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公开(公告)号：CN109037178A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201710438574.0
申请日：2017-06-12
申请人： 世界先进积体电路股份有限公司
IPC分类号： H01L23/485 , H01L21/60
摘要： 本发明提出了一种半导体结构及其制造方法，其中半导体结构包括一基底、一第一阱、一第一掺杂区、一第二阱、一第二掺杂区、一场氧化层、一第一导电层、一第一绝缘层以及一第二导电层。基底具有一第一导电型。第一阱形成在基底之中，并具有一第二导电型。第一掺杂区形成在第一阱之中，并具有第二导电型。第二阱形成在基底之中，并具有第一导电型。第二掺杂区形成在第二阱之中，并具有第一导电型。场氧化层设于基底上，并位于第一与第二掺杂区之间。第一导电层重叠场氧化层。第一绝缘层重叠第一导电层。第二导电层重叠第一绝缘层。
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公开(公告)号：CN112289844B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN201910671073.6
申请日：2019-07-24
申请人： 世界先进积体电路股份有限公司
摘要： 本发明实施例提供一种半导体装置结构。上述半导体装置结构包含半导体基底及设置于半导体基底内的第一阱，第一阱具有第一导电型态。上述半导体装置结构亦包含第一掺杂区，其镶入于第一阱内，具有与第一导电型态不同的第二导电型态。上述半导体装置结构更包含第二阱，其具有第二导电型态。此外，上述半导体装置结构包含第一金属电极及第二金属电极，第一金属电极设置于半导体基底的第一掺杂区上。第二金属电极设置于半导体基底的第二阱上。本发明提供了一种半导体装置结构，在电连接至高压端的区域设置阱取代浓度较大的掺杂区，能提升半导体装置结构作为静电保护装置的能力。
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公开(公告)号：CN113948573A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202010692681.8
申请日：2020-07-17
申请人： 世界先进积体电路股份有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/08 , H01L21/336
摘要： 高压半导体器件及其形成方法，所述高压半导体器件包括基底，栅极结构、漏极、第一绝缘结构、以及漏极掺杂区。栅极结构设置在基底上。漏极则设置于基底内，并位于栅极结构的一侧。第一绝缘结构设置于基底上，位于栅极结构的下方且部分重叠于栅极结构。漏极掺杂区设置于基底内，位在漏极与第一绝缘结构下方并且具有不连续的一底面。
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公开(公告)号：CN108878513B
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN201710320448.5
申请日：2017-05-09
申请人： 世界先进积体电路股份有限公司
IPC分类号： H01L29/36 , H01L21/337 , H01L29/80
摘要： 本发明提出了一种半导体装置及其制造方法，其半导体装置包括一半导体基底、一第一阱、一第二阱、一第一掺杂区、一第二掺杂区、一第三掺杂区以及一第四掺杂区。半导体基底具有一第一导电型。第一阱形成于半导体基底中，并具有一第二导电型。第一阱具有一第一区域以及一第二区域。第一区域的掺杂浓度高于第二区域的掺杂浓度。第二阱具有第一导电型，并形成于第一区域之中。第一掺杂区具有第二导电型，并形成于第一区域之中。第二导电型不同于第一导电型。第二掺杂区具有第一导电型，并形成于第二阱之中。第三掺杂区具有第一导电型，并形成于第二区域之中。第四掺杂区具有第二导电型，并形成于第一区域之中。
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公开(公告)号：CN108878505B
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN201710320459.3
申请日：2017-05-09
申请人： 世界先进积体电路股份有限公司
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/808 , H01L21/337
摘要： 本发明提出了一种半导体装置及其制造方法，所述半导体装置包含半导体基底、第一阱和第二阱，半导体基底具有第一导电类型，第一和第二阱设置在半导体基底内，第一和第二阱具有与第一导电类型相反的第二导电类型。半导体装置也包含第一顶层和第二顶层，第一顶层设置在半导体基底内，第一顶层从第一阱延伸至第二阱且具有第一导电类型，第二顶层设置在半导体基底内和第一顶层上，第二顶层从第一阱延伸至第二阱且具有第二导电类型。
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公开(公告)号：CN110634834A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201810658647.1
申请日：2018-06-25
申请人： 世界先进积体电路股份有限公司
IPC分类号： H01L23/528 , H01L27/06
摘要： 本发明提供了一种半导体结构，包括一基底、一第一井区、一场氧化层、一第一导线以及一第二导线。基底具有一第一导电型。第一井区形成在基底中，并具有一第二导电型。场氧化层设于第一井区上。第一导线形成在场氧化层上，并直接接触场氧化层。第二导线形成在场氧化层上，并直接接触场氧化层。第一及第二导线在空间上彼此分隔。
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公开(公告)号：CN108878505A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201710320459.3
申请日：2017-05-09
申请人： 世界先进积体电路股份有限公司
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/808 , H01L21/337
摘要： 本发明提出了一种半导体装置及其制造方法，所述半导体装置包含半导体基底、第一阱和第二阱，半导体基底具有第一导电类型，第一和第二阱设置在半导体基底内，第一和第二阱具有与第一导电类型相反的第二导电类型。半导体装置也包含第一顶层和第二顶层，第一顶层设置在半导体基底内，第一顶层从第一阱延伸至第二阱且具有第一导电类型，第二顶层设置在半导体基底内和第一顶层上，第二顶层从第一阱延伸至第二阱且具有第二导电类型。
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公开(公告)号：CN108807512A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201710310685.3
申请日：2017-05-05
申请人： 世界先进积体电路股份有限公司
IPC分类号： H01L29/36 , H01L29/66 , H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/063 , H01L29/0615 , H01L29/36 , H01L29/66477 , H01L29/78
摘要： 本发明提出一种半导体装置及其形成方法，其中半导体装置包含具有第一导电类型的半导体基底，以及设置于半导体基底内的第一阱，其中第一阱具有与第一导电类型相反的第二导电类型。半导体装置也包含设置于半导体基底内和第一阱下的埋置层，其中埋置层具有第一导电类型且接触第一阱。半导体装置更包含设置于半导体基底上的源极电极、漏极电极和栅极结构，其中栅极结构位于源极电极和漏极电极之间。
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公开(公告)号：CN105321988B
公开(公告)日：2018-10-30
申请号：CN201410312453.8
申请日：2014-07-02
申请人： 世界先进积体电路股份有限公司
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/423 , H01L21/283
摘要： 本发明提供了一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括具有一第一导电类型的一基板以及设置于该基板上的该第一导电类型的外延结构。该半导体装置还包括设置于该外延结构与该基板之内的具有一第二导电类型的一第一掺杂浓度的一井区。该半导体装置还包括一漏极区与一源极区，设置于该外延结构内，且分别位于该井区之内与之外。该半导体装置还包括具有该第一导电类型的一主体区，位于该源极区之下，以及一对第一掺杂区与第二掺杂区，设置于该漏极区与该源极区之间的该井区内。所述第一掺杂区与该第二掺杂区朝向该主体区而延伸至该井区之外。本发明能够在不增加晶体管的导通电阻或尺寸的前提下，而增加半导体装置的崩溃电压。
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公开(公告)号：CN104810398B
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201410043603.X
申请日：2014-01-29
申请人： 世界先进积体电路股份有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/08 , H01L29/06 , H01L21/336
摘要： 本发明提供了一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括：半导体基底，具有第一导电型；外延结构，具有第一导电型；阱，具有第二导电型，其中第二导电型与第一导电型相反；漏极区及源极区；至少一组第一、第二及第三重掺杂区，形成于漏极区与源极区之间的阱内，其中第一、第二及第三重掺杂区由下而上依序邻接，且第二重掺杂区的掺杂浓度大于阱的掺杂浓度，第一及第三重掺杂区的掺杂浓度相似于阱的掺杂浓度，其中第二重掺杂区具有第一导电型，第一及第三重掺杂区具有第二导电型；以及栅极结构，设置于外延结构上。本发明能提供更多电流路径、更有效地分散电流以避免电流过于集中于漂移区的某一部分而造成元件损坏。
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