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公开(公告)号：CN116487495A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310198063.1
申请日：2023-03-03
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明提供了一种发射光可调控的超表面集成式LED装置及制备方法，该装置由下至上包括：第一衬底、键合金属层、第一反射层、外延片、电极层、第二反射层、间隔层及超结构单元层，所述第一反射层为金属反射层，所述第二反射层为布拉格反射镜；第一衬底、键合金属层、第一反射层、外延片、电极层、第二反射层、间隔层及超结构单元层均垂直于从所述LED发射的光的传播平面。本发明提供的一种发射光可调控的超表面集成式LED装置及制备方法，具有更大的空间相干性，结构紧凑，加工工艺简单，产品良率与可靠性提升，能调控LED出射光的特性，可扩展多功能，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN116147766A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202211691923.7
申请日：2022-12-27
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种覆盖parylene提升传感芯片灵敏度及重复利用的方法，采用nacl溶液进行实验测试，通过生长parylene前后分别测试两次，通过比较两次数据可以得到生长parylene对传感芯片的影响，并且，在生长parylene后的VCSEL传感芯片上，通过测试去除parylene前后的数据对比可以得到parylene是否完全去除，同理，在生长parylene的传感芯片上测试其他生物试剂，也可以通过去除parylene达到重复利用。该方法操作简单，成本低，有很大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN115589756A
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN202211086366.6
申请日：2022-09-06
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种原位大面积制备图形化石墨烯的工艺方法，首先在金属箔背面以及衬底表面分别制备金属箔接触层和衬底接触层，使用压合机将金属箔和衬底的接触层在一定的温度和压力条件下进行压合。压合后的金属箔的衬底被置于多温区独立调控的热CVD系统中进行低温生长石墨烯，对压合在衬底上的单晶金属箔上原位生长的石墨烯直接进行图形化光刻，并依次通过干法刻蚀和自对准湿法刻蚀工艺，依次实现石墨烯膜层固定，石墨烯图形化以及金属箔和接触膜层的去除，通过去除石墨烯上的光刻胶和PMMA实现在衬底上原位制备图形化石墨烯。该方法适用于石墨烯基在大面积衬底上的低温免转移制备，有利于推进石墨烯的商业化广泛应用。
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公开(公告)号：CN114606466A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202210173116.X
申请日：2022-02-24
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种改善低成本可集成且大规模制备金属纳米颗粒方法，第一步：在需要制备金属纳米结构的衬底上旋涂一层PMMA。并将PMMA烘干待用。第二步：准备合适尺寸的AAO膜将其在丙酮溶液中浸泡3min—5min直至其表面的PMMA溶解，用亲水处理后的硅片将其转移至清水中，再将其转移至旋涂了PMMA的衬底上并烘干。第三步：利用磁控溅射的方法将金属均匀溅射到AAO膜的孔洞中，溅射完成后将AAO膜清洗即可制得周期性的金属纳米结构。该方法制备工艺简单、成本较低，适合制备大面积的周期性金属纳米结构。
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公开(公告)号：CN110433878B
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN201910774171.2
申请日：2019-08-21
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种基于VCSEL耦合阵列的光学相位差的液体检测芯片系统，属于半导体激光器技术、生化检测技术的交叉技术领域。本发明通过采用质子注入或腔诱导反波导或光子晶体等技术，实现VCSEL耦合阵列的制备。通过PECVD、光刻、溅射、反应离子刻蚀、湿法腐蚀和键合等工艺在VCSEL耦合阵列表面集成微流控结构。在VCSEL耦合阵列上表面利用微流控技术，将待测液体通入VCSEL耦合阵列单元上方，引起VCSEL单元间光束耦合相位差改变，使得激光光束发生偏转，通过对激光光束偏转角度测量，可以计算出液体的折射率，实现液体折射率检测。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112838474A
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN202110058763.1
申请日：2021-01-16
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了外延集成介质膜DBR外腔面发射激光器，包括P型金属电极层、钝化层、周期交替生长的上分布式布拉格反射镜、高铝组分的氧化限制层、有源区、周期生长的下分布式布拉格反射镜、GaAs衬底层、N型金属电极层、电流限制氧化孔、相位匹配层、腔长匹配层、氧化硅氮化硅介质膜分布式布拉格反射镜和出光孔；本发明中采用生长相位匹配层、腔长匹配层的方法延长垂直腔面发射激光器的固有腔长，通过感应耦合等离子体增强气相沉积的方法外延氧化硅氮化硅介质膜分布式布拉格反射镜，达到控制光偏振的同时压窄线宽。本发明降低半导体激光器阈值，提高了器件的成品率。
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公开(公告)号：CN108538935B
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN201810340023.5
申请日：2018-04-16
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/109
Abstract: 本发明公开了隧道补偿超晶格红外探测器，属于半导体光电子领域。原有的隧道补偿多有源区红外探测器改善了传统多量子阱或超晶格结构红外探测器的光电流小，暗电流大的缺点，但制作难度较大，成品率低。在衬底上生长下接触层，然后生长一个或多个基本单元，上接触层，制作台面和电极，基本单元依次为阻挡势垒、超晶格红外吸收区、重掺杂N型区和重掺杂P型区；特征在于采用超晶格结构作为探测器的红外吸收区，降低了对外延结构参数的控制要求；重掺杂N型区和重掺杂P型区形成隧道结，为超晶格提供隧道补偿电流；阻挡势垒厚度为30～50nm，以减小器件的暗电流。本发明兼具隧道补偿多有源区红外探测器光电流大、暗电流低、响应速度快等优点。
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公开(公告)号：CN110433878A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201910774171.2
申请日：2019-08-21
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种基于VCSEL耦合阵列的光学相位差的液体检测芯片系统，属于半导体激光器技术、生化检测技术的交叉技术领域。本发明通过采用质子注入或腔诱导反波导或光子晶体等技术，实现VCSEL耦合阵列的制备。通过PECVD、光刻、溅射、反应离子刻蚀、湿法腐蚀和键合等工艺在VCSEL耦合阵列表面集成微流控结构。在VCSEL耦合阵列上表面利用微流控技术，将待测液体通入VCSEL耦合阵列单元上方，引起VCSEL单元间光束耦合相位差改变，使得激光光束发生偏转，通过对激光光束偏转角度测量，可以计算出液体的折射率，实现液体折射率检测。
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公开(公告)号：CN109918476A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201910076645.6
申请日：2019-01-26
Applicant: 北京工业大学
IPC: G06F16/33
Abstract: 本发明公开了一种基于主题模型的主题检索方法，将分词后的文章集作为训练数据并输入LDA主题模型参数。训练LDA模型，对每个词概率分布中的概率最高的前n个词作为查询语句中的关键词，其概率等比映射到查询语句中关键词的权重；在每个词中间添加“OR”关键字形成查询语句。业务人员，运营人员或者专家通过观察生成的每个查询语句，赋予每个查询语句合理的主题名称。进一步对每一个主题的查询语句进行修改，扩充删减关键词，修改关键字，调整权重。将最终定义好的主题保存，用户搜索主题名称时等价使用预定义好的查询语句检索。本发明解决了完全依靠人来定义主题查询语句造成的缺陷，提高了制造主题的效率，提高主题检索的准确率与召回率。
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公开(公告)号：CN108873497A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810518119.6
申请日：2018-05-27
Applicant: 北京工业大学
IPC: G02F1/1341 , G02F1/1339 , G02F1/1333
Abstract: 本发明公开了一种基于光刻工艺的液晶盒及制备方法，属于液晶光学技术领域。该液晶盒包括下玻璃基板(1)、透明导电膜(2)、光刻胶(3)、液晶(4)、上玻璃基板(5)和边框胶(6)。本发明利用光刻胶代替传统的金属微粒或绝缘微粒作为液晶盒间隔物，不仅工艺简单、成本低，而且可以通过选择不同胶型来获得不同的液晶盒厚度，并且可以实现均匀的盒厚，在液晶显示、液晶相控在等应用领域有潜在应用。
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