公开(公告)号：CN109496227A

公开(公告)日：2019-03-19

申请号：CN201880002875.1

申请日：2018-04-27

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 切替德之 ,  佐野透 ,  森田稔

IPC: C09J7/10 ,  C09J7/35 ,  C09J11/04 ,  C09J11/06 ,  C09J163/00 ,  C09J171/10 ,  C09J201/00 ,  H01L21/52

Abstract: 一种粘接膜、半导体晶片加工用带、半导体封装及其制造方法，该粘接膜是由含有热固性树脂、热塑性树脂和导热填料的粘接剂层构成的粘接膜，其中，上述导热填料的导热系数为12W/m·K以上且在上述粘接剂层中的含量为30～50体积％，上述热塑性树脂包含至少一种苯氧基树脂，并且对于固化后的粘接剂层而言，由下述数学式(1)计算出的可靠性系数S1为50～220(×10-6GPa)，由下述数学式(2)计算出的可靠性系数S2为10～120(×10-8GPa)，导热系数为0.5W/m·K以上。S1＝(Tg－25[℃])×(CTEα1[ppm/K])×(储能模量E’[GPa]260℃下)···(1)S2＝S1×(饱和吸水率WA[质量％])···(2)数学式(1)、(2)中，S1、S2、Tg、CTEα1、储能模量E’和饱和吸水率WA是针对固化后的粘接剂层的值。Tg为玻璃化转变温度，CTEα1为该玻璃化转变温度以下的线膨胀系数，储能模量E’是在260℃测定的值。另外，[]内表示单位。

公开(公告)号：CN108076669A

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201680056349.4

申请日：2016-11-14

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 佐野透 ,  杉山二朗 ,  青山真沙美 ,  石黑邦彦

IPC: H01L23/29 ,  H01L23/40 ,  H01L21/683 ,  B32B15/092 ,  B32B15/08 ,  B32B7/12 ,  C09J7/30 ,  C09J11/04 ,  C09J11/08 ,  C09J133/00 ,  C09J163/00 ,  C09J201/00

Abstract: 本发明提供一种电子器件封装用带，其能够抑制在对粘接剂层进行预固化时半导体、粘接剂层及半导体芯片的层叠体发生翘曲，并且能够抑制在倒装片连接时粘接剂层产生空隙。本发明的电子器件封装用带，其特征在于，具有：具有基材膜和粘合剂层的粘合带、层叠地设置于粘合剂层的与基材膜相反的一侧的金属层、以及设置于金属层的与粘合剂层相反的一侧且用于将金属层粘接于电子器件的背面的粘接剂层，粘接剂层在100℃加热3小时后的25℃下的储能模量为10GPa以下，在100℃加热3小时时的固化率为10～100％。

公开(公告)号：CN107851627A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201680041591.4

申请日：2016-11-22

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 杉山二朗 ,  青山真沙美 ,  佐野透

IPC: H01L23/40 ,  H01L23/36

Abstract: 本发明提供一种可以抑制粘接剂层或金属层通过外力而剥离，且发热性或可靠性降低的电子器件封装、电子器件封装的制造方法、及电子器件封装用带。本发明的电子器件封装，其特征在于，具有：基板、以第一面与所述基板对置的方式连接于所述基板的电子器件、设置于与所述第一面相反侧的所述电子器件的第二面的粘接剂层、和经由所述粘接剂层而粘接于所述电子器件的所述第二面的金属层，所述金属层的平面的尺寸≤所述粘接剂层的平面的尺寸＜所述电子器件的第二面的平面的尺寸。

公开(公告)号：CN107408501A

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201680015116.X

申请日：2016-03-23

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 佐野透 ,  杉山二朗 ,  青山真沙美

IPC: H01L21/301 ,  C09J7/02 ,  C09J201/00

CPC classification number: C09J201/00 ,  C09J7/20

Abstract: 本发明提供一种拾取性优异的半导体加工用带，其在带收缩工序中热收缩率低，不会产生褶皱，并且切缝宽度充分扩张而芯片位置不会偏移。一种半导体加工用带，其特征在于，具有粘合带，该粘合带具备基材膜和形成于上述基材膜的至少一面侧的粘合剂层，在通过扩展分割粘接剂的工序中，按照JIS7162中规定的方法，上述粘合带在10％的拉伸伸长率时的仅基材的应力与粘合带的应力的关系如下：粘合带的应力/仅基材的应力＝1以下。

公开(公告)号：CN103460348A

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201280017728.4

申请日：2012-12-26

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 佐野透 ,  石黑邦彦 ,  三原尚明 ,  井之前千佳子 ,  矢吹朗 ,  建部一贵

IPC: H01L21/301 ,  C09J4/00 ,  C09J7/02 ,  C09J133/00 ,  C09J161/28 ,  C09J163/00 ,  C09J175/04 ,  C09J201/02 ,  H01L21/304 ,  H01L21/52

CPC classification number: C09J4/00 ,  C08G18/6229 ,  C08G18/6705 ,  C08G18/8029 ,  C08G18/8116 ,  C08L75/00 ,  C09J7/385 ,  C09J133/14 ,  C09J161/28 ,  C09J175/14 ,  C09J2203/326 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/27 ,  H01L24/83 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/181 ,  C08F2220/1858 ,  C08F220/20 ,  C08F220/06 ,  C08F2220/1883 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的在于提供一种晶片加工用胶带，其不因扩张而在粘接剂层与粘合剂层界面产生偏移，具有适于切断粘接剂层的工序的均一扩张性，且拾取性优异。在本发明中，使用晶片加工用胶带，该晶片加工用胶带的特征在于，由基材薄膜、形成在上述基材薄膜上的粘合剂层、及形成在上述粘合剂层上的粘接剂层构成，上述粘合剂层与上述粘接剂层在25℃下的剪切力为0.2N/mm2以上，在200mJ/cm2的能量线照射后依据JIS-Z0237的标准状态下的剥离速度为300mm/min、剥离角度为180°时的上述粘合剂层与上述粘接剂层的剥离力为0.3N/25mm以下。

公开(公告)号：CN103013365A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201110286708.4

申请日：2011-09-23

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 佐野透 ,  三原尚明 ,  盛岛泰正

IPC: C09J7/02 ,  H01L21/68 ,  H01L21/78

Abstract: 本发明涉及晶片加工用带，其为通过扩张将粘接剂层沿着芯片截断时所用的能够扩张的晶片加工用带，该晶片加工用带具有适于通过扩张截断粘接剂层的工序的均匀扩张性，在热收缩工序中即使不进行高温且长时间地受热也显示出充分的受热收缩性，且不会招致热收缩工序后的松弛所致的拾取不良。本发明的晶片加工用带10由基材膜11以及设于基材膜11上的粘附剂层12和设于粘附剂层12上的粘接剂层13构成，基材膜11为热传导率为0.15W/m·K以上的热塑性交联树脂。

公开(公告)号：CN108885980B

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN201680083855.2

申请日：2016-11-25

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 青山真沙美 ,  杉山二朗 ,  石黑邦彦 ,  佐野透

IPC: H01L21/301 ,  H01L23/00 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明提供一种电子器件封装用带，其能抑制在从粘合带拾取带粘接剂层的金属层时因拾取装置的顶针的顶起使金属层变形而产生顶针的痕迹，能抑制在粘接剂层与被粘物之间产生空隙。本发明的电子器件封装用带(1)具有：粘合带(5)，其具有基材膜(51)和粘合剂层(52)；以及被设置为层叠于粘合剂层(52)的与基材膜(51)相反的一侧的粘接剂层(4)和金属层(3)所构成的层叠体，金属层(3)的拉伸强度为350MPa以上。

公开(公告)号：CN107960133B

公开(公告)日：2021-10-26

申请号：CN201680025557.8

申请日：2016-10-05

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 青山真沙美 ,  佐野透

IPC: H01L21/683 ,  H01L23/36 ,  C09J7/20

Abstract: 本发明提供一种能够防止在向半导体晶圆贴合时金属层产生褶皱的半导体加工用带。本发明的半导体加工用带(10)的特征在于，具有：具有基材膜(11)和粘合剂层(12)的切割带(13)、设置于所述粘合剂层(12)上且用于保护半导体芯片的背面的金属层(14)、以及设置于所述金属层(14)上且用于将所述金属层(14)粘接于半导体芯片的背面的粘接剂层(15)，所述切割带(13)的环刚度为20mN以上且低于200mN。

公开(公告)号：CN109041575B

公开(公告)日：2021-02-12

申请号：CN201680083866.0

申请日：2016-11-28

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 青山真沙美 ,  杉山二朗 ,  石黑邦彦 ,  佐野透

IPC: C09J11/06 ,  C09J163/00 ,  C09J171/10 ,  C09J7/20 ,  C09J133/08 ,  C09J133/00 ,  C09J133/14 ,  C09J175/14

Abstract: 本发明提供一种电子器件封装用带，其能抑制在从粘合带拾取带粘接剂层的金属层时因拾取装置的顶针的顶起使金属层变形而产生顶针的痕迹，能抑制在粘接剂层与被粘物之间产生空隙。本发明的电子器件封装用带(1)具有：粘合带(5)，其具有基材膜(51)和粘合剂层(52)；粘接剂层(4)，其被设置为层叠于粘合剂层(52)的与基材膜(51)相反的一侧；以及金属层(3)，其被设置为层叠于粘接剂层(4)的与粘合剂层(52)相反的一侧，金属层(3)的厚度为5μm以上且小于200μm，从粘合带(5)拾取粘接剂层(4)和金属层(3)的状态下的粘合带(5)与粘接剂层(4)的粘合力为0.03～0.5N/25mm。

公开(公告)号：CN110546738B

公开(公告)日：2020-12-29

申请号：CN201880005343.3

申请日：2018-07-18

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 桥本浩介 ,  仙台晃 ,  佐野透

IPC: H01L21/301 ,  C09J7/22 ,  C09J7/38

Abstract: 本发明提供能够在短时间充分加热收缩且能够保持切口(kerf)宽度的半导体加工用带。本发明的半导体加工用带(10)的特征为具有粘合带(15)，该粘合带(15)具有基材膜(11)及形成于所述基材膜(11)的至少一面侧的粘合剂层(12)，所述粘合带(15)以于任意第一方向的利用热机械特性试验机于升温时测定的40℃～80℃之间的每1℃的热变形率的总和算出的积分值与以于与所述第一方向成直角的第二方向的利用热机械特性试验机于升温时测定的40℃～80℃之间的每1℃的热变形率的总和算出的积分值之和为负值。