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公开(公告)号:CN100517744C
公开(公告)日:2009-07-22
申请号:CN200610088665.8
申请日:2006-05-08
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/428 , H01L27/307 , H01L27/3244 , H01L51/0545 , H01L51/56 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供了一种有机薄膜晶体管(“TFT”)阵列板及其制造方法,该有机薄膜晶体管阵列板包括衬底、在第一方向上延伸的栅线、与栅线交叉且绝缘的在第二方向上延伸的数据线、连接到数据线的源极、与源极相面对的漏极、连接到漏极的像素电极和连接到源极和漏极的有机半导体,该有机半导体由具有光敏性的有机材料制成。
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公开(公告)号:CN100414414C
公开(公告)日:2008-08-27
申请号:CN200510076639.9
申请日:2005-06-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/136 , H01L29/786 , H01L21/027
CPC classification number: H01L27/283 , H01L27/3274 , H01L51/0545 , H01L51/10 , H01L51/5237
Abstract: 提供了一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法,该方法包括:在衬底上形成栅极线;在栅极线上形成栅极绝缘层;在栅极绝缘层上形成数据线和漏电极;在数据线、漏电极与在数据线和漏电极之间的栅极绝缘层的暴露部分上形成有机半导体层;形成完全覆盖有机半导体层的保护构件;在保护构件、数据线和漏电极上形成钝化层;在钝化层内形成接触孔以露出部分漏电极;以及在钝化层上形成象素电极,该象素电极经接触孔与漏电极连接。
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公开(公告)号:CN100381920C
公开(公告)日:2008-04-16
申请号:CN02827158.0
申请日:2002-07-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/136
CPC classification number: G02F1/136286 , G02F2001/136295
Abstract: 首先,利用含有8-12%Ce(NH4)2(NO3)6、10-20%NH3及残留超纯水的蚀刻剂来沉积Cr层和CrOx层并制作布线图案,以形成包括多条栅极线、多个栅极、以及多个栅极衬垫的栅极布线。然后,顺次形成栅极绝缘层、半导体层、及欧姆接触层。利用含有8-12%Ce(NH4)2(NO3)6、10-20%NH3及残留超纯水的蚀刻剂来沉积Cr层和CrOx层并制作布线图案,以形成包括多条数据线、多个源极、多个漏极、及多个数据衬垫的数据布线。接着,沉积钝化层并制作布线图案以形成分别露出漏极、栅极衬垫、及数据衬垫的接触孔。沉积透明导电材料或反射性导电材料并制作布线图案以形成分别与漏极、栅极衬垫、及数据衬垫电连接的多个像素电极、多个辅助栅极衬垫、及多个辅助数据衬垫。将具有低反射比的栅极线和数据线作为遮光层用于遮挡像素区域之间光泄漏,而不增加黑色亮度。因此,无需在滤色器面板上设置单独的黑阵,从而可获得像素的纵横比和高对比度。
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公开(公告)号:CN1967867A
公开(公告)日:2007-05-23
申请号:CN200610160387.2
申请日:2006-11-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/32 , H01L23/522 , H01L51/05 , H01L21/84 , H01L21/768 , H01L51/40
CPC classification number: H01L27/3274 , H01L27/3276 , H01L51/0078 , H01L51/0545
Abstract: 本发明涉及一种显示装置及其制造方法。所述显示装置包括:绝缘衬底;形成于所述绝缘衬底上的包括栅电极的多条栅布线;覆盖所述多条栅布线的栅绝缘膜;在栅绝缘膜上的形成的透明电极层,透明电极层包括在栅电极周围设置的源电极和漏电极,源电极和漏电极彼此分开以界定在其之间设置的沟道区;覆盖透明电极层的预定区域并绝缘地与多条栅布线交叉以界定多个像素的多条数据布线;和形成于每个像素的沟道区上的有机半导体层,有机半导体层的预定部分有效地与源电极、漏电极和栅电极连接,从而形成具有改善的特性和新的结构的晶体管。
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公开(公告)号:CN1945845A
公开(公告)日:2007-04-11
申请号:CN200610131728.3
申请日:2006-09-29
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/283 , G02F1/133788 , G02F1/136227
Abstract: 本发明公开了一种有机薄膜晶体管阵列面板及其制备方法,该阵列面板包含基板、置于基板上的第一信号线、与第一信号线交叉的第二信号线、连接到第一信号线的源电极、与源电极分离的漏电极、连接到源电极和漏电极的有机半导体部件、连接到漏电极的像素电极、以及置于像素电极上并具有光致排列的钝化层。
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公开(公告)号:CN1909260A
公开(公告)日:2007-02-07
申请号:CN200610099327.4
申请日:2006-07-17
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/0533
Abstract: 本申请涉及一种显示装置,包括:绝缘基板;源电极和漏电极,在绝缘基板上,并被沟道区隔开;有机半导体层,在沟道区内以及在源电极的至少一部分和漏电极的至少一部分上形成;以及自组装单层,具有设置在有机半导体层和源电极之间的第一部分和设置在有机半导体层和漏电极之间的第二部分,以减小电极和有机半导体层之间的接触电阻。因此,本发明的实施例提供了包括性能增强的TFT的显示装置。
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公开(公告)号:CN1905233A
公开(公告)日:2007-01-31
申请号:CN200610108116.2
申请日:2006-07-27
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/0541 , H01L51/0005 , H01L51/0097 , H01L51/0545
Abstract: 本发明涉及薄膜晶体管基板,包括:绝缘基板;源极和漏极,它们形成在绝缘基板上并且彼此分离,并且在它们之间具有沟道区;壁,所述壁分别暴露至少部分源极和漏极,环绕沟道区和由含氟聚合物形成;和在壁内部形成的有机半导体层。因此本发明提供其中有机半导体层被平面化的TFT基板。此外,本发明还提供制备有机半导体层被平面化的TFT基板。
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公开(公告)号:CN1278372C
公开(公告)日:2006-10-04
申请号:CN00137420.6
申请日:2000-12-27
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor: 金保成
CPC classification number: H01J61/44 , G02F1/133604
Abstract: 本发明公开了一种用作液晶显示装置背光照明的荧光灯和具有所述的荧光灯的液晶显示装置。所述的荧光灯包括具有最大发光波长范围在大约600nm至620nm的红色荧光粉、具有最大发光波长范围在大约520nm至555nm的绿色荧光粉以及具有最大发光波长范围在大约440nm至460nm的红色荧光粉。所述的绿色荧光粉具有一个最大发光峰或者位于最大发光峰旁边的幅值相当于所述的最大发光峰的约20%或更小的侧峰。因此,借助于除去所述的绿色荧光粉的侧发光峰或者将其减小到最低限度的措施,无须降低白光的亮度就可以大大地提高颜色再现性。
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公开(公告)号:CN102270169B
公开(公告)日:2016-08-17
申请号:CN201110148134.4
申请日:2011-05-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F11/32
CPC classification number: G06F3/04842 , G06F3/04817 , G06F11/328 , G06F11/3409 , Y02D10/34
Abstract: 提供一种管理在便携式终端中正被执行的应用的方法和设备,用于在通过多个应用提供多任务功能的同时,防止由于由正被执行的应用所使用的系统资源而引起的电池功耗和系统性能的降低。在该方法中,当多个应用被执行时,这样的多个应用的执行被报告给用户,以使得用户能够终止一个或多个应用,从而防止电池电能的不必要的消耗。
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公开(公告)号:CN102201367A
公开(公告)日:2011-09-28
申请号:CN201010512778.2
申请日:2010-10-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/77 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1225 , H01L27/1285 , H01L27/1292 , H01L29/66969
Abstract: 本发明提供了一种包括氧化物半导体层的薄膜晶体管阵列面板及一种容易地制造该薄膜晶体管阵列面板的方法,其中,该氧化物半导体层实现了优异的稳定性和电特性。一种薄膜晶体管阵列面板包括:基底;氧化物半导体层,设置在基底上,并包括从由氧化锌、氧化锡和氧化铪组成的组中选择的金属氧化物;栅电极,与氧化物半导体层叠置;栅极绝缘膜,设置在氧化物半导体层和栅电极之间;源电极和漏电极,设置成彼此分开并且与氧化物半导体层至少部分地叠置。
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