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公开(公告)号：CN104051561A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410317327.1
申请日：2014-07-04
Applicant: 东南大学
IPC: H01L31/107 , H01L31/0352 , H01L31/0304
CPC classification number: H01L31/107 , H01L31/03048 , H01L31/035236
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓基紫外雪崩光电探测器，包括由下至上依次设置的蓝宝石衬底、低温成核层、n型Al组分渐变AlxInyGa1-x-yN层、Alx1Iny1Ga1-x1-y1N/Alx2Iny2Ga1-x2-y2N多量子阱结构吸收区、Al组分渐变Alx3Iny3Ga1-x3-y3N层和Alx4Iny4Ga1-x4-y4N/Alx5Iny5Ga1-x5-y5N多量子阱结构倍增区；由于多量子阱具有高吸收系数、高横向载流子迁移率和强极化效应等优点，因此将氮化镓基紫外雪崩光电探测器的吸收区和倍增区设计为多量子阱结构，既可以提高氮化镓基紫外雪崩光电探测器的量子效率和响应度、自由调谐其截止波长，又能有效降低其雪崩击穿电压阈值，对于制备高性能的紫外光电探测器具有重要的意义。
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公开(公告)号：CN103390341A
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：CN201310295177.4
申请日：2013-07-15
Applicant: 东南大学
IPC: G08C23/04
Abstract: 本发明公开了一种基于触控技术的万能学习型红外遥控装置，包括：用于输入控制信号的触控面板；用于接收触控面板输出信号并进行信号分析与处理的触控信号微处理器；用于接收触控信号微处理器输出信号，并对红外信号进行分析与处理的红外编码分析模块；用于向后端被控设备发送信号，以及接收待学习遥控设备红外信号并向前端红外编码分析模块输入信号的红外收发模块；被控设备为两种或两种以上不同的电器设备。该红外遥控装置可以兼容多种不同电器的遥控学习功能，通过该遥控装置可实现对多种电器的控制；同时本发明还公开了该红外遥控装置的控制方法，该方法可降低遥控器代码所需的存储空间，且可学习的红外编码不受固定红外协议限制。
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公开(公告)号：CN103034014A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210580488.0
申请日：2012-12-26
Applicant: 东南大学
IPC: G02F1/355
CPC classification number: G02F1/015 , G02F2202/30 , G02F2203/13 , G02F2203/15
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹波调制器，包括太赫兹波可透过的半导体衬底（1）、在半导体衬底（1）上按一定周期分布的金属氧化物半导体场效应管阵列（2）、在金属氧化物半导体场效应管阵列（2）上制备的超材料谐振单元阵列（3）、第一金属板（4）和第二金属板（5）；第一金属板（4）与金属氧化物半导体场效应管的源极及漏极相连接；第二金属板（5）与金属氧化物半导体场效应管的栅极相连接。本发明中的金属氧化物半导体场效应管的工作电压很低，使得以其制备的太赫兹波调制器可于低电压下工作。金属氧化物半导体场效应管的开关时间极短，为10～100ns量级，使得以其制备的太赫兹波调制器的调制速率可大于10MHz。
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公开(公告)号：CN102983240A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201210533023.X
申请日：2012-12-11
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种具有透明导电层的紫外发光二极管芯片及其制备方法，芯片包括蓝宝石衬底、氮化铝缓冲层、n型铝镓氮层、铝镓氮多量子阱有源层、p型铝镓氮电子阻挡层、p型氮化镓层和氧化锌基透明导电层，以及在氧化锌基透明导电层上的p型金属电极，在n型铝镓氮上的n型金属电极。制备方法采用了金属有机物化学气相沉积和脉冲激光沉积法。本发明具有低电阻率，高紫外光透光率的优点，制备原料丰富，价格低廉，不污染环境。
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公开(公告)号：CN102081486B
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201010598376.9
申请日：2010-12-21
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明提供一种电容式触摸感应器，该感应器包括绝缘基板（1）、在绝缘基板（1）上表面形成的包含第一感应单元（21）阵列的第一感应电极（2）、第一辅助感应单元（22）阵列和第一感应电极引线（23）；在基板（1）下表面的包含第二感应单元（31）阵列的第二感应电极（3）和第二感应电极引线（33）；其中，第一感应电极（2）与第二感应电极（3）互相正交；第一感应单元（21）阵列和第二感应单元（31）阵列互相交错；第一感应单元（21）阵列和第一辅助感应单元（22）阵列互相交错并与第二感应单元（31）阵列互相重叠。
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公开(公告)号：CN101783276B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201010105957.4
申请日：2010-02-03
Applicant: 东南大学
IPC: H01J17/49
Abstract: 本发明公开了一种等离子体显示板。它主要包括前、后基板及夹在前、后基板中用于支撑前、后基板的包含网格孔阵列的导电荫罩，其每一网格孔与寻址电极和扫描电极垂直相交，形成基本放电单元。本发明的特征在于每一网格孔内存在两个下开口，它们按网格孔纵向分布，且尽量远离网格孔横向中心线，上开口与两个下开口的中心不重合，但中心距相等，这样在扫描电极与寻址电极上施加点火电压后，在放电空间内将形成由上开口指向两个下开口的两条倾斜放电路径。本发明公开的等离子体显示板既延长了扫描电极与寻址电极间的放电路径、增加了荧光粉的涂覆面积，又降低了工作电压，从而能够提高显示板的亮度和发光效率。
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公开(公告)号：CN102520532A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110427332.4
申请日：2011-12-19
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹波高速调制器及其制作方法，包括衬底层，在该衬底层上生长有缓冲层，在该缓冲层生长有应变量子阱结构，在该应变量子阱结构的上表面制备的由金属谐振单元周期阵列组成的金属超材料结构；所述缓冲层与衬底层材料相同，所述势阱层的能带隙小于势垒层，且所述势垒层与衬底层的晶格常数的相同或相差0.5%以内。本发明应变量子阱结构内具有由应变产生的极强的压电场，能够显著延长光生载流子的复合寿命和浓度，从而极大降低对调制激光器功率的要求；通过改变InGaAs/GaAs应变量子阱中In组分和量子阱宽度，可灵活地调节内部压电场的大小和电荷空间分离的程度，进而方便地调节本发明调制速率。
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公开(公告)号：CN102360270A
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：CN201110301963.1
申请日：2011-09-28
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于触摸键盘的输入显示方法及设备，方法包括如下步骤：从手指触摸到手指离开触控面板的时间间隔内，触控面板接收手指的触摸信息，当触摸时间小于按键持续最大时间时，显示设备上不断闪烁手指实时触摸点对应的键盘字符，通过小距离移动手指来寻找目标字符位置，并在手指离开触控面板后输出并显示单个目标字符；当触摸时间超过按键持续最大时间时，字符停止闪烁，连续输出，直到手指离开触摸屏，停止字符输出。设备包括触控面板、触摸信号微处理器、键盘编码模块、显示输出控制模块和通讯模块。方法和设备提高了输入的准确度，方便了用户使用。
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公开(公告)号：CN102243438A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN201110185296.5
申请日：2011-07-04
Applicant: 东南大学
IPC: G03F7/00
Abstract: 本发明公开了一种纳米周期结构光子晶体的制造方法，包括如下步骤：(1)在样品表面涂一层厚度低于150纳米的感光胶；(2)将反射镜和样品竖直固定在样品台上；(3)通过公式2dSinθ＝nλ选择入射到样品表面的激光束波长λ和入射角θ；(4)对样品进行第一次曝光；(5)将固定有样品的样品架旋转60°或者90°后进行第二次曝光，获得具有纳米周期结构的三角格子或者正方格子的光子晶体图案；(6)将经历两次曝光的样品从样品架上取下，进行显影、定影、烘烤、刻蚀系列标准工艺工程，直至在样品表面获得纳米周期结构的光子晶体。本发明提供的方法简单、快速，能够在各种材料表面制成高精度和高对比度的纳米周期结构的光子。
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公开(公告)号：CN101976001A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN201010503132.8
申请日：2010-09-30
Applicant: 东南大学
IPC: G02F1/1335 , G02F1/1343 , G02B27/26 , G09G3/20
Abstract: 本发明公开了一种三维显示器及显示方法，该显示器包括彼此平行设置的显示器(1)和偏振器(2)，显示器(1)偏振膜(7)、第一基板(8)、前透明电极(10)、第一取向层(12)、液晶材料(14)、第二取向层(13)、后透明电极(11)、第二基板(9)；偏振膜(7)偏振方向与第一取向层(12)取向平行，与第二取向层(13)取向垂直；或与第二取向层(13)取向平行，与第一取向层(12)取向垂直；第一取向层(12)、第二取向层(13)的取向互相垂直。本发明相对于现有的三维显示器而言，制作方法简单，成本低，并能够实现二维与三维的快速切换。
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