-
公开(公告)号：CN114388663A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202111519076.1
申请日：2021-12-14
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种Si衬底无孔洞AlN薄膜的制备方法，包括步骤：在硅衬底先进行表面改性处理：将做改性处理的所述表面先进行铺Al，得到铺Al层，在所述铺Al层表面上在700‑900度下生长一层低温AlN层，然后升温到1100‑1350度生长高温AlN层。本发明对Si衬底表面改性后先生长低温AlN层再生长高温AlN层，使得AlN薄膜表面无孔洞，同时AlN薄膜中的螺位错明显降低，有利于制备高性能的AlN及AlGaN基器件。
-
公开(公告)号：CN114269039A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202210191929.1
申请日：2022-03-01
申请人： 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌大学
摘要： 本发明公开了一种高电光调制带宽的LED器件，其包括LED电路、电感性器件和封装基板，所述LED电路包括若干LED‑A子电路和LED‑B子电路，所述LED‑A子电路和LED‑B子电路中包括若干个LED芯片，所述LED‑A子电路串联所述电感性器件，所述LED‑B子电路不串联所述电感性器件，所述LED‑A子电路和LED‑B子电路并联连接，且与所述电感性器件分别固定在所述封装基板上，形成电学连接，各路同时导通。本发明既可以实现LED‑A和LED‑B子电路的照明应用，也可以使更多高频信号流入LED‑B子电路，提升LED‑B子电路作为信号发射源进行通信应用时的调制带宽。
-
公开(公告)号：CN111180562B
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202010026871.6
申请日：2020-01-10
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种用于沉积铟镓氮量子阱的有锥形坑且含铝成分的薄层，其结构特点是：在氮化镓基二极管中，位于氮化镓与铟镓氮量子阱之间，所述氮化镓在先，所述铟镓氮量子阱在后，所述锥形坑位于所述薄层的表层，所述铝元素无需连续均匀分布，可离散或随机分布于所属薄层的任意位置。本发明的优点是：（1）使在铟镓氮基二极管的制造中，沉积的铟镓氮量子阱晶体质量提高；（2）减少铟镓氮基二极管制造过程中使用的含铟原料，节约铟镓氮基二极管的制造成本；（3）减少铟镓氮基二极管的制造时间，提高铟镓氮基二极管的生产速率；（4）减少铟镓氮基二极管中位错处的漏电，提高铟镓氮基二极管的电、光学性能。
-
公开(公告)号：CN112909144A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202110152717.8
申请日：2021-02-04
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种GaN基高In组分多量子阱的生长方法，该生长方法是在生长多量子阱垒层的时候，按照量子阱生长先后顺序，从第二个量子阱开始，每个量子阱的生长温度高于其前一个量子阱的生长温度。本发明既使得所有量子阱的发光波长一致，半峰宽变窄，载流子分布更均匀，又提高了多量子阱的晶体质量，解决了多量子阱内In组分不均匀、发光波长不一致的问题，从而有效地减小发光峰半峰宽，提升LED的发光效率。
-
公开(公告)号：CN112909137A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202110086236.1
申请日：2021-01-22
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种用于可见光通信的LED芯片结构，通过电极线密布排列将常规尺寸的LED芯片分隔成若干个小尺寸的子区域，缩短电流注入路径距离，使电流分布更加均匀，从而提高耐受电流密度，在保证较高光输出功率的同时实现器件的快速调制。并且整个制造流程建立在相对成熟的常规尺寸LED芯片工艺基础上，具有器件调制能力优异、电极线密布排列、多焊盘、制造方法简单、光通量大、工艺成本低等优点，有利于光通信LED芯片的规模化制作，在照明与通信一体化的可见光通信领域具有广泛的应用前景。
-
公开(公告)号：CN111081691A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201911336674.8
申请日：2019-12-23
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC分类号： H01L25/075 , H01L33/48 , H01L33/54 , H01L33/58
摘要： 本发明公开了一种实现多基色LED光源的混光及光提取目的的模组结构，包括若干颗LED灯珠、第二热界面层、二次光学透镜、第二基板层和密封圈，其中LED灯珠包括若干颗主波长不同的LED芯片、引线、一次光学透镜、第一热界面层、第一基板层，不同主波长芯片之间交错排布，一次光学透镜将若干颗LED芯片密封在第一基板层上；若干颗LED灯珠分别通过第二热界面层材料层固定在第二基板层上，二次光学透镜安装在第二基板层上；若干颗LED灯珠在第二基板层上的贴片角度是不完全相同的；在一次光学透镜和二次光学透镜之间包含第三层封装胶体层。本发明通过该模组结构解决了多基色LED光源出光空间颜色均匀性差的问题，同时提高其光提取效率。
-
公开(公告)号：CN108470807B
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201810106850.8
申请日：2018-02-02
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC分类号： H01L33/14
摘要： 本发明提供了一种半导体发光二极管的外延装置，该装置包括依次接触的N电极、N型半导体接触层、N型半导体导电层、发光层、P型半导体导电层、P型半导体接触层和P电极；所述N电极与N型半导体接触层之间的界面接触电阻，通过N型半导体接触层的掺杂浓度进行调节；或P电极与P型半导体接触层之间的界面接触电阻，通过P型半导体接触层的掺杂浓度进行调节。本发明在半导体的表面与金属电极接触的界面改善电流扩展，由于金属与半导体的接触非常敏感，界面的电导性易于调控，外延中仅需很薄的一层，就可以实现电流扩展的显著改善，且器件电压的升高幅度较小。
-
公开(公告)号：CN118782592A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410108848.X
申请日：2024-01-26
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
摘要： 本发明公开了一种可见光通信用的TO型封装阵列式光电探测器，阵列式光电探测器的芯片是由所有的单元芯片通过预设的电极线以并联的方式汇聚在公共的N型触点上，单元芯片以阵列形式分布在阵列式光电探测器的基底上，单元芯片的外延层为N‑GaN、InGaN/GaN量子阱、P‑GaN、互补电极、金属反射镜、钝化层、N电极和硅衬底；所述阵列式光电探测器为TO型封装结构，该结构包括TO管座、2个与TO管座径向相平行的圆孔形状的接地引脚和导通引脚以及玻璃镜片光窗尺寸可调的TO管帽，接地引脚和N型触点之间通过金丝键合线相连接。阵列式光电探测器芯片结合TO型封装能够有效提高光电探测器的性能，并且保障信号在进行光电转换时尽可能减小干扰，提高可见光通信的通信速率。
-
公开(公告)号：CN110197861B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN201910522319.3
申请日：2019-06-17
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种AlInGaN基发光二极管，从下至上依次包括：N型AlInGaN层、具有V型缺陷的AlInGaN超晶格层、n区空穴阻挡层、AlInGaN基有源层、P型AlInGaN层，其特征在于：所述P型AlInGaN层中含有p区空穴阻挡层；所述n区空穴阻挡层仅形成于所述具有V型缺陷的AlInGaN超晶格层的V型缺陷侧壁，禁带宽度大于n区空穴阻挡层两侧半导体层；所述AlInGaN基有源层表面上具有V型缺陷和连接所述V型缺陷的平面区，所述P型AlInGaN层形成于所述平面区的上面并填充所述V型缺陷，所述p区空穴阻挡层仅位于所述平面区的上面，禁带宽度大于p区空穴阻挡层两侧半导体层。本发明采用高铝组分的空穴阻挡层，使空穴和电子集中在平面区复合发光，大大地提高了发光效率。
-
公开(公告)号：CN116298400A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310220433.7
申请日：2023-03-09
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种检测p型Ⅲ族氮化物激活效果的表征方法，本发明基于开尔文探针力显微镜，通过在p型Ⅲ族氮化物的表面制备金属电极层形成欧姆接触，并将金属电极层与开尔文探针力显微镜的样品台形成导电连接，从而减弱除p型Ⅲ族氮化物外的其他外延层对测试结果的影响，根据p型Ⅲ族氮化物与金属电极层表面电势的差值或结合霍尔测试系统测试对表面电势进行换算，实现了p型Ⅲ族氮化物激活效果的较为准确的测量。本发明方法简单且快捷有效，能够精准的测定p型Ⅲ族氮化物表面电势激活前后的改变，对于研究p型Ⅲ族氮化物激活方法将发挥重要作用。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
97 条记录 (耗时 0.057 秒)
