一种制备W和N共掺杂类金刚石薄膜的方法

    公开(公告)号:CN108085642A

    公开(公告)日:2018-05-29

    申请号:CN201711456568.4

    申请日:2017-12-28

    IPC分类号: C23C14/06 C23C14/34

    CPC分类号: C23C14/0605 C23C14/34

    摘要: 本发明涉及一种制备W和N共掺杂类金刚石薄膜的方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤一、对衬底材料进行超声波清洗;步骤二、把样品置于样品台上;步骤三、抽真空,真空度达到2.5*10-4-3.5*10-4时,通入氩气,使W、C两靶同时起辉,并进行8-12分钟的预溅射;步骤四、通过氩气轰击W、C两靶材;步骤五、通入氮气,启动旋转样品台,制备W、N共掺杂类金刚石薄膜。本发明的优点:类金刚石薄膜通过W、N的共掺杂,在制备得到高电阻率、高透过率N掺杂类金刚石薄膜的同时,W的掺入既可与薄膜中多余的C反应生成WC,又进一步提高了薄膜的润滑性能,同时对薄膜的高透、高阻性能也有进一步的提升作用。

    一种具有自陷光功能的ZnO基透明导电玻璃

    公开(公告)号:CN106784060B

    公开(公告)日:2018-05-01

    申请号:CN201611188429.3

    申请日:2016-12-21

    IPC分类号: H01L31/0236

    CPC分类号: Y02E10/50

    摘要: 本发明公开一种具有自陷光功能的ZnO基透明导电玻璃,包括玻璃基底,玻璃基底顶面由下至上依次设有下ZnO基薄膜、微结构增透膜系与上ZnO基薄膜;所述微结构增透膜系为单层离散分布的SiO2小球,所述上ZnO基薄膜的厚度小于SiO2小球的直径,在微结构增透膜系上形成凹凸的织构化结构;采用离散分布的SiO2小球作为微结构增透膜系,其上方的上ZnO基薄膜以微结构增透膜系为模板,自然地形成凹凸的织构化结构;在制备时,SiO2小球表面微结构可根据需要进行调整,使得上ZnO基薄膜的表面微结构容易控制,形成均匀性优良的表面微结构,实现高透过率、低电阻,制备工艺简单,降低成本,利于产业化推广应用。

    一种薄膜太阳能电池用光伏背板玻璃的制备方法

    公开(公告)号:CN107601921A

    公开(公告)日:2018-01-19

    申请号:CN201710795836.9

    申请日:2017-09-06

    CPC分类号: Y02E10/50

    摘要: 本发明公开一种薄膜太阳能电池用光伏背板玻璃的制备方法,包括以下步骤:选取高应变点玻璃作为玻璃基底,高应变点玻璃的应变点≥575℃、软化点≥800℃;通过磁控溅射,在玻璃基底顶面由下至上依次溅射生长80~120nm厚度的SiN膜层、50~90nm厚度的CuZn膜层、30~60nm厚度的ZnAl膜层、15~35nm厚度的降阻膜层、20~50nm厚度的防腐蚀膜层及35~65nm厚度的Mo膜层,得到所述光伏背板玻璃;降阻膜层为Ti膜层或Cu膜层;防腐蚀膜层为MoN、MoO、TiN或TiON膜层;通过该方法制备得到的背板玻璃具有高应变点、后期高温硒化不变形、抗腐蚀、低电阻率、薄膜应力小等优点,且多层膜结构与玻璃基底附着强度高,能够阻挡玻璃基底中Na+向吸收层的扩散且与CIGS有良好的欧姆接触。

    一种电致变色智能玻璃的制备方法

    公开(公告)号:CN106886114A

    公开(公告)日:2017-06-23

    申请号:CN201710221607.6

    申请日:2017-04-06

    IPC分类号: G02F1/15 G02F1/155

    CPC分类号: G02F1/15 G02F1/155

    摘要: 本发明公开一种电致变色智能玻璃的制备方法,包括以下步骤:S1、玻璃基板由上片台进入第一液相辊涂镀膜机,涂覆氧化锡掺氟透明导电膜,然后进入流平段进行流平表干;S2、步骤S1处理后的玻璃基板由传输辊道送入第二液相辊涂镀膜机,在氧化锡掺氟透明导电膜上涂覆氧化钨薄膜;S3、对步骤S2处理后的玻璃基板进行热处理,热处理温度350~700℃,热处理时间2min以上,得到电致变色智能玻璃;在玻璃基板和氧化钨薄膜之间沉积氧化锡掺氟透明导电膜中间层,提供电致变色导电电极,便于电子及离子传输;工艺简单,设备及原料成本低,得到的智能玻璃具有响应灵敏、光学调制幅度大等特点,完全可以应用于智能窗、汽车等节能领域,适合工业化大批量生产。

    一种制备致密AZO薄膜的方法

    公开(公告)号:CN106555165A

    公开(公告)日:2017-04-05

    申请号:CN201610956494.X

    申请日:2016-10-27

    IPC分类号: C23C14/35 C23C14/08

    CPC分类号: C23C14/35 C23C14/08

    摘要: 本发明公开一种制备致密AZO薄膜的方法,包括以下步骤:a)将衬底置于磁控溅射腔室内,采用AZO陶瓷靶材,用Ar离子做为溅射气体;b)采用直流电源与射频电源共同作用于阴极,射频电源通过射频匹配器连接至滤波器的输入接口,直流电源也连接至滤波器的输入接口,滤波器将直流电源与射频电源中相一致的电波耦合输出至阴极;c)磁控溅射时,直流电源溅射功率为50W,射频电源溅射功率为150~250W,靶电压为39~120V,溅射生长出符合工艺要求的AZO薄膜;采用直流射频耦合磁控溅射室温制备AZO薄膜,降低了靶电压,电子的能量降低,薄膜内部缺陷减少、薄膜透过率提高,致密性变好;并且由于射频使得粒子离化率提高,AZO薄膜的电学性能有显著提高。

    一种消影导电玻璃
    28.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105541124A

    公开(公告)日:2016-05-04

    申请号:CN201510985601.7

    申请日:2015-12-25

    IPC分类号: C03C17/34

    CPC分类号: C03C17/3417

    摘要: 本发明公开一种消影导电玻璃,包括玻璃基板,玻璃基板上依次设有SiO2膜层、ITO膜层与高折射率膜层,所述高折射率膜层为Nb2O5膜层或TiO2膜层;采用Nb2O5膜层或TiO2膜层作为高折射率膜层,在满足ITO方阻值的同时消除蚀刻阴影,保证显示效果;由于采用氧化物膜层,在沉积时只需要通入氧气这一种反应气体,更换靶材就可以实现不同膜层的沉积,在一个腔室里就能够完成,无需增加额外溅射腔室,减少生产设备的投入降低成本;另外,对不同膜层可以连续沉积,不需要经过抽放气环节,降低工艺难度,提高了生产效率。