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公开(公告)号：CN112447610A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202010886116.5
申请日：2020-08-28
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 中田洋辅
Abstract: 本发明涉及半导体装置及半导体元件。提供即使在由于由温度循环引起的应力而使半导体元件从封装树脂承受到应力的情况下，也对半导体元件表面的保护膜的剥离进行了抑制的半导体装置。具有：基板；半导体元件，其与基板接合；以及封装树脂，其对基板的至少一部分和半导体元件进行封装，半导体元件具有：有源区域，其在半导体元件的接通状态下流过主电流；有源区域的周围的末端区域；锚定膜，其设置于末端区域的绝缘膜之上；以及保护膜，其至少将包含锚定膜的末端区域覆盖，锚定膜由与绝缘膜不同的材料构成，具有分散地设置的多个开口部。
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公开(公告)号：CN107615463B
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201580080357.8
申请日：2015-05-26
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 中田洋辅
IPC: H01L21/60 , H01L21/304 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522
Abstract: 具有下述工序：准备半导体基板的工序(S01)，该半导体基板具有第1主面和位于第1主面的相反侧的第2主面；在第1主面之上形成第1电极的工序(S02)；在第1电极之上形成焊料接合用金属膜(第1焊料接合用金属膜)的工序(S03)；在第1焊料接合用金属膜之上形成牺牲膜的工序(S04)；在形成牺牲膜之后对第2主面进行磨削的工序(S06)；在进行磨削的工序(S06)之后进行热处理的工序(在第3主面侧形成元件构造的工序(S07))；在进行热处理的工序(S07)之后将牺牲膜去除的工序(S10)；以及将第1焊料接合用金属膜与第1外部电极进行焊料接合的工序(S12)。
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公开(公告)号：CN107615463A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201580080357.8
申请日：2015-05-26
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 中田洋辅
IPC: H01L21/60 , H01L21/304 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522
Abstract: 具有下述工序：准备半导体基板的工序(S01)，该半导体基板具有第1主面和位于第1主面的相反侧的第2主面；在第1主面之上形成第1电极的工序(S02)；在第1电极之上形成焊料接合用金属膜(第1焊料接合用金属膜)的工序(S03)；在第1焊料接合用金属膜之上形成牺牲膜的工序(S04)；在形成牺牲膜之后对第2主面进行磨削的工序(S06)；在进行磨削的工序(S06)之后进行热处理的工序(在第3主面侧形成元件构造的工序(S07))；在进行热处理的工序(S07)之后将牺牲膜去除的工序(S10)；以及将第1焊料接合用金属膜与第1外部电极进行焊料接合的工序(S12)。
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公开(公告)号：CN113690151B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202110528910.7
申请日：2021-05-14
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 中田洋辅
Abstract: 本发明涉及半导体装置的制造方法及电力控制电路的制造方法。在对半导体装置进行PN结二极管的通电试验的情况下，提高半导体装置的生产率，使半导体装置的成本降低，对进行通电试验时的通电用半导体元件的温度上升进行抑制。在半导体装置的制造方法中，分别内置多个PN结二极管的多个通电用半导体元件的背面与导体板的第1主面连接。另外，导体片连接于多个通电用半导体元件的表面。之后，在导体板的第2主面在具有多个通电用半导体元件、导体板及导体片的半导体装置的半成品的底面露出的状态下进行多个PN结二极管的通电试验。
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公开(公告)号：CN117497522A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202310938619.6
申请日：2023-07-28
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。目的在于提供一种能够容易地从半导体装置取出子模块，重新利用子模块的技术。半导体装置具有：子模块(1)，其将导体板(21)和经由第1接合材料(13)搭载于导体板(21)的上表面的半导体元件(11)通过第1封装材料(24)封装；绝缘基板(31)，其经由第2接合材料(12)接合至子模块(1)的下表面；壳体(33)，其包围绝缘基板(31)以及子模块(1)的周围；以及第2封装材料(34)，其以至少使子模块(1)的上表面露出的方式封装由壳体(33)围出的区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116798864A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310822279.0
申请日：2019-01-14
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/285 , H01L23/48 , H01L23/488 , H01L21/60 , H01L21/288 , C23C18/16 , C23C18/31 , C23C18/32 , H01L21/336 , H01L29/417 , H01L29/739 , H01L21/331 , H01L29/78
Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体装置的制造方法，该半导体装置的制造方法能够兼顾热应力环境下的半导体装置的可靠性以及制造工序中的组装性的提高。在半导体装置的制造方法中，在半导体基板的一个主面，通过将第1导电膜堆积、图案化，从而形成第1电极，在第1电极之上，形成与第1电极所具有的图案对应的第1金属膜，在半导体基板的另一个主面，通过将第2导电膜堆积，从而形成第2电极，在第2电极之上，形成比第1金属膜薄的第2金属膜，分别在第1金属膜之上以及第2金属膜之上通过非电解镀而一起形成第3金属膜。
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公开(公告)号：CN110060926B
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN201910031363.4
申请日：2019-01-14
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/285
Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体装置的制造方法，该半导体装置的制造方法能够兼顾热应力环境下的半导体装置的可靠性以及制造工序中的组装性的提高。在半导体装置的制造方法中，在半导体基板的一个主面，通过将第1导电膜堆积、图案化，从而形成第1电极，在第1电极之上，形成与第1电极所具有的图案对应的第1金属膜，在半导体基板的另一个主面，通过将第2导电膜堆积，从而形成第2电极，在第2电极之上，形成比第1金属膜薄的第2金属膜，分别在第1金属膜之上以及第2金属膜之上通过非电解镀而一起形成第3金属膜。
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公开(公告)号：CN115732419A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202211031054.5
申请日：2022-08-26
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 中田洋辅
IPC: H01L23/00
Abstract: 目的在于提供能够在通过加压接合工序安装半导体元件时抑制防水层产生裂纹、抑制半导体装置的耐压下降的技术。半导体装置具有：半导体基板，其规定有单元区域、分离区域及末端区域，单元区域是流过电流的有源区域，分离区域设置于比单元区域更靠外周侧，在耐压保持时限制电场的产生，末端区域具有设置于比分离区域更靠外周侧的保护环区域和设置于比保护环区域更靠外周侧且在耐压保持时限制耗尽层的延伸的剩余区域；绝缘层，其在分离区域和末端区域将半导体基板的上表面覆盖；表面电极，其在单元区域和分离区域设置于半导体基板的上表面和绝缘层的上表面的一部分；以及防水层，其将绝缘层的从表面电极露出的部分覆盖。防水层与表面电极分离地设置。
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公开(公告)号：CN108292640B
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN201580084694.4
申请日：2015-11-25
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/473 , H01L25/07 , H01L25/18
Abstract: 目的在于提供能够提高半导体装置的冷却性能的技术。半导体装置具备：鳍片部(16)，其包含与导热性基座板(11)的下表面连接的多个凸起部；冷却部件(17)，其与供朝向鳍片部(16)的冷媒流入的流入口(17a)、以及使来自鳍片部(16)的冷媒流出的流出口(17b)连接，且冷却部件(17)将鳍片部(16)覆盖；以及头部(18)，其是设置于流入口(17a)与鳍片部(16)之间，被以能够使冷媒从流入口(17a)流通至鳍片部(16)的方式与鳍片部(16)隔开的储水室。
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公开(公告)号：CN111971793A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN201880092357.3
申请日：2018-04-18
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 中田洋辅
Abstract: 在基座板(1)的主面配置有半导体元件(4a～4d)和配线用元件(5)。第1导线(11a～11e)对外部电极(7a～7e)与配线用元件(5)的第1中继焊盘(8a～8e)进行连接。第2导线(12a～12e)对半导体元件(4a～4d)的焊盘(13a～13e)与配线用元件(5)的第2中继焊盘(9a～9e)进行连接。树脂(15)对半导体元件(4a～4d)、配线用元件(5)以及第1导线、第2导线(11a～11e、12a～12e)进行封装。第2导线(12a～12e)比第1导线(11a～11e)细。焊盘(13a～13e)比第1中继焊盘(8a～8e)小。
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