公开(公告)号：CN102549717A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201080043874.5

申请日：2010-09-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 片山大介 ,  本多稔 ,  鸿野真之 ,  中西敏雄

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/24 ,  C23C16/511

CPC classification number: C23C16/24 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J2237/3321 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H05H1/46

Abstract: 本发明提供通过等离子体CVD法以高成膜速率形成质优的结晶性硅膜的方法。使用通过具有多个孔的平面天线将微波导入处理容器内而生成等离子体的等离子体CVD装置，利用上述微波激励包含以式SinH2n+2表示的硅化合物的成膜气体而生成等离子体，使用该等离子体进行等离子体CVD，由此，在被处理体的表面堆积结晶性硅膜，其中，n是2以上的数。

公开(公告)号：CN100380593C

公开(公告)日：2008-04-09

申请号：CN200610001791.5

申请日：2003-12-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 大西正 ,  滨学 ,  本多稔 ,  光冈一行 ,  岩下光秋

IPC: H01L21/263 ,  H01L21/00 ,  C23C16/517 ,  B05D3/06

Abstract: 为了能够可靠地除去被处理体中积蓄的电荷，本发明提供一种薄膜处理系统，包括：电荷量测定部件，测定被处理体的薄膜上带电电荷量；以及电子束处理装置，具有将电子束照射到所述被处理体上并除去所述电荷的多个电子束管，其特征在于：所述电子束处理装置具有：向处理容器内供给稀有气体的部件；以及根据所述电荷量测定部件的测定结果控制所述多个电子束管的输出或照射时间的控制装置，通过向所述处理容器内供给的稀有气体，将电子束照射到所述被处理体上。由此，可以获得均匀的薄膜处理。

公开(公告)号：CN1534732A

公开(公告)日：2004-10-06

申请号：CN200410030916.8

申请日：2004-03-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 光冈一行 ,  本多稔 ,  康松润 ,  斋藤祐介

IPC: H01L21/30 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/027 ,  G03F7/00

CPC classification number: H01L21/31058 ,  Y10S430/143

Abstract: 本发明提供一种电子束处理方法，它是使用电子束来处理形成在晶片表面上的SOD膜的方法，其中，经由甲烷气体将电子束照射在SOD膜上。在专利文献1、2中提出的固化方法的情况下，都可以利用电子束使有机材料膜的表面层部固化来改善机械强度，但会使有机材料膜的k值恶化，并且构成有机材料的甲基分解，导致湿洗净时的耐药品性降低。