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公开(公告)号:CN112541321A
公开(公告)日:2021-03-23
申请号:CN202011507458.8
申请日:2020-12-18
申请人: 中国空间技术研究院
IPC分类号: G06F30/398 , G06F119/02
摘要: 本发明实施例公开了一种宇航密封集成电路早期筛查与风险预示方法及装置。所述方法包括:确定宇航密封集成电路的背景信息,依据背景信息对宇航密封集成电路进行物理解剖成多个单元;对解剖后的多个单元进行性能分析;确定宇航密封集成电路的最小独立要素;对各最小独立要素进行分析,并确定第一分析结果;将至少两个最小独立要素进行组合后分析,确定第二分析结果;基于宇航密封集成电路的应用环境,依据第一分析结果和第二分析结果确定宇航密封集成电路的风险等级。本发明能有效规避早期设计问题,在结构可靠性基因层面为器件把好关,可在早期预示现有试验方法无法暴露的问题,提高器件的自身固有可靠性。
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公开(公告)号:CN106814093B
公开(公告)日:2019-05-24
申请号:CN201611194019.X
申请日:2016-12-21
申请人: 中国空间技术研究院
IPC分类号: G01N23/203 , G01N23/225 , G01N23/20008 , G01N23/2202
摘要: 本发明一种宇航用镍电极瓷介电容器可靠度确定方法,在不改变原有晶粒状态条件下,对电容器介质层晶粒尺寸进行精确测量,在此基础上对电容器可靠度进行计算。首先采用低应力磨抛技术进行剖面制备,获得无应力残留的样品表面;然后采用电子背散射衍射分析EBSD技术对样品进行分析,确定陶瓷介质晶粒相的类别,并采集样品表面晶粒分布图,从而对陶瓷介质晶粒尺寸进行精确测量;最后,结合介质层数、介质层厚度、工作电压系数等参数,对电容器可靠度进行计算,得到电容器可靠度。
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公开(公告)号:CN114476276B
公开(公告)日:2023-08-29
申请号:CN202111642726.1
申请日:2021-12-29
申请人: 中国空间技术研究院
摘要: 本发明公开了一种轴向引线二极管芯片无损开封方法,通过二极管辅助固定夹具将带封装的二极管按照特定方向进行固定,并对带封装的二极管进行磨切,以采用物理方法去除带封装的二极管的特定部位;然后,通过特定的无损开封方法将二极管芯片从封装体中无损取出,可有效避免在取出二极管芯片过程中对芯片造成的任何损伤,并去除芯片表面的金属化,直观的检查硅芯片表面的质量状态和缺陷情况,为DPA、FA等可靠性分析工作中的芯片检查提供技术途径。
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公开(公告)号:CN111948506A
公开(公告)日:2020-11-17
申请号:CN202010621597.7
申请日:2020-06-30
申请人: 中国空间技术研究院
IPC分类号: G01R31/26
摘要: 本发明涉及一种半导体器件氢效应定量评价系统,包括气体预混合模块、样品试验模块、气体成分分析模块、真空保持模块和控制模块,气体预混合模块包括金属腔体、流量控制阀门、程控阀门和紊流机构,金属腔体为方形腔体,左右两个面上预留螺纹孔,用于安装流量控制阀门和阀门,紊流结构连接在金属腔体侧壁,位于流量控制阀门和程控阀门之间,对从流量控制阀门通入的气体充分混合。本发明中样品试验模块中的气体可以在试验过程中不断补充,保持氢气浓度恒定,确保试验样品处于稳定的氢气浓度中,进而确保氢效应评价结果准确。
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公开(公告)号:CN108489821A
公开(公告)日:2018-09-04
申请号:CN201810165805.X
申请日:2018-02-28
申请人: 中国空间技术研究院
摘要: 一种用于轴向引线抗拉试验的装置,包括装置支架(1)、器件保温体(2)、器件固定器(3)、砝码挂钩(4),其中器件保温体(2)、器件固定器(3)、分别安装在装置支架(1)的支撑梁(104)、固定梁(103)上,通过将二极管本体装入环境温度保持装置,使得整个试验的加断电过程以及加、卸力的过程人员均在高温环境外操作,保持了试验样品温度环境的一致性,提升了试验数据的准确性,提高了试验效率,同时降低了人员操作风险,填补了本领域技术具体装置的空白。
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公开(公告)号:CN108318304A
公开(公告)日:2018-07-24
申请号:CN201810098852.7
申请日:2018-01-31
申请人: 中国空间技术研究院
IPC分类号: G01N1/28 , G01N21/956
摘要: 一种宇航用PCBA有效剖面制备及损伤检测方法,本方法选用一种利于观察分析的显色制样方法包括切割,封片,研磨及抛光四个步骤。基于传统磨抛方法的前提下,结合构成PCBA剖面试样材料硬度差异较大的实际情况,形成有效的剖面研磨抛光流程,获得利于观察焊点缺陷的清晰剖面,通过金像分析、表面处理、扫描电子显微镜观察及能谱分析等方法,明确焊点的实际状态,便于发现已存在缺陷,针对无明显缺陷的试样形成便于观察焊点晶粒状态的表面处理方法,明确可能存在的缺陷隐患。
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公开(公告)号:CN105158417B
公开(公告)日:2017-03-15
申请号:CN201510509195.7
申请日:2015-08-18
申请人: 中国空间技术研究院
摘要: 本发明涉及一种系统级封装器件的结构分析方法,在SiP器件结构单元分解的基础上,对SiP器件进行力、热、力热耦合、电磁的仿真分析与评价后,在评价中考虑了SiP器件各结构单元之间的影响,包括力、热、力热耦合和电磁等;然后又进行环境应力试验,对SiP器件综合全面的分析评价。本发明提高了分析结果的可靠性,满足了航天应用的可靠性要求。
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