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公开(公告)号：CN105514278B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201511000522.2
申请日：2015-12-24
申请人： 华中科技大学 , 杭州众能光电科技有限公司
IPC分类号： H01L51/42
CPC分类号： Y02E10/549 , Y02P70/521
摘要： 本发明公开了三种新的二元金属盐钙钛矿材料AB1B2X3(X：Cl、Br、I)及其制备方法，以及其在多种结构的钙钛矿太阳能电池制备中应用，属于新材料太阳能电池领域。本材料由有机卤化物金属卤化物B1X2、B2X2(B1:Pb2+；B2:Mg2+、Ca2+、Ba2+；X：Cl、Br、I)，以及有机溶剂(N,N-二甲基甲酰胺DMF、二甲基亚砜DMSO或者γ-丁内酯溶剂)配制成，相比现有的钙钛矿材料降低了有毒铅离子的含量，减小了对环境的污染，有利于实现钙钛矿太阳能电池的产业化应用。
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公开(公告)号：CN115084369B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202210706279.X
申请日：2022-06-21
摘要： 本发明公开了一种选通管材料、选通管单元及其制备方法，属于微纳米电子技术领域。所述选通管材料为包括In、Te及M的化合物，其中，M为掺杂元素，且为C、Si、N、As、Sc、Ti、Ga、Hf及Y中的至少一种。所述选通管材料的化学通式为InxTeyM100‑x‑y，其中，x，y为元素的原子百分比，且10≤x≤45，55≤y≤90，0≤100‑x‑y≤15。该选通管材料由In、Te和掺杂元素构成，在In‑Te化合物的基础上进行掺杂，组分相对简单，易于调控，且该化合物热稳定性高，漏电流小，通过进一步元素掺杂可以提高其耐用性，热稳定性以及开态电流密度。
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公开(公告)号：CN118354614A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410394342.X
申请日：2024-04-02
申请人： 华中科技大学
摘要： 本申请公开了一种OTS选通管初始化方法、装置、设备及存储介质，属于微纳米电子技术领域。本申请方案首先加热OTS选通管至初始化温度；再对所述OTS选通管施加初始化电压脉冲；随后将所述OTS选通管降温至室温。其中，初始化电压脉冲为梯形波脉冲、方波脉冲或三角波脉冲；初始化温度和室温相差50℃～300℃；初始化电压脉冲幅值为1V～15V，频率为0.01kHz～10kHz。通过本申请方法降低了选通管中形成稳定缺陷态所需的激活能，使其在高温下形成了十分稳定的缺陷态，极大提高了其在阈值开关过程中的可靠性，具体表现在阈值电压的稳定性提高以及选通管中漏电流的降低。
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公开(公告)号：CN118175920A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410351823.2
申请日：2024-03-26
申请人： 华中科技大学
摘要： 本申请提供了一种抑制阈值电压漂移的选通管及其制备方法，属于微电子技术领域，选通管包括：第一金属电极层、选通开关层和第二金属电极层；选通开关层包括选通材料层和抑制层；选通材料层在电流或电压激励下产生离域态缺陷，形成第一金属电极层和第二金属电极层之间的导电通道；抑制层提高选通材料层的离域态激发能垒，同时抑制第二金属电极层和选通材料层的相互作用。本申请提供的选通管可以抑制阈值电压的漂移以及降低漏电流，降低了选通开关层的功耗，以实现更高循环次数的应用需求。
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公开(公告)号：CN116663435B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310956771.7
申请日：2023-08-01
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： G06F30/27 , G06N3/006 , G06F111/06 , G06F113/16
摘要： 本发明公开一种阻尼母线结构参数优化方法、装置及存储介质，属于电网运维技术领域。方法包括：根据螺旋管式阻尼母线结构建立阻尼母线的等效电路，等效电路包括并联的电阻R和电感L，根据等效电路分别构建流入阻尼母线的特快速暂态过电压u1、阻尼母线上的阻抗发生突变的节点电压u2与电阻R和电感L之间的参数模型；在满足节点电压u2的幅值范围和节点波前陡度的范围的情况下，通过参数模型确定电阻R和电感L的参数集合；采用多目标白鲸优化算法，对电阻R和电感L的参数集合进行寻优，得到电阻R和电感L的最佳参数组合。实现了在螺旋管式阻尼母线最佳VFTO抑制效果时，快速确定电阻R和电感L配合的最优参数，使得VFTO幅值及陡度有效降低的有益效果。
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公开(公告)号：CN115835770A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211482089.0
申请日：2022-11-24
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明属于微电子技术领域，更具体地，涉及一种Sb‑Te‑C相变存储材料及其制备方法和应用。本发明Sb‑Te‑C相变存储材料，其化学组成通式为(SbiTej)100‑xCx，其中x，i和j均表示原子百分比，0＜x≤30，0＜i≤50，50≤j＜100，i+j＝100。与未掺杂C的Sb‑Te相变材料相比，本发明提供的Sb‑Te‑C相变薄膜材料电阻随温度变化曲线随着C浓度的增加逐渐趋向于缓变，具有应用于人工神经网络与类脑计算的潜力；且所述Sb‑Te‑C相变材料的电阻窗口以及电阻绝对值增大，意味着存储数据的区分程度增大，操作功耗降低；另外所述Sb‑Te‑C相变材料的相变温度得到较大提升，热稳定性增强，数据保持力增强。
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公开(公告)号：CN115084368A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210706263.9
申请日：2022-06-21
IPC分类号： H01L45/00
摘要： 本发明提供一种基于导电丝电极的相变存储器及其制备方法，通过在底电极层施加正电压脉冲，顶电极层接地，使相变材料在晶态与非晶态之间实现相变过程，进而对器件的阻态进行调节。在施加脉冲后，活性电极中金属阳离子会被氧化，在介质层半导体材料中的缺陷中快速迁移，并在介质层中形成稳定的导电丝。由于介质层导电性能差，形成的导电丝作为底电极与相变材料层的接触点，使得相变材料层在相变过程中的升温区域减小，器件的有效相变面积减小，因此使其工作电流减小。该结构可以有效降低相变存储器的功耗，提高了相变存储器的性能，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN113921708A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111154199.X
申请日：2021-09-29
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： H01L45/00
摘要： 本发明属于微电子技术领域，公开了一种基于二维材料面内各向异性的表面型忆阻集成器件及其制备方法，该表面型忆阻集成器件包括：基底、介质层、公共电极和末端电极；公共电极为活性金属材料，末端电极为惰性导电材料，介质层为类黑磷层状结构的二维原子晶体材料且呈L型，L型的两边分别位于二维原子晶体的zigzag晶向和armchair晶向上，公共电极位于L型的转角处，末端电极有两个且分别位于L型的两端。本发明利用金属离子在二维原子晶体两种晶向上的迁移势垒存在差异的特点，沿着介质材料两个不同的晶向制备了一个包含两个忆阻单元的集成器件，通过介质材料自身的各向异性对导电细丝的调制在同一设备中实现不同的功能。
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公开(公告)号：CN113325357A
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN202110888596.3
申请日：2021-08-04
申请人： 华中科技大学 , 中国电力科学研究院有限公司
摘要： 本发明涉及一种基于输出时间序列差分的电压互感器误差评估方法及系统，该包括：采用差分间距自适应的差分方法，构造具备平稳分布特征且表征电压互感器误差状态的评估特征参量；将评估特征参量作为矩阵元素构建高维随机矩阵，计算高维随机矩阵极限谱分布圆环图，利用KPCA（Kernel Principal Component Analysis,核主成分分析）重构算法处理圆环图，提取描述圆环图的完整且定量的误差状态评价指标；利用核密度估计方法提取电压互感器组的误差状态评价指标差值阈值，对评估特征参量进行实时评估，根据实时评估结果评估电压互感器组的误差状态；误差状态包括误差正常状态和误差异常状态；实现了从人工评判到算法自动评判的转变，可靠性更高。
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公开(公告)号：CN105536073B
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201510974137.1
申请日：2015-12-22
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明公开了一种以PEO‑LDPE合金为基体的含铜节育材料即Cu/PEO‑LDPE复合材料及其器件，包含有PEO‑LDPE合金基体及分布其中的含铜金属粒子，其中含铜金属粒子的重量百分比含量为0.5～30％，在PEO‑LDPE合金基体中，PEO的重量百分比含量为Cu/PEO‑LDPE复合材料总重量的0.5～30％(优选值5～15％)。相较于Cu/LDPE节育材料，以该新型节育材料制备的Cu‑IUDs，更具有重量大幅减轻、与子宫内膜的相容性优异等独特优势，进而在确保所制备Cu‑IUDs使用寿命的同时，理论上将大幅减轻该Cu‑IUDs致出血与疼痛等副反应。
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