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公开(公告)号：CN114096326A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202080036027.X
申请日：2020-10-22
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: A99Z99/00
Abstract: 该Ag合金溅射靶由包含Ge和In的Ag合金构成，且利用舍勒方程式求出的微晶直径为以下。所述Ag合金优选为如下组成：在0.1质量％以上且1.5质量％以下的范围内包含In、在0.1质量％以上且7.5质量％以下的范围内包含Ge，且剩余部分为Ag及不可避免的杂质。
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公开(公告)号：CN113166923A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201980077191.2
申请日：2019-12-05
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C23C14/14 , C22C5/06 , C23C14/34 , G02F1/1335 , G02F1/1343 , C22F1/00 , C22F1/14
Abstract: 本发明中，Pd的含量为40质量ppm以下、Pt的含量为20质量ppm以下、Au的含量为20质量ppm以下、Rh的含量为10质量ppm以下、且Pd、Pt、Au及Rh的总含量为50质量ppm以下，剩余部分由Ag与不可避免杂质构成。
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公开(公告)号：CN105525262B
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201510655265.X
申请日：2015-10-12
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明提供一种溅射靶及层叠膜，本发明的溅射靶包含30质量％以上且50质量％以下的Zn、5质量％以上且15质量％以下的Ni、2质量％以上且10质量％以下的Mn，还包含共计0.001质量％以上且0.2质量％以下的选自Fe、Sn、Sb的一种或两种以上的元素，剩余部分由Cu和不可避免杂质构成。
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公开(公告)号：CN105378140A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201480038329.5
申请日：2014-05-27
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: C22C5/06 , C22C5/08 , C23C14/3414 , H01B1/02
Abstract: 本发明提供一种能够稳定地进行DC溅射的Ag合金溅射靶。本发明的Ag合金溅射靶具有含有0.1～1.5质量％的In且剩余部分由Ag及不可避免的杂质构成的组成，氧浓度为50质量ppm以下，在靶的厚度方向整个区域，通过超声波探伤装置测定的空隙压坏部的面积率相对于溅射表面的面积为1.0×10-4以下。
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公开(公告)号：CN105074047A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201480018190.8
申请日：2014-03-27
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: H01J37/3429 , B22D11/004 , B22D11/006 , B22D13/02 , B22D13/023 , B22D21/025 , C22C9/00 , C23C14/0623 , C23C14/3414 , H01J37/3423
Abstract: 该圆筒型溅射靶为Cu-Ga合金圆筒型溅射靶，其由含有15～35原子％的Ga的Cu合金所构成，所述Cu合金具有粒状结晶组织。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104246002A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201280071819.6
申请日：2012-11-14
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Inventor： 小见山昌三
IPC: C23C14/34 , B21C1/00 , B21C23/00 , B21C23/08 , C22C5/06 , C22F1/14 , H01L51/50 , H05B33/10 , H05B33/26 , C22F1/00
CPC classification number: C23C14/3414 , B21C23/002 , C22C5/06 , C22F1/00 , C22F1/14 , H01J37/3423 , H01J37/3426 , H01J37/3429 , H01J2237/332 , H01L51/5228
Abstract: 本发明的银系圆筒靶材的特征在于，其由银或银中固溶有添加成分的单相银合金构成，在包括圆筒的中心轴的截面上，沿所述中心轴的方向上的晶粒的直径A和与所述中心轴正交的方向上的所述晶粒的直径B之比A/B为0.8～1.2，含氧量为100ppm以下，非金属夹杂物含量为20ppm以下。
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公开(公告)号：CN102421931B
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201080020030.9
申请日：2010-10-05
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: C23C14/14 , C22C5/06 , C23C14/3414 , H01L51/5218 , Y10T428/21
Abstract: 有机EL元件的反射电极膜形成用银合金靶，其是具有含有In：0.1～1.5质量%，剩余部分由Ag和不可避免的杂质构成的成分组成的银合金靶，其特征在于，该合金的晶粒的平均粒径为150～400μm，上述晶粒的粒径偏差为平均粒径的20%以下。
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公开(公告)号：CN103298970A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201280003192.0
申请日：2012-05-09
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: C23C14/3414 , C22C5/06 , H01B1/02 , H01L51/5218
Abstract: 本发明提供一种导电性膜形成用银合金溅射靶及其制造方法，本发明的溅射靶的一种形态具有包含0.1～1.5质量%的In且剩余部分由Ag及不可避免杂质构成的成分组成，并且合金晶粒的平均粒径在30μm以上且小于150μm，所述晶粒的粒径的偏差在平均粒径的20%以下。本发明的溅射靶的制造方法的一种形态为在具有所述成分组成的熔炼铸锭上依次实施热轧工序、冷却工序及机械加工工序，在所述热轧工序中，以每1道次的压下率为20～50%、应变速度为3～15/sec、及道次后的温度为400～650℃的条件进行1道次以上的精热轧，在所述冷却工序中，以200～1000℃/min的冷却速度进行淬冷。
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公开(公告)号：CN102197488A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN200980141877.X
申请日：2009-09-24
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/28 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49
CPC classification number: H01L29/458 , H01L29/66765
Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管，其在阻挡膜与电极膜之间具有密合强化膜，密合强化膜由（a）形成于电极膜侧的纯铜化区域、以及（b）形成于与阻挡膜的界面部且构成成分由Cu、Ca、氧和Si构成的成分凝集区域这两个区域构成，在成分凝集区域的厚度方向的Ca和氧的浓度分布中，Ca和氧的含量波峰的最高含量分别为Ca：5～20原子％、和氧：30～50原子％。
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公开(公告)号：CN102165596A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN200980137645.7
申请日：2009-09-24
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 株式会社爱发科
IPC: H01L29/786 , H01L21/28 , H01L29/417
CPC classification number: H01L29/458 , H01L29/66765 , H01L29/78621
Abstract: 本发明的薄膜晶体管的一种方式为，漏电极膜及源电极膜具有复合铜合金膜，该复合铜合金膜包括与阻挡膜相接触地形成的含氧-钙浓缩层铜合金基底层、以及在其上形成的Cu层，含氧-钙浓缩层铜合金基底层具有浓缩层，浓缩层含有Ca：2-30摩尔％、氧：20-50摩尔％，作为残余部分，含有Cu及不可避免的杂质。本发明的薄膜晶体管的另一种方式为，漏电极膜及源电极膜具有复合铜合金膜，该复合铜合金膜包括与阻挡膜相接触地形成的含氧-Ca(Al，Sn，Sb)浓缩层铜合金基底层、以及在其上形成的Cu合金层，含氧-Ca(Al，Sn，Sb)浓缩层铜合金基底层为具有浓缩层的铜合金基底层，浓缩层含有Ca：2-30摩尔％；从Al、Sn及Sb中选择的1种或2种以上共计1-10摩尔％；氧：20-50摩尔％，作为残余部分，含有Cu及不可避免的杂质。
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