公开(公告)号：CN105091787A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201410189094.1

申请日：2014-05-06

申请人： 北京智朗芯光科技有限公司

发明人： 刘健鹏 ,  张瑭 ,  李成敏 ,  王林梓 ,  严冬

IPC分类号： G01B11/245

摘要： 本发明公开了一种实时快速检测晶片基底二维形貌的装置，属于半导体材料无损检测技术领域。该装置包括N个PSD，N束激光和第一分光元件，N束激光沿直线排布，其中，N为3以上的自然数，N个PSD与N束激光一一对应，N束激光首先射向第一分光元件，经过第一分光元件后形成入射光，入射光入射到晶片基底上，并在晶片基底上沿径向形成N个入射点，入射光被基底反射后形成N束第一种反射光束，各第一种反射光束经过第一分光元件透射后，入射到与N束激光相对应的PSD上，形成N个光斑。该装置能够与高速旋转的石墨盘上的蓝宝石基底相适应。

公开(公告)号：CN105091777A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201410188243.2

申请日：2014-05-06

申请人： 北京智朗芯光科技有限公司

发明人： 刘健鹏 ,  李成敏 ,  严冬

IPC分类号： G01B11/24

摘要： 本发明公开了一种实时快速检测晶片基底二维形貌的方法。该方法包括以下步骤：令N束激光沿晶片基底径向即X方向入射到晶片基底后又分别反射到与入射光一一对应的PSD上，形成N个光斑；根据N个光斑的位置信号，计算晶片基底上任意两个入射点之间在待测基底沿X方向的曲率CX；根据N个光斑的位置信号，计算晶片基底上任意一个入射点在待测基底移动方向即Y方向的曲率CY；其中，N为3以上的自然数；根据各CX、CY的计算结果，得到基底的二维形貌。该方法包括该方法能够与高速旋转的石墨盘上的蓝宝石基底相适应。

公开(公告)号：CN104807754A

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201410035799.8

申请日：2014-01-24

申请人： 北京智朗芯光科技有限公司

发明人： 李成敏 ,  严冬 ,  刘健鹏 ,  王林梓

IPC分类号： G01N21/17 ,  G01J5/00 ,  G01L1/24

摘要： 本发明公开了一种监测晶片生长薄膜特性的装置，属于半导体材料无损检测领域。该装置包括反射率运算模块、温度运算模块和应力运算模块。该装置能够集成实现待测晶片反射率、温度和应力三个特性参数的监测。

公开(公告)号：CN104697666A

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201310655549.X

申请日：2013-12-06

申请人： 北京智朗芯光科技有限公司

发明人： 严冬 ,  李成敏 ,  王林梓 ,  刘健鹏 ,  焦宏达 ,  张塘 ,  马小超

IPC分类号： G01K13/00

摘要： 本发明公开了一种MOCVD反应腔测温方法，属于半导体制造技术领域。该方法包括获得双波长测温结构的MOCVD反应腔的校准系数；测量实际热辐射功率，将校准系数和实际热辐射功率代入公式，计算得到MOCVD反应腔的温度。该方法由于双波长测温结构的MOCVD反应腔经过校准，计算得到的MOCVD反应腔的温度值更接近真值。

公开(公告)号：CN104697643A

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201310651793.9

申请日：2013-12-05

申请人： 北京智朗芯光科技有限公司

发明人： 严冬 ,  李成敏 ,  叶龙茂 ,  王林梓 ,  刘健鹏

IPC分类号： G01J5/06

摘要： 本发明公开了一种在线实时检测外延片温度的方法，属于半导体检测技术领域。该方法通过引入镀膜窗口的反射率衰减因子和热辐射衰减因子，可以准确测量得到外延片的温度T。该方法能够消除反应腔窗口镀膜对在线实时温度检测值造成的影响、提高在线实时温度检测值准确度。

公开(公告)号：CN104697639A

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201310655598.3

申请日：2013-12-06

申请人： 北京智朗芯光科技有限公司

发明人： 李成敏 ,  严冬 ,  王林梓 ,  刘健鹏 ,  焦宏达 ,  张塘 ,  马小超

IPC分类号： G01J5/00

摘要： 本发明公开了一种MOCVD设备实时测温系统自校准装置及方法，属于半导体制造技术领域。该装置包括MOCVD反应腔及光学探测器，MOCVD反应腔包括外延片，MOCVD反应腔的顶部设有探测窗口，光学探测器通过探测窗口向外延片发出波长分别为λ1和λ2的探测光束，光束外延片反射后形成的反射光束由光学探测部分探测。该方法根据实际热辐射比值，在理论热辐射比值-温度曲线上描出与实际热辐射比值对应的点；将点对应的温度T的值代入公式，分别得到校准系数m1和m2。该方法及装置实现了MOCVD设备实时测温系统自校准，能够保证外延片生长温度测量一致而又精确。

公开(公告)号：CN103985653A

公开(公告)日：2014-08-13

申请号：CN201310271765.4

申请日：2013-02-07

申请人： 北京智朗芯光科技有限公司

发明人： 李成敏 ,  刘健鹏 ,  严冬 ,  叶龙茂 ,  谌雅琴 ,  王林梓 ,  焦宏达

IPC分类号： H01L21/66 ,  G01L1/00

CPC分类号： H01L22/10 ,  G01B11/255 ,  G01L1/24

摘要： 本发明公开了一种晶片应力测量方法，属于半导体器件技术领域。该方法包括步骤1：测量沿X方向的各入射光束被晶片反射后的沿X方向的光斑偏移量，旋转样品托盘，使晶片旋转，测量各入射光束在晶片上沿Y方向扫描时，各入射点沿Y方向的光斑偏移量；步骤2：通过沿X方向的各入射光束的光斑偏移量，计算出晶片沿X方向的曲率半径，通过沿Y方向的各入射点的光斑偏移量，计算出晶片沿Y方向的曲率半径；步骤3：根据式（1）计算出应力；应用该测量装置及测量方法能够同时测量晶片X方向及Y方向应力的晶片应力。