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公开(公告)号：CN108009454A
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201711076975.2
申请日：2017-11-06
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网公司
IPC分类号： G06K7/10
摘要： 本发明公开了一种低功耗解码的方法及装置，其中，该方法包括：根据预设的上电频率确定第一计数值，第一计数值为在Tari阶段采集的计数值，上电频率不小于500kHz；根据第一计数值确定RTcal阶段的采样频率，并以采样频率执行解码操作；根据上电频率与采样频率之间的差别对第二计数值进行误差补偿，第二计数值为在RTcal阶段采集的计数值。该方法的上电频率远远小于传统值，可以大大降低功耗；之后以该上电频率确定Tari阶段的计数值后调整工作频率，在保证正常解码的同时使得计数值最小，从而在较低的工作频率完成解码功能。
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公开(公告)号：CN107861047A
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201711058364.5
申请日：2017-11-01
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网新疆电力公司检修公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网公司 , 国网辽宁省电力有限公司
IPC分类号： G01R31/28
摘要： 本发明公开了一种安全测试模式的检测系统及检测方法，检测系统用以防止芯片的测试电路被废止后再次进入安全测试模式，安全测试模式的检测系统包含：时序逻辑控制模块、检测电路模块以及触发模块。触发模块用于根据通断状态，产生高电平或低电平的触发信号。时序逻辑控制模块根据低电平的触发信号，输出高电平的测试模式信号，从而使得芯片能够进入安全测试模式；或，时序逻辑控制模块根据高电平的触发信号，输出低电平的测试模式信号，从而使得检测电路模块输出自毁信号使芯片进行自毁操作。借此，本发明的安全测试模式的检测系统，多重保证提高了对芯片敏感信息的保护效力，符合绝大部分工艺实现需求，可广泛应用于各类安全芯片。
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公开(公告)号：CN107479610A
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201710905386.4
申请日：2017-09-29
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网公司
IPC分类号： G05F1/56
CPC分类号： G05F1/561
摘要： 本发明公开了一种快速响应LDO电路，包括：带隙基准电路、误差放大器、AB类驱动电路、功率管、响应电路、第一电阻和第二电阻；带隙基准电路的输出端与误差放大器的第一输入端和第二输出端与AB类驱动电路的第一输入端和第二输入端相连；AB类驱动电路的输出端与功率管的控制端相连；功率管的第一端均与电源相连，第二端依次通过第一电阻、第二电阻后接地；第一电阻和第二电阻之间的连接节点与误差放大器的第二输入端相连；响应电路的反馈端与功率管的第二端相连，且响应电路的两个输出端分别与AB类驱动电路的第一输入端和第二输入端相连。该电路可以加快环路的调整速度和响应速度，减小输出电压波动。
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公开(公告)号：CN106788662A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710200490.3
申请日：2017-03-29
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网公司
CPC分类号： H04B7/155 , G04R20/02 , H04B7/22 , H04B2203/5441
摘要： 本发明涉及一种基于低频时码技术的中继授时装置，包括：中继发送模块；所述中继发送模块用于接收低频时码的无线信号，对接收的所述低频时码的无线信号进行功率放大处理，将处理后的信号作为载波信号，并通过电力线进行发送。本发明提供的基于低频时码技术的中继授时装置，避免了现有的授时技术在室内，由于无线信号衰减很难进行授时的问题，可以提高授时成功率。
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公开(公告)号：CN106782671A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611179122.7
申请日：2016-12-19
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网公司
IPC分类号： G11C29/56
摘要： 本发明实施例公开了一种安全芯片进入测试模式的方法和装置。涉及集成电路的信息安全技术领域，解决现有技术中安全芯片进入测试模式的方案安全性较低，可行性较差，因在划片槽内放置信号或部件所导致的安全芯片无法满足先进低节点工艺要求，安全芯片的性能下降的技术问题。其中，该方法包括：获取所述安全芯片的测试标志字；根据所述测试标志字和第一关键码确定进入测试模式进入阶段；在所述测试模式进入阶段中，将EFUSE存储阵列熔断为第二关键字码；根据所述EFUSE存储阵列的熔断值和所述第二关键字码确定是否进入所述安全芯片的测试模式。
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公开(公告)号：CN108052838B
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN201711183964.4
申请日：2017-11-23
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 武汉大学 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网公司 , 国网新疆电力公司检修公司 , 国网辽宁省电力有限公司
摘要： 本发明公开了一种芯片加密设计的泄漏定位系统及方法，其用于加密芯片设计的泄漏定位。该泄漏定位系统包括：解析模块、分析模块以及反馈模块。解析模块通过解析RTL文件和网表文件，获得实际硬件电路的层次结构和运算单元信息。分析模块与解析模块电性连接，所述分析模块根据所述实际硬件电路的层次结构和运算单元信息分析出泄漏点精确位置，并计算出泄漏点定位成功率。反馈模块与解析模块和所述分析模块均电性连接，所述反馈模块将所述泄漏点精确位置与RTL文件和网表文件进行比对，在RTL文件和网表文件中标注出泄漏点。本发明的芯片加密设计的泄漏定位系统可以更加精确地定位泄漏点。
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公开(公告)号：CN108922861B
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN201810456357.9
申请日：2018-05-14
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网公司 , 国网河北省电力有限公司 , 中国电力科学研究院有限公司
摘要： 本发明公开了一种基于红外成像定位法的集成电路修补装置及方法。该集成电路修补装置包括红外成像定位单元和集成电路修补单元。红外成像定位单元用于对被测的集成电路进行失效点定位。集成电路修补单元用于对所述失效点进行电路修补。所述基于红外成像定位法的集成电路修补装置及方法能够对集成电路无损伤地进行失效点的快速精准定位且能够观察到集成电路的内部结构，提高失效定位成功率以及修补效率。
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公开(公告)号：CN107132472B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201710372213.0
申请日：2017-05-23
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国家电网公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC分类号： G01R31/307 , H01L21/311
摘要： 本发明公开了一种用于分析深亚微米级SOI工艺芯片的腐蚀溶液及方法，其中，该方法包括：利用特性腐蚀溶液腐蚀掉待测芯片的器件层上的二氧化硅，特性腐蚀溶液包括：氢氟酸、二氧化硅刻蚀液、丙三醇和水；将腐蚀后的待测芯片用去离子水清洗后晾干；将晾干后的待测芯片放置于反性酸性染色溶液中进行染色处理，反性酸性染色溶液包括：氢氟酸、硝酸和冰醋酸；根据扫描电子显微镜采集的染色后的待测芯片的图像数据确定待测芯片的类型。该特性腐蚀溶液可以实现均匀腐蚀性，并且能有效的降低反应速度，保证成功率，且可以平整保留器件层；染色处理后的待测芯片非常平整，方便快速确定待测芯片的类型。
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公开(公告)号：CN106782671B
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201611179122.7
申请日：2016-12-19
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网公司
IPC分类号： G11C29/56
摘要： 本发明实施例公开了一种安全芯片进入测试模式的方法和装置。涉及集成电路的信息安全技术领域，解决现有技术中安全芯片进入测试模式的方案安全性较低，可行性较差，因在划片槽内放置信号或部件所导致的安全芯片无法满足先进低节点工艺要求，安全芯片的性能下降的技术问题。其中，该方法包括：获取所述安全芯片的测试标志字；根据所述测试标志字和第一关键码确定进入测试模式进入阶段；在所述测试模式进入阶段中，将EFUSE存储阵列熔断为第二关键字码；根据所述EFUSE存储阵列的熔断值和所述第二关键字码确定是否进入所述安全芯片的测试模式。
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公开(公告)号：CN107479610B
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201710905386.4
申请日：2017-09-29
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网公司
IPC分类号： G05F1/56
摘要： 本发明公开了一种快速响应LDO电路，包括：带隙基准电路、误差放大器、AB类驱动电路、功率管、响应电路、第一电阻和第二电阻；带隙基准电路的输出端与误差放大器的第一输入端和第二输出端与AB类驱动电路的第一输入端和第二输入端相连；AB类驱动电路的输出端与功率管的控制端相连；功率管的第一端均与电源相连，第二端依次通过第一电阻、第二电阻后接地；第一电阻和第二电阻之间的连接节点与误差放大器的第二输入端相连；响应电路的反馈端与功率管的第二端相连，且响应电路的两个输出端分别与AB类驱动电路的第一输入端和第二输入端相连。该电路可以加快环路的调整速度和响应速度，减小输出电压波动。
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