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公开(公告)号：CN118412287A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410086621.X
申请日：2024-01-22
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 目的在于提供在不使与绝缘层的下表面接合的金属板的刚性提高的状态下，能够降低在半导体模块与金属基座板接合时产生的向绝缘层的应力的技术。半导体装置(100)的制造方法具有传递模塑工序和模塑封装安装工序。模塑封装安装工序包含下述工序，即，经由第2接合材料(9)将半导体模块(50)配置于金属基座板(1)的上表面，在对金属基座板、第2接合材料及半导体模块进行加热而使第2接合材料熔融后，将金属基座板、第2接合材料及半导体模块冷却而使第2接合材料固化。在金属基座板、第2接合材料及半导体模块冷却时，第2接合材料的固相线处的金属基座板的上表面温度与第1金属板(4)的下表面温度之差小于或等于5℃。
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公开(公告)号：CN110621988A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201880028252.1
申请日：2018-05-11
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G01N25/72 , G01N21/956
Abstract: 目的在于提供一种缺陷检查装置，在通过激光照射来加热作为被检查物的样品(17)并进行检查时，抑制检查区域外的温度上升，提高空洞的检测分辨率。缺陷检查装置具备：载置台(3)，载置样品(17)，该样品(17)包括通过接合材料接合的第一部件(15)和第二部件(16)；激光光源(1)，对第一部件(15)被载置于载置台(3)的样品(17)所包括的第二部件(16)的表面照射激光而加热样品；以及红外线照相机(2)，检测从被激光加热的第二部件(16)的表面辐射的红外线。载置台(3)包括冷却部(3a)，该冷却部(3a)冷却样品(17)所包括的第一部件(15)。
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公开(公告)号：CN119604969A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202280096633.X
申请日：2022-06-14
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/60 , B23K26/352 , H01L21/3205 , H01L21/56 , H01L21/768 , H01L23/522 , H10D30/60
Abstract: 本公开涉及一种半导体装置及其制造方法，其目的在于提供一种半导体装置及其制造方法，通过激光照射对表面电极的最外层表面进行改性，从而能够实现半导体装置的低成本化及组装性提高。包括本公开的表面电极焊料接合部、焊料、树脂密封材料以及安装于表面电极焊料接合部之下的半导体元件。表面电极焊料接合部具有将最外层表面氧化及粗糙化后的第一激光改性部、和与所述焊料相接合的第一焊料接合区域，激光改性部被树脂密封材料覆盖。
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公开(公告)号：CN110235243B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN201780084722.1
申请日：2017-01-30
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 向铜基座板(3)配置金属掩模(51)。在金属掩模(51)的多个开口部(53)填充焊膏(15)，由此，在铜基座板(3)的铜板(5b、5c、5d)的每一者形成焊膏(15)的图案。在焊膏(15)的图案载置半导体元件(9、11)以及导电部件(13)。向铜基座板(3)配置金属掩模(55)。接下来，在金属掩模(55)的多个开口部(57)填充焊膏(17)，由此，形成覆盖半导体元件(9、11)以及导电部件(13)这两者的焊膏(17)的图案。以与对应的焊膏(17)的图案接触的方式配置大容量中继基板(21)。通过在大于或等于200℃的温度条件下进行热处理，功率半导体装置(1)完成。
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公开(公告)号：CN119895564A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202280100109.5
申请日：2022-09-29
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 一种接合构件(1)，接合第1对象物(2)和第2对象物(3)。接合构件(1)包含将Ni作为主成分包含的金属粒子(11)、将Sn作为主成分包含且具有小于300℃的熔点的低熔点相(12)和通过Sn与金属粒子(11)间的相互扩散产生的具有300℃以上的熔点的金属间化合物(13)。低熔点相(12)的量相对接合构件(1)的总量的比例为2体积％以上且小于20体积％。第1对象物(2)及第2对象物(3)的热膨胀系数为3×10‑6/K以上且小于13×10‑6/K，第1对象物(2)与第2对象物(3)间的热膨胀系数的差小于5×10‑6/K。接合构件(1)的热膨胀系数为16×10‑6/K以上且小于20×10‑6/K。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118872051A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202280093562.8
申请日：2022-03-17
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/48
Abstract: 半导体装置具有：半导体基板(1)，其形成有半导体元件；表面电极(2)，其形成于半导体基板(1)的表面之上；保护膜(3)，其具有将表面电极(2)的一部分露出的开口部；镀敷电极(4)，其形成于在保护膜(3)的开口部露出的表面电极(2)之上；以及引线框(6)，其经由接合材料(5)与镀敷电极(4)连接。半导体基板(1)、表面电极(2)、保护膜(3)、镀敷电极(4)、引线框(6)被模塑树脂(7)封装。接合材料(5)将开口部的缘部的保护膜(3)覆盖，开口部的缘部的保护膜(3)被接合材料(5)覆盖的部分的宽度大于引线框(6)和镀敷电极(4)之间的接合材料(5)的厚度。
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公开(公告)号：CN116264200A
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202211574121.8
申请日：2022-12-08
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L23/49
Abstract: 获得成品率高、容易制造的半导体装置。在半导体芯片(1)的第1主面形成有第1主电极(10)和第1控制电极焊盘(15)。在半导体芯片(1)的第2主面形成有第2主电极(29)和第2控制电极焊盘(31)。第2主电极(29)和第2控制电极焊盘(31)分别接合到绝缘基板(36)的第1金属图案(39)以及第2金属图案(40)。第1导线(42)以及第2导线(43)的键合部在俯视观察时与第2主电极(29)或第2控制电极焊盘(31)的接合部重叠。第1金属图案(39)以及第2金属图案(40)的厚度小于等于0.2mm。
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公开(公告)号：CN113257768A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110178885.4
申请日：2021-02-07
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 境纪和
Abstract: 本发明的目的在于，在电力用半导体装置中，不影响半导体元件的布局或者绝缘性能而对接合材料的缩孔进行抑制。电力用半导体装置(101)具有：散热板(1)；绝缘基板(3)，其通过含有凝固点不同的多个元素的接合材料而与散热板(1)的上表面的接合区域(12)接合；半导体元件(5)，其搭载于绝缘基板(3)的上表面；以及键合导线(8w)，其以在俯视观察时包围半导体元件(5)的方式键合于散热板(1)的上表面的接合区域(12)。
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公开(公告)号：CN119153338A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202410284495.9
申请日：2024-03-13
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 境纪和
Abstract: 本发明的半导体装置的制造方法以及半导体装置，实现兼顾使接合材料扩展到被接合体的角部和控制接合材料的密度，并且有助于提高半导体装置的可靠性。半导体装置的制造方法具备：将膏状的接合材料供给到母材之上的工序；和在接合材料之上载置被接合体，用被接合体压扁接合材料，并且通过接合材料使被接合体接合于母材的工序。被接合体在俯视观察时为矩形。供给到母材之上的接合材料具有：位于被接合体的中央的中央部、从中央部朝向被接合体的各顶点延伸并具有与被接合体的各顶点的角形状对应的形状的延伸部、以及从被接合体的各边后退的后退部。接合材料向被接合体的侧面爬升的上端与被接合体的上表面之间的距离为40μm以上。
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公开(公告)号：CN118299359A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202311851209.4
申请日：2023-12-29
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/31
Abstract: 本公开的目的在于，提供能够用简单的方法抑制对半导体元件进行密封的密封树脂的剥离的技术。半导体装置(100)具备：绝缘基板(1)，在表面设置有表面金属图案(1b)；半导体元件(2)，搭载于表面金属图案(1b)之上；布线导线(4)，与半导体元件(2)的表面电极连接；密封树脂(6)，密封绝缘基板(1)以及半导体元件(2)；以及金属导线(5)，沿着表面金属图案(1b)之上，配置于半导体元件(2)的周围。半导体元件(2)与金属导线(5)之间的距离大于半导体元件(2)的厚度。
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