公开(公告)号：CN1848477B

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN200610067373.6

申请日：2006-03-24

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 徐旼彻 ,  具在本

IPC: H01L51/40 ,  H01L51/05 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L51/0017 ,  H01L27/283 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/0019 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  Y10T428/31504

Abstract: 本发明提供了一种图形化有机薄膜的方法，其能够防止有机半导体层的表面损伤。此外，提供了一种能够减小截止电流并能防止有机半导体层的表面损伤的有机薄膜晶体管和制造该有机薄膜晶体管的方法，以及具有该有机薄膜晶体管的有机电致发光显示装置。图形化有机薄膜的该方法包括在衬底上形成该有机薄膜；选择性地将掩模材料印制在该有机薄膜的一部分上；利用掩模材料干法刻蚀该有机薄膜的暴露部分；以及除去掩模材料。

公开(公告)号：CN1862835B

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN200610079397.3

申请日：2006-04-21

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 安泽 ,  徐旼彻 ,  具在本

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/00

CPC classification number: H01L51/0545 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/283 ,  H01L29/78651 ,  H01L29/78681 ,  H01L51/0017

Abstract: 能减小泄露电流和能防止在相邻的TFT之间串扰的TFT包括：衬底；安置在衬底上的栅极电极；彼此分开并与栅极电极绝缘的源极电极和漏极电极；以及与栅极电极绝缘的半导体层，接触源极和漏极电极的每一个，并且具有将在源极和漏极电极之间的半导体层的区域至少与相邻的TFT分开的槽。每个槽至少经过与源极和漏极电极对应的半导体层的部分，并且由至少经过与源极和漏极电极对应的半导体层的部分的每个槽投影到源极和漏极电极时而生成的投影图像覆盖除了面向漏极电极的源极电极的部分和面向源极电极的漏极电极的部分以外的源极和漏极电极。

公开(公告)号：CN1834123B

公开(公告)日：2011-03-23

申请号：CN200610008944.9

申请日：2006-01-28

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 安泽 ,  徐旼彻 ,  具在本

IPC: C08F112/04 ,  C08L25/02 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L51/0038 ,  H01L51/0094 ,  H01L51/0541

Abstract: 一种用于形成薄膜晶体管的缓冲层的聚(对亚苯基亚乙烯基)(PPV)化合物，其通过分子式1表示：其中R是被环己基或苯基取代的C1-C20甲硅烷基基团，m是从2到4的整数，n是从1到3，000的整数；一种用于形成薄膜晶体管的缓冲层的组合物，其用来形成分子式1表示的化合物，并且包含卤代前体聚合物、光致碱发生剂和溶剂；一种薄膜晶体管，其包括使用PPV化合物制备的缓冲层；一种包括该薄膜晶体管的平板显示器。具有图形的缓冲层可以通过使用含硅的PPV前体的光刻图形形成而在有机TFT的有机半导体层之下形成。因此，改进有机TFT的有机半导体层的定位，从而改进了有机TFT的特性。

公开(公告)号：CN1828963B

公开(公告)日：2010-08-04

申请号：CN200610008933.0

申请日：2006-01-14

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 徐旼彻 ,  苏明燮 ,  具在本 ,  杨南喆

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/40 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L27/32

Abstract: 提供一种薄膜晶体管、其制备方法以及使用该晶体管的平板显示器。薄膜晶体管包括栅极、与栅极绝缘的源极和漏极、与栅极绝缘并电连接到源极和漏极上的半导体层、绝缘层、介于半导体层和绝缘层之间并阻止电子或空穴迁移通过半导体层而被捕获到绝缘层中的载流子阻挡层。由于所述薄膜晶体管的构造可使得载流子阻挡层位于半导体层和绝缘层之间，可阻止注入到半导体层中的电子和空穴被捕获到绝缘层中，从而抑制了磁滞特性。另外，使用所述薄膜晶体管可制造可靠的平板显示器器件。

公开(公告)号：CN1578569B

公开(公告)日：2010-05-05

申请号：CN200410054951.3

申请日：2004-07-26

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 具在本 ,  朴志容

IPC: H01L51/50 ,  H05B33/26 ,  H05B33/12

CPC classification number: H01L27/3276 ,  H01L51/5284 ,  H01L2251/5346

Abstract: 一种有机发光装置，通过形成具有高透射率导电材料和高反射率导电材料之间的浓度梯度的黑矩阵的栅极布线与数据布线来改善对比度。该装置包括：形成在绝缘衬底上的栅极布线与数据布线，由栅极布线与数据布线形成的像素部分，设置在像素部分中的像素，其中栅极布线与数据布线中至少一个由导电光吸收材料形成，像素包括晶体管、电容器和EL器件，以及数据布线包括晶体管的源极电极和晶体管的漏极电极中的至少一个。至少一个布线由具有高透射率导电材料和高反射率导电材料之间的浓度梯度的光吸收材料形成。

公开(公告)号：CN101232043B

公开(公告)日：2010-04-21

申请号：CN200810003759.X

申请日：2002-12-25

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 申东缵 ,  具在本

IPC: H01L27/32 ,  H01L51/52 ,  H01L51/54

CPC classification number: H01L27/3276 ,  H01L27/3265 ,  H01L51/5284 ,  H01L2251/5346

Abstract: 一种带有黑矩阵的平板显示装置。这种平板显示装置包括绝缘基体，在该绝缘基体的上部带有像素电极；不透明的导电薄膜，该导电薄膜成形在绝缘基体的前表面上，除了像素电极所在的位置之外；绝缘薄膜，该绝缘薄膜带有接触孔，将不透明导电薄膜的一部分暴露出来；以及薄膜晶体管，该薄膜晶体管带有栅电极和用于源/漏电极的导电图案，所述源/漏电极通过所述接触孔连接到不透明的导电薄膜上。

公开(公告)号：CN100531501C

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200510091066.7

申请日：2005-08-05

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 具在本 ,  徐汶彻

IPC: H05B33/26 ,  H05B33/12 ,  H01L51/00

CPC classification number: H01L27/3262 ,  H01L27/124 ,  H01L27/3276

Abstract: 一种平板显示装置，具有其中串扰最小化的晶体管。所述平板显示装置包括衬底；形成在所述衬底上的第一栅电极；与所述第一栅电极绝缘的第一电极；与所述第一栅电极绝缘并且在同一平面内环绕第一电极的第二电极；与所述第一栅电极绝缘并且与第一电极和第二电极接触的半导体层；和显示元件，包括与第一电极和第二电极之一电连接的像素电极。

公开(公告)号：CN1725914B

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN200510078663.6

申请日：2005-06-23

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 具在本 ,  徐旼彻

IPC: H01L51/05

CPC classification number: G09G3/3233 ,  G09G2300/0417 ,  G09G2300/0842 ,  H01L27/3274 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0078 ,  H01L51/0516 ,  H01L51/0541

Abstract: 提供了一种包含p型有机薄膜晶体管(TFT)的有源矩阵型电致发光(OEL)显示器件。该器件具有高开口率，并很容易以阵列结构制造。该显示器件包括对电极，在对电极上的至少包含发光层的中间层，形成在中间层上的像素电极，设置在像素电极上并与像素电极绝缘的第一电极，设置在像素电极上并与像素电极相连的第二电极，与第一电极和第一漏电极接触的p型有机半导体层；以及设置在p型有机半导体层上的并与第一电极、第一漏电极和p型有机半导体层绝缘的第一栅电极。

公开(公告)号：CN1825548B

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN200510138091.6

申请日：2005-12-08

Applicant: 三星移动显示器株式会社 ,  三星SDI德国有限责任公司

Inventor： 徐旼彻 ,  具在本 ,  安泽 ,  金慧东 ,  F·乔格 ,  W·亨伯斯

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/283 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/40

Abstract: 一种形成导电图案的方法，其中通过使用激光烧蚀法和喷墨法形成导电图案而不使用光刻工艺在低温下容易地形成导电图案，使用该方法制造的有机薄膜晶体管，以及制造有机薄膜晶体管的方法。形成平板显示器件中的导电图案的方法包括制备基底部件，在基底部件中形成具有与导电图案相同的形状的凹槽，通过将导电材料施加到凹槽中形成导电图案。基底部件具有包括具有凹槽的塑料衬底的结构和包括衬底和设置在衬底上并具有凹槽的绝缘层的结构。

公开(公告)号：CN101308866B

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN200810110246.9

申请日：2004-04-13

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 具在本 ,  朴志容 ,  朴商一 ,  金得钟

IPC: H01L27/32 ,  H01L27/12 ,  H01L29/04 ,  H01L21/77 ,  H01L21/84 ,  H01L21/336 ,  H01L21/20

Abstract: 本发明公开一种平板显示器，包括多个像素，每个所述像素包括R、G和B单位像素以分别表现红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)，并且每个所述单位像素包括一晶体管，其中所述R、G和B单位像素之中至少一个单位像素的晶体管包括由具有不同膜性能的硅层制成的沟道区。本发明还涉及制造平板显示器的方法。