珍 ,  李孝善 ,  吴政玟 ,  李晓山 ,  金东铉 ,  金学秀 ,  吴政宰 ,  李明护

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/308 ,  C23C14/48

Abstract: 提供了蚀刻SiGe前使用的预处理组合物，该组合物包括：酸；醇；具有化学式R‑Si(R1)n(OR2)3‑n的硅烷化合物，其中，R是(C3‑C20)烷基、(C6‑C12)芳基、(C6‑C12)芳基(C3‑C20)烷基或(C3‑C20)烷基(C6‑C12)芳基，R1是氢、羟基、卤素、(C1‑C20)烷基、卤代(C1‑C20)烷基、(C6‑C12)芳基、(C6‑C12)芳基(C1‑C20)烷基或(C1‑C20)烷基(C6‑C12)芳基，R2是氢、(C1‑C20)烷基、卤代(C1‑C20)烷基、(C6‑C12)芳基、(C6‑C12)芳基(C1‑C20)烷基或(C1‑C20)烷基(C6‑C12)芳基。

公开(公告)号：CN106298642B

公开(公告)日：2019-05-28

申请号：CN201610478765.5

申请日：2016-06-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴镇亨 ,  金咽姝 ,  金仁焕 ,  金田中 ,  朴劲必 ,  安正勋 ,  李相哲 ,  李峻宁 ,  李孝善

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/528

CPC classification number: H01L21/823475 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76813 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/823431 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53266

Abstract: 本发明公开了布线结构及其形成方法和包括该布线结构的半导体器件。在形成布线结构的方法中，形成具有第一开口的第一掩模，第一开口包括沿着第二方向延伸的第一部分和沿着第一方向延伸的第二部分。设计包括与第一开口的第一部分重叠的第二开口和各自与第一开口的第二部分重叠的第三开口的第二掩模。将第二掩模制造为包括通过扩大第二开口获得的第四开口。第四开口与第一开口的第一部分与第二部分之间的边界重叠。利用第一掩模和第二掩模蚀刻绝缘夹层，以形成对应于第四开口和第三开口的第一导通孔和第二导通孔以及对应于第一开口的沟槽。第一过孔和第二过孔以及布线被形成为填充第一导通孔和第二导通孔以及沟槽。

公开(公告)号：CN106298642A

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201610478765.5

申请日：2016-06-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴镇亨 ,  金咽姝 ,  金仁焕 ,  金田中 ,  朴劲必 ,  安正勋 ,  李相哲 ,  李峻宁 ,  李孝善

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/528

CPC classification number: H01L21/823475 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76813 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/823431 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53266 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76877

Abstract: 本发明公开了布线结构及其形成方法和包括该布线结构的半导体器件。在形成布线结构的方法中，形成具有第一开口的第一掩模，第一开口包括沿着第二方向延伸的第一部分和沿着第一方向延伸的第二部分。设计包括与第一开口的第一部分重叠的第二开口和各自与第一开口的第二部分重叠的第三开口的第二掩模。将第二掩模制造为包括通过扩大第二开口获得的第四开口。第四开口与第一开口的第一部分与第二部分之间的边界重叠。利用第一掩模和第二掩模蚀刻绝缘夹层，以形成对应于第四开口和第三开口的第一导通孔和第二导通孔以及对应于第一开口的沟槽。第一过孔和第二过孔以及布线被形成为填充第一导通孔和第二导通孔以及沟槽。

公开(公告)号：CN106169439A

公开(公告)日：2016-11-30

申请号：CN201610329900.X

申请日：2016-05-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金田中 ,  金永培 ,  金钟三 ,  朴镇亨 ,  安正勋 ,  吴赫祥 ,  李敬雨 ,  李孝善 ,  张淑禧

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L23/5226 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76882 ,  H01L21/823475 ,  H01L23/485 ,  H01L23/53295 ,  H01L27/088 ,  H01L21/76877

Abstract: 本公开提供了布线结构、形成布线结构的方法以及半导体器件。一种布线结构包括：基板；下绝缘层，在基板上；下布线，在下绝缘层中；第一蚀刻停止层，覆盖下布线并包括含金属的电介质材料；以及第二蚀刻停止层，在第一蚀刻停止层和下绝缘层上；绝缘夹层，在第二蚀刻停止层上；以及导电图案，延伸穿过绝缘夹层、第二蚀刻停止层和第一蚀刻停止层并电连接到下布线。

公开(公告)号：CN103019050A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201210357232.3

申请日：2012-09-24

Applicant: 三星电子株式会社 ,  株式会社东进世美肯

Inventor： 尹孝镇 ,  辛成健 ,  李孝善 ,  金柄郁 ,  金贤友 ,  尹锡壹 ,  权五焕

IPC: G03F7/42 ,  B05C11/10 ,  B05C11/11

CPC classification number: G03F7/168 ,  C11D11/0047

Abstract: 本发明涉及RRC过程和EBR过程用的稀释剂组合物、及供应前者的设备。所述RRC(减胶涂覆)过程用的稀释剂组合物包括乳酸烷基酯、环己酮和乙酸烷基酯，其中所述乙酸烷基酯的烷基取代基为C1-C5非基于醚的烷基。

公开(公告)号：CN108231573B

公开(公告)日：2024-01-16

申请号：CN201711223730.8

申请日：2017-11-29

Applicant: 三星电子株式会社 ,  秀博瑞殷株式公社

Inventor： 金秀珍 ,  李孝善 ,  裵珍惠 ,  林廷训 ,  崔容在

IPC: H01L21/306 ,  C09K13/08

Abstract: 本发明涉及蚀刻组合物及通过使用其制造半导体器件的方法。蚀刻组合物可包括过乙酸混合物、氟化合物、有机溶剂(例如乙酸酯系有机溶剂)和水。蚀刻组合物可用于选择性地蚀刻硅‑锗(SiGe)。

公开(公告)号：CN108122752B

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN201711203216.8

申请日：2017-11-27

Applicant: 三星电子株式会社 ,  秀博瑞殷株式公社

Inventor： 李孝善 ,  金澔永 ,  裵相元 ,  金珉久 ,  林廷训 ,  崔容在

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/67

Abstract: 公开蚀刻组合物和使用其制造半导体器件的方法。所述蚀刻组合物从包括氮化钛(TiN)膜和氮化钽(TaN)膜的堆叠的导电膜结构选择性地除去氮化钛膜。配置用于蚀刻氮化钛(TiN)的所述蚀刻组合物包括相对于所述蚀刻组合物的总重量的5重量％‑30重量％的过氧化氢、15重量％‑50重量％的酸化合物、和0.001重量％‑5重量％的腐蚀抑制剂，其中所述酸化合物包括如下的至少一种：磷酸(H3PO4)、硝酸(HNO3)、盐酸(HCl)、氢碘酸(HI)、氢溴酸(HBr)、高氯酸(HClO4)、硅酸(H2SiO3)、硼酸(H3BO3)、乙酸(CH3COOH)、丙酸(C2H5COOH)、乳酸(CH3CH(OH)COOH)、和乙醇酸(HOCH2COOH)。

公开(公告)号：CN108122752A

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201711203216.8

申请日：2017-11-27

Applicant: 三星电子株式会社 ,  秀博瑞殷株式公社

Inventor： 李孝善 ,  金澔永 ,  裵相元 ,  金珉久 ,  林廷训 ,  崔容在

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/67

Abstract: 公开蚀刻组合物和使用其制造半导体器件的方法。所述蚀刻组合物从包括氮化钛(TiN)膜和氮化钽(TaN)膜的堆叠的导电膜结构选择性地除去氮化钛膜。配置用于蚀刻氮化钛(TiN)的所述蚀刻组合物包括相对于所述蚀刻组合物的总重量的5重量％-30重量％的过氧化氢、15重量％-50重量％的酸化合物、和0.001重量％-5重量％的腐蚀抑制剂，其中所述酸化合物包括如下的至少一种：磷酸(H3PO4)、硝酸(HNO3)、盐酸(HCl)、氢碘酸(HI)、氢溴酸(HBr)、高氯酸(HClO4)、硅酸(H2SiO3)、硼酸(H3BO3)、乙酸(CH3COOH)、丙酸(C2H5COOH)、乳酸(CH3CH(OH)COOH)、和乙醇酸(HOCH2COOH)。

公开(公告)号：CN106169439B

公开(公告)日：2021-11-02

申请号：CN201610329900.X

申请日：2016-05-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金田中 ,  金永培 ,  金钟三 ,  朴镇亨 ,  安正勋 ,  吴赫祥 ,  李敬雨 ,  李孝善 ,  张淑禧

IPC: H01L21/768

Abstract: 本公开提供了布线结构、形成布线结构的方法以及半导体器件。一种布线结构包括：基板；下绝缘层，在基板上；下布线，在下绝缘层中；第一蚀刻停止层，覆盖下布线并包括含金属的电介质材料；以及第二蚀刻停止层，在第一蚀刻停止层和下绝缘层上；绝缘夹层，在第二蚀刻停止层上；以及导电图案，延伸穿过绝缘夹层、第二蚀刻停止层和第一蚀刻停止层并电连接到下布线。