-
-
公开(公告)号：CN104697637A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201310655561.0
申请日：2013-12-06
申请人： 北京智朗芯光科技有限公司
IPC分类号： G01J5/00
摘要： 本发明公开了一种薄膜生长的实时测温方法，属于半导体制造技术领域。该方法包括获得双波长测温结构的薄膜生长反应腔的校准系数；测量实际热辐射功率，将校准系数和实际热辐射功率代入公式，计算得到薄膜生长反应腔内薄膜的温度。该方法由于双波长测温结构所依附的薄膜生长反应腔经过校准，计算得到的薄膜的温度值更接近真值。
-
公开(公告)号：CN104697636A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201310654540.7
申请日：2013-12-06
申请人： 北京智朗芯光科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种薄膜生长反应腔室设备实时测温系统自校准装置，属于半导体制造技术领域。该装置包括实际热辐射比值获取单元和校准系数计算单元，实际热辐射比值获取单元用于获取实际热辐射比值；校准系数计算单元根据实际热辐射比值，在理论热辐射比值-温度曲线上与实际热辐射比值对应的点，并将该点对应的温度T的值代入公式，分别得到校准系数m1和m2。该装置能够得到双波长测温结构中第一种波长λ1和第二种波长λ2分别对应的校准系数m1和m2，从而实现了薄膜生长反应腔室设备实时测温系统自校准，能够保证外延片生长温度测量一致而又精确。
-
-
公开(公告)号：CN104697666B
公开(公告)日：2017-12-26
申请号：CN201310655549.X
申请日：2013-12-06
申请人： 北京智朗芯光科技有限公司
IPC分类号： G01K13/00
摘要： 本发明公开了一种MOCVD反应腔测温方法，属于半导体制造技术领域。该方法包括获得双波长测温结构的MOCVD反应腔的校准系数；测量实际热辐射功率，将校准系数和实际热辐射功率代入公式，计算得到MOCVD反应腔的温度。该方法由于双波长测温结构的MOCVD反应腔经过校准，计算得到的MOCVD反应腔的温度值更接近真值。
-
-
公开(公告)号：CN103985652B
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201310049375.2
申请日：2013-02-07
申请人： 北京智朗芯光科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种晶片应力测量装置，属于半导体器件技术领域。包括探测光发生装置、分束镜、腔室、样品托盘和位置探测装置，样品托盘置于腔室底部，晶片置于样品托盘上，腔室顶部设有狭缝窗口，探测光发生装置发出的探测光经过分束镜后垂直射向晶片，依次经过分束镜和狭缝窗口后垂直射向晶片，被晶片反射，依次经过狭缝窗口和分束镜后射向位置探测装置，样品托盘能够带动晶片旋转，使探测光在晶片上扫描。本发明还公开了基于该测量装置的测量方法。应用该测量装置及测量方法能够同时测量晶片X方向及Y方向应力的晶片应力。
-
-
公开(公告)号：CN104701200B
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201310651770.8
申请日：2013-12-05
申请人： 北京智朗芯光科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种在线实时检测外延片温度的装置，属于半导体检测技术领域。该装置包括黑体辐射值运算模块和温度运算模块，该装置通过引入镀膜窗口的反射率衰减因子和热辐射衰减因子，可以准确测量得到外延片的温度T。该装置能够消除反应腔窗口镀膜对在线实时温度检测值造成的影响、提高在线实时温度检测值准确度。
-
公开(公告)号：CN104697645B
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201310651743.0
申请日：2013-12-05
申请人： 北京智朗芯光科技有限公司
IPC分类号： G01J5/52
CPC分类号： G01J5/58 , G01J5/0007 , G01J5/0896 , G01J2005/0048 , G01J2005/0059
摘要： 本发明公开了一种在线实时检测外延片温度的装置及方法，属于半导体检测技术领域。该装置包括MOCVD反应腔、光源、分束器、参考光探测器、反射光探测器和数据采集单元。该方法以该装置为基础，能够得到针对外延片的反应腔窗口镀膜引起的热辐射衰减因子和反应腔窗口镀膜引起的反射率衰减因子。该装置及方法能够消除反应腔窗口镀膜对在线实时温度检测值造成的影响、提高在线实时温度检测值准确度。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
38 条记录 (耗时 0.039 秒)