公开(公告)号：CN105347848B

公开(公告)日：2018-04-06

申请号：CN201510675208.8

申请日：2015-10-19

申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所

发明人： 齐海涛 ,  张丽 ,  史月增 ,  孟大磊 ,  窦瑛 ,  张皓 ,  张政 ,  徐所成 ,  赖占平

IPC分类号： C04B41/85 ,  H05B3/14 ,  H05B6/02

摘要： 本发明公开了一种高温用复合材质石墨加热器的制备方法。该方法依照以下步骤进行：（A）石墨加热器预处理；（B）金属箔预处理；（C）金属箔贴附；（D）高温热处理。采取本方法可以将石墨加热器完美转化成金属碳化物－石墨复合材质石墨加热器。该复合材质石墨加热器既保留了石墨加热器的加热功能，又具有了金属碳化物的高温抗腐蚀性能，既可实现石墨与内部被加热元件的物理隔离，又可杜绝高温下石墨内表面的碳挥发。该方法还可消除金属箔直接在惰性气氛，如氩气、氦气或真空中碳化造成的碎裂、鼓泡和无法完整贴合等问题。

公开(公告)号：CN104947182A

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201510417397.9

申请日：2015-07-16

申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所

发明人： 窦瑛 ,  徐永宽 ,  孟大磊 ,  张皓 ,  张政 ,  徐所成

IPC分类号： C30B23/00 ,  C30B29/36

摘要： 本发明涉及一种快速生长大尺寸高纯半绝缘碳化硅单晶的方法，该方法一方面通过对生长室内的进行多次气体置换，实现生长室与空气的隔离，降低单晶中的氮含量，另一方面，该方法通过提高PVT法碳化硅单晶生长系统中的源粉和籽晶之间的温度梯度和/或降低生长室压力来实现碳化硅单晶的快速生长，高纯半绝缘碳化硅单晶晶型包括4H、6H、3C和15R或这四种晶型的任意组合晶型，有益效果是，提高了碳化硅单晶的电阻率，碳化硅单晶生长速度可达到0.5mm/h~2mm/h，超出常规速度数倍，进一步提高了碳化硅单晶片的产率。

公开(公告)号：CN104341342A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201410570172.2

申请日：2014-10-23

申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所

发明人： 庞子博 ,  孟大磊 ,  马思睿 ,  窦瑛 ,  程红娟 ,  洪颖 ,  徐永宽

IPC分类号： C07D213/38

CPC分类号： C07D213/38

摘要： 本发明公开了一种高产率、高纯度的DAST源粉合成工艺。合成工艺分为两步：1.以无水乙醇为溶剂，进行4-甲基吡啶与对甲苯磺酸甲酯的反应，制备出4-甲基-N-甲基吡啶对甲苯磺酸盐的无水乙醇溶液；2.以无水乙醇为溶剂，在二正丁胺或哌啶的催化作用下，通过4-甲基-N-甲基吡啶对甲苯磺酸盐与对二甲胺基苯甲醛的反应，可以获得高产率85-95%、高纯度90-95%的DAST源粉。采用无水乙醇为反应溶剂，避免了甲苯、甲醇等有毒有害溶剂对操作者身体的伤害，同时也减轻了废液对环境的污染；本发明的研发成功有利于培养高质量、大尺寸的DAST晶体，为DAST晶体及相关产品研究奠定了良好的物质与理论基础。

公开(公告)号：CN201842897U

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：CN201020531069.4

申请日：2010-09-16

申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所

发明人： 王利杰 ,  郝建民 ,  王香泉 ,  孟大磊 ,  洪颖 ,  郭俊敏

IPC分类号： C30B15/20 ,  C30B29/36

摘要： 本实用新型公开了一种碳化硅单晶生长炉中的提纯及压力控制系统，包括：真空室、机械泵、分子泵、真空计、气动阀、质量流量控制计和针阀；进一步地，所述提纯及压力控制系统还包括：布置在机械泵与真空室间的压力控制系统，所述压力控制系统包括：测量所述真空室内压力值的压力传感器；将预设的压力值与所述压力传感器测量的压力值进行比较计算并输出压力控制指令的PID控制电路；以及，根据所述PID控制电路输出的压力控制指令调节所述低真空链路与所述真空室间阀门开启比例的压力控制执行部件。本实用新型能够对碳化硅单晶生长前的提纯工艺以及对碳化硅单晶生长过程中所涉及的各工艺提供稳定可靠的压力控制。

公开(公告)号：CN201924102U

公开(公告)日：2011-08-10

申请号：CN201020531080.0

申请日：2010-09-16

申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所

发明人： 王香泉 ,  郝建民 ,  王利杰 ,  孟大磊 ,  郭俊敏 ,  洪颖

IPC分类号： C30B23/06 ,  C30B29/36

摘要： 本实用新型公开了一种高温碳化硅单晶生长炉的加热温控装置。该装置包括：感应线圈，用于接收无线射频发生器发射的中频交变电流，并对密闭坩埚内的生长系统进行加热；感应线圈移动系统，连接至感应线圈，用于对感应线圈进行定位、和/或定速控制；可编程逻辑控制器，连接至感应线圈移动系统，用于根据预先设置的控制程序控制感应线圈移动系统；温度检测装置，用于检测生长系统的温度；欧陆表，连接至温度检测装置，用于控制生长系统的温度；终端计算机，连接至可编程逻辑控制器以及欧陆表，用于对可编程逻辑控制器以及欧陆表进行控制。借助于本实用新型的技术方案，能够对生长系统的温度进行精确控制。

公开(公告)号：CN204097596U

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201420551466.6

申请日：2014-09-24

申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所

发明人： 张皓 ,  徐永宽 ,  程红娟 ,  孟大磊

IPC分类号： C30B23/00 ,  C30B29/36

摘要： 本实用新型涉及一种碳化硅单晶生长炉的测温孔自清理装置，测温孔自清理装置采用高纯石墨材质、由不同直径的内有中心孔的、圆柱体组成，其总长度略大于生长坩埚底部至下法兰上表面距离，一端圆柱体外径与底层石墨保温层测温孔内径相同，另一端圆柱体外径与下法兰测温孔内径相同,在直径最大处对称、均匀设置数个倾斜通槽，装置顶端不与生长坩埚底部接触，底端伸入下法兰盘测温孔中。技术效果是有效杜绝了测温孔堵塞的问题，使得碳化硅单晶的生长始终处于有效地温度控制下，克服了测温不准、可重复性差的缺点，结构简单，通过与Ar气进气通道的结合，还改善了Ar气进气路径，使其正对生长室中心，具有很好的同心度。