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公开(公告)号：CN105200399A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201510546241.0
申请日：2015-08-31
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： C23C16/52 , H01L21/283
摘要： 本发明提供了一种常压炉管生长的薄膜厚度的控制方法，包括：检测得到全年大气压力变化趋势；将全年大气压力变化趋势分成若干不同的压力范围区间；设定每个压力范围区间内薄膜的生长时间，以使薄膜达到目标厚度；按照所设定的时间在常压炉管中生长薄膜。本发明的常压炉管生长的薄膜厚度的控制方法，可以减小在全年不同的压力下所得到的薄膜厚度差异，实现常压炉管生长的薄膜厚度的可控性。
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公开(公告)号：CN103258758B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201310166041.3
申请日：2013-05-07
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 本发明涉及膜厚量测机台中颗粒的监控方法及控片，其中，控片包括第一控片和第二控片，第一控片包括一硅衬底和位于其上的的薄膜；第二控片包括一硅衬底和位于其上的大于的薄膜。通过采用上述的第一控片和第二控片分别对膜厚量测机中的单波长椭偏仪功能模块和宽带光谱功能模块的工艺制程中的环境颗粒状况进行监控，以全面监控膜厚量测机工艺制程的环境颗粒状况。使用本发明的控片和监控方法所进行的对膜厚量测机功能模块的监控，能够较为客观的反应膜厚量测机在该两个功能模块下的环境颗粒状况，并且对该两个功能模块进行监控能够反应整个膜厚量测机的工艺制程环境颗粒状况。
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公开(公告)号：CN104269351A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201410520740.8
申请日：2014-09-30
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L21/02164 , H01L21/02 , H01L21/0217
摘要： 本发明提供一种用于改善HCD氮化硅沉积工艺在炉管的石英晶舟上造成的应力缺陷的方法，包括：进行干法净化步骤，对所述晶舟进行净化清洁；在所述晶舟表面沉积TEOS缓冲层；在所述TEOS缓冲层上沉积DCS SIN层。本发明改善HCD氮化硅沉积工艺在炉管的石英晶舟上造成的应力缺陷的方法，有效解决了HCD氮化硅工艺的应力和石英晶舟的裂缝问题。
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公开(公告)号：CN104259153A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201410356934.9
申请日：2014-07-24
申请人： 上海华力微电子有限公司
CPC分类号： C23G5/00
摘要： 本发明提供一种炉管清洗工艺，包括：利用二氯乙烯对炉管进行清洗的步骤，还包括：利用升温湿氧工艺对炉管进行清洗的步骤，所述升温湿氧工艺利用水蒸汽将炉管中的金属污染物带走，所述升温湿氧工艺包括：升温步骤，用于将炉管进行升温至第一温度，并通入氢氧点火后形成的水汽；稳定步骤，用于将炉管维持所述第一温度并持续一段时间，并通入氢氧点火后形成的水汽；降温步骤，用于将炉管从所述第一温度降低至第二温度，并通入氢氧点火形成的水汽。本发明利用二氯乙烯工艺与升温湿氧工艺分别对炉管进行清洗，将炉管中的金属污染最大程度的降低。
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公开(公告)号：CN103456616A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201310393733.1
申请日：2013-09-02
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/28
CPC分类号： H01L21/28167 , H01L21/022 , H01L21/02238 , H01L21/02255 , H01L21/28202 , H01L21/28211
摘要： 本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种制备栅氧层的工艺，通过采用氘气的湿氧化工艺制备栅氧层，并利用高温退火工艺对制备的栅氧层进行氮化处理，于栅氧层的表面形成稳定的Si-D键，以减少硅悬键，在降低栅氧界面缺陷的同时，有效降低了栅氧化层的界面缺陷密度和电荷密度，进而有效避免NBTI效应的产生，提高了产品的可靠性能和良率。
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公开(公告)号：CN102446743A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201110265314.0
申请日：2011-09-08
申请人： 上海华力微电子有限公司
发明人： 王智
IPC分类号： H01L21/3105 , H01L21/311
摘要： 本发明一种建立有源区氮化硅膜应用数据库的工艺方法，包括：在每台不同型机台的基底层上生成氮化硅，其中，对基底层上生成的氮化硅进行薄膜的沉积自备，在对已经进行过薄膜自备的氮化硅上进行刻蚀并形成沟槽，并进行曝光，对已所形成的沟槽进行填充物的填充，在进行对氮化硅上的填充物进行化学研磨，之后对氮化硅进行刻蚀，并完全去除氮化硅。发明一种建立有源区氮化硅膜应用数据库的工艺方法，有效的利用改变氮化硅的厚度、填充物的化学研磨完成后，残留的氮化硅厚度以及对氮化硅的刻蚀时间，来实现彻底去除基底层上多余的氮化硅。
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公开(公告)号：CN106409731B
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201610983199.3
申请日：2016-11-09
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/673 , F27D9/00
摘要： 本发明公开了一种炉管的氮气冷却系统及晶圆和晶舟的冷却方法，通过在氮气冷却系统中设置两路冷却管路，每路冷却管路分别采用质量流量控制器控制氮气流量，并通过在两路冷却管路中设置不同的氮气流量，使从冷却晶舟的第一冷却管每个出气孔中喷射出的氮气流量小于从冷却晶圆的第二冷却管每个出气孔中喷射出的氮气流量，以在晶舟舟脚部位产生的颗粒被第一冷却管喷射出的较小流量氮气吹落时，通过第二冷却管喷射出的较大流量氮气吹走，从而既能够很好地冷却晶舟及晶舟上的晶圆，又可防止将晶舟舟脚上的颗粒吹到晶圆上。
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公开(公告)号：CN105977140B
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201610584924.X
申请日：2016-07-22
申请人： 上海华力微电子有限公司
摘要： 本发明提供了一种改善圆晶片内膜厚均匀性的方法，包括：第一步骤：将炉管中的处理温度设置为预定初始工艺温度；第二步骤：在从预定初始工艺温度开始以预定降温速度将温度降温至预定下降温度的过程中，对炉管中的硅片进行材料沉积；第三步骤：在从预定下降温度开始以预定升温速度将温度升温至预定上升温度的过程中，对炉管中的硅片进行材料沉积。
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公开(公告)号：CN106435520B
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201611059866.5
申请日：2016-11-22
申请人： 上海华力微电子有限公司
摘要： 本发明公开了一种炉管尾气处理管道，在外管内并列设有第一、第二内管，第一、第二内管独立设有加热元件，并可通过设于其两端的分路切换阀的切换择一地与外部导通，外管两端连接有接头，接头独立设有加热元件，第一、第二内管分别设有进水口和出水口，用于进出清洗介质；本发明可有效减少副产物在管道内的堆积，降低管道堵塞的几率，保护炉管中工艺产品的安全性；并且自带清洗的功能可使得管道在安装后无须经常更换和清洗，减少了设备的宕机时间。
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公开(公告)号：CN105867338B
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：CN201610355192.7
申请日：2016-05-25
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： G05B19/418 , H01J37/317 , H01J37/32
CPC分类号： Y02P90/02
摘要： 本发明公开了一种离子注入机的智能工艺互锁控制方法及系统，该方法包括如下步骤：收集经过离子注入机的不同工艺产品不同工艺层次的不同工艺过程参数和根据该些工艺过程参数进行离子注入的工艺产品的测量参数；对该些参数进行实时动态分析与处理，将处理后的信息反馈至工艺互锁控制单元；动态优化和调节工艺过程参数，实时采用优化和调节过的工艺过程参数进行离子注入工艺，通过本发明，可提高离子注入工艺的控制精确度，降低时间和人力成本，提高工艺稳定性和产品良率。
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