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公开(公告)号：CN112444529B
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202011426046.1
申请日：2020-12-09
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十六研究所
IPC: G01N23/207
Abstract: 一种辨别非（100）面氧化镓晶体有无孪晶的HRXRD测试方法，将非（100）面氧化镓晶体放置在设备样品台上；将入射狭缝宽度设为10mm~13mm；将2θ设定为31.738°对应晶面为（002）；将样品从0°旋转至90°，旋转步长设定为0.1°~0.3°，记录（002）面衍射峰个数，样品台复位，然后以原点为中心在X‑Y平面上旋转180°，再以[010]晶向为轴将样品从0°旋转至90°，旋转步长设定为0.1°~0.3°，记录（002）面衍射峰个数；如果上述过程中，只探测到1个（002）面衍射峰，则判定测试区域内无孪晶，若探测到多个（002）面衍射峰，则判定测试区域内有孪晶；提高了效率、降低了成本。
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公开(公告)号：CN114574965A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210482935.2
申请日：2022-05-06
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十六研究所
Abstract: 本发明公开了一种改变氧化镓熔体流动性的原料掺杂方法。方法为：一、取一定量的Ga单质溶于稀盐酸溶液中，形成GaCl3溶液；二、掺杂元素为Li、Na、K中任意一种，按照一定量的Ga单质的质量计算掺杂剂的质量，将掺杂剂放入GaCl3溶液中；三、将GaCl3溶液进行烘干处理，得到干燥的GaCl3固体；四、将GaCl3固体进行烧结，通入动态氧气，使GaCl3固体完全转化为氧化镓；五、将烧结好的氧化镓取出进行球磨，得到粉末状氧化镓原料。采用本发明进行氧化镓单晶生长，使原料完全熔化，且流动性较好，气泡很好地被排除。铱坩埚边缘和底部温度明显降低，铱金损耗相比原有工艺减少40%以上，降低了成本，延长了坩埚寿命。
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公开(公告)号：CN114161258A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202111504627.7
申请日：2021-12-10
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十六研究所
IPC: B24B9/06 , B24B41/06 , B24B41/00 , B24B41/04 , H01L21/463
Abstract: 本发明公开了一种氧化镓晶片防解理的边缘磨削方法。该方法是在不直接接触晶片的情况下将易解理的晶片边缘进行磨削，对氧化镓晶片磨削之前采用承载氧化镓晶片，且与氧化镓晶片粘接为一体的保护基板，用于防止氧化镓晶片在边缘磨削过程中出现解理，其中包括用于承载晶片具有一定刚度的保护基板，采用本发明能够解决氧化镓晶片在边缘磨削过程中易解理的问题，同时设计的方法简单，承载氧化镓晶片的基板能够重复使用，又便于操作。
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公开(公告)号：CN109110810A
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201811148474.5
申请日：2018-09-29
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十六研究所
Abstract: 本发明公开了一种砷锗镉晶体生长原料的稳流合成方法。把高纯度的Cd、Ge和As原料放入船型坩埚内，再放入半椭圆形的坩埚内，推入带有稳流装置的长型外坩埚内，抽真空进行密封后放入三温区合成炉中进行合成，使装As原料的坩埚处于炉体第一温区部位，稳流装置处于第二温区部位，装Cd原料和Ge原料的坩埚处于第三温区部位。本方法通过三温区合成炉精确控制Cd、Ge和As原料反应温度，降低合成过程中的多余中间产物，并通过稳流装置，控制反应速度，保证了合成的安全性，有效调节合成原料化学计量比。
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公开(公告)号：CN108441961A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810332572.8
申请日：2018-04-13
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十六研究所
Abstract: 本发明公开了一种大尺寸GaSb单晶的快速生长方法。本方法选用直径大于或等于所要制备的GaSb晶锭尺寸的GaAs晶锭制作籽晶；该籽晶结构包括细颈部分以及直径不小于所要制备的GaSb晶锭直径的宽颈部分；将细颈部位固定于籽晶固定支架上，并连接于提拉装置上；宽颈部位在GaSb晶体生长过程中用于引晶；在GaSb晶体生长过程中，宽颈部位的1-2cm部分进入GaSb熔体完成引晶过程。采用本方法可在GaSb单晶生长过程中免除晶体放肩过程，可提高大尺寸GaSb单晶的制备效率和成晶率。该工艺中GaAs籽晶可反复多次使用，对单晶生长设备无特殊要求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106435710A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610615297.1
申请日：2016-08-01
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十六研究所
Abstract: 本发明公开了一种锑化镓晶体生长除杂装置。该除杂装置包括除杂连接件和除杂坩埚两部分，并通过除杂连接件与由籽晶拉线、籽晶杆和籽晶构成的Cz单晶炉籽晶装置连接；除杂连接件和除杂坩埚均设为圆柱形，除杂连接件的上端设有与籽晶杆连接的中心孔，该中心孔内径大于籽晶杆拉线外径且小于籽晶杆外径，除杂连接件通过该中心孔挂在籽晶杆上；除杂连接件的下端与除杂坩埚的上端焊接；除杂坩埚外径小于生长坩埚内径3-5mm，除杂坩埚底部设为网状，以去除杂质，保留纯净的熔体。采用本装置可去除LEC法生长GaSb单晶过程中的杂质，消除杂质对成晶的影响，提高成晶率及晶体质量。
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公开(公告)号：CN106319633A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201610941184.0
申请日：2016-11-02
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十六研究所
CPC classification number: C30B29/50 , C30B23/002
Abstract: 本发明公开了一种大尺寸高红外透过率CdS单晶生长方法。首先提纯CdS原料：将称取的原料放入安瓿瓶中，在安瓿瓶口装上蓝宝石生长衬底和导热棒，将生长区置于石英支撑管上，再一起装入石英保温外管中，然后整体放入提纯炉中进行提纯；生长CdS单晶：称取多晶料放入安瓿瓶中，称取Cd粒加入多晶料中；在安瓿瓶口放上CdS籽晶后，压上蓝宝石的导热棒抽至真空状态，放入单晶生长炉中进行单晶生长。该工艺简单，生长周期短，成本低廉。采用该方法生长的CdS单晶尺寸大，直径可达53mm，单晶透明性高，红外透过率好，不容易开裂，室温常压下可长时间保存，在2.5um-5um部分红外透过率可以高达71.5%。
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公开(公告)号：CN106048723A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610615338.7
申请日：2016-08-01
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十六研究所
Abstract: 本发明公开了一种采用提拉法生长氧化镓晶体的固液界面控制方法，是在单晶炉体中设有作为第二热源的辅助加热器，且通过固定架连接于提拉装置上，在引晶、放肩初始阶段，将辅助加热器位置升至单晶炉体顶部，在放肩、等径生长阶段，将辅助加热器位置下降，辅助加热器上升或下降的高度的计算方法是：在拉制晶体之前，由Ga2O3原料投料量计算得出熔体液面初始高度，根据热场系统结构设定辅助加热器高度位置。采用本方法，可改善热场分布及散热条件，将一般的曲面结晶界面转变为平面结晶界面。该热场系统明显优于常规的热场系统，且可根据Cz拉晶不同阶段，分别对不同部位进行加热，更适于生长低位错单晶和提高成晶率。
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公开(公告)号：CN105063745A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201510414468.X
申请日：2015-07-15
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十六研究所
Abstract: 本发明涉及一种GaSb单晶生长位错密度控制技术，包括带浮渣过滤结构的LEC单晶生长装置及除渣工艺，带浮渣过滤结构的LEC单晶生长装置，包括加热器、坩埚托、外坩埚，还包括石英压块、浮渣过滤坩埚，浮渣过滤坩埚底部开十个直径0.4-0.6mm的浮渣过滤孔，通过Ar气对LEC炉膛进行数次充放气、抽真空进行卤盐熔体脱水、持续升温熔化GaSb块料等工艺，纯净的GaSb熔体经浮渣过滤孔进入浮渣过滤坩埚内，而氧化物浮渣隔离于浮渣过滤坩埚、外坩埚之间，有益效果是实现了浮渣过滤功能，结构简单，在预先优化热场分布的前提下，适于生长低位错单晶并能提高成晶率。
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公开(公告)号：CN114161258B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202111504627.7
申请日：2021-12-10
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十六研究所
IPC: B24B9/06 , B24B41/06 , B24B41/00 , B24B41/04 , H01L21/463
Abstract: 本发明公开了一种氧化镓晶片防解理的边缘磨削方法。该方法是在不直接接触晶片的情况下将易解理的晶片边缘进行磨削，对氧化镓晶片磨削之前采用承载氧化镓晶片，且与氧化镓晶片粘接为一体的保护基板，用于防止氧化镓晶片在边缘磨削过程中出现解理，其中包括用于承载晶片具有一定刚度的保护基板，采用本发明能够解决氧化镓晶片在边缘磨削过程中易解理的问题，同时设计的方法简单，承载氧化镓晶片的基板能够重复使用，又便于操作。
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