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公开(公告)号：CN110073469B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN201880005022.3
申请日：2018-11-06
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01L21/301 , C09J201/00 , H01L21/304
Abstract: 通过从表面(S)侧照射SF6气体等离子体，对在切割道部分露出的半导体晶片(1)进行蚀刻，分割成各个半导体芯片而进行单片化。接着，从表面(S)侧供给除去剂(16)。此时，优选使分割成芯片的半导体晶片(1)高速旋转。通过以上，利用除去剂(16)将残留在表面(S)上的掩模材料层(3b)去除。需要说明的是，作为除去剂(16)，优选为有机溶剂，特别优选为甲基乙基酮、乙醇或乙酸乙酯、或者它们的组合。
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公开(公告)号：CN110024086B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN201880002965.0
申请日：2018-07-27
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01L21/301 , C09J4/00 , C09J7/38
Abstract: 从表面侧照射SF6气体等离子体，由此蚀刻在切割道部分露出的半导体晶片(1)，分割成各个半导体的芯片(7)而进行单片化。接着，从掩模材料层(3b)的表面侧贴合剥离带(16)。剥离带(16)通过将粘合剂层(16b)设置于基材膜(16a)而构成。在贴合剥离带(16)并使其固化后，将剥离带(16)与掩模材料层(3b)一起剥离。即，将掩模材料层(3b)粘接于剥离带(16)，将掩模材料层(3b)从图案面(2)剥离。
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公开(公告)号：CN107431004B
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN201680020678.3
申请日：2016-11-07
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01L21/301 , B23K26/351 , C09J4/00 , C09J7/24 , C09J7/29 , C09J11/06 , C09J133/00 , H01L21/304
Abstract: 一种掩模一体型表面保护带，其为在利用等离子体切割的半导体芯片的制造中使用的掩模一体型表面保护带，该掩模一体型表面保护带具有基材膜、设置于该基材膜上的粘合剂层、和设置于该粘合剂层上的掩模材料层，该掩模材料层和该粘合剂层均含有(甲基)丙烯酸系共聚物。
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公开(公告)号：CN110073469A
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201880005022.3
申请日：2018-11-06
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01L21/301 , C09J201/00 , H01L21/304
Abstract: 通过从表面(S)侧照射SF6气体等离子体，对在切割道部分露出的半导体晶片(1)进行蚀刻，分割成各个半导体芯片而进行单片化。接着，从表面(S)侧供给除去剂(16)。此时，优选使分割成芯片的半导体晶片(1)高速旋转。通过以上，利用除去剂(16)将残留在表面(S)上的掩模材料层(3b)去除。需要说明的是，作为除去剂(16)，优选为有机溶剂，特别优选为甲基乙基酮、乙醇或乙酸乙酯、或者它们的组合。
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公开(公告)号：CN106104767B
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201580015094.2
申请日：2015-03-20
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01L21/683 , C09J7/38 , C09J201/00
CPC classification number: H01L21/6836 , C09J7/38 , C09J7/385 , C09J201/00 , C09J2201/622 , C09J2203/326 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381
Abstract: 本发明涉及半导体晶片加工用胶带和半导体晶片的加工方法，该半导体晶片加工用胶带(10)贴合至表面具有高度为80μm以上的凹凸的半导体晶片而用于对该半导体晶片的背面进行磨削的工序，其中，在基材膜(1)上具有粘合剂层(3)，该粘合剂层(3)的厚度为所述半导体晶片表面的凹凸高度的25％～90％，且所述粘合剂层的厚度为所述半导体晶片加工用胶带(10)整体的厚度的25％以下。
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公开(公告)号：CN107533964A
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201680024338.8
申请日：2016-11-07
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01L21/301 , B23K26/351 , H01L21/304 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/31058 , B23K26/351 , B23K26/38 , H01L21/02076 , H01L21/304 , H01L21/3065 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381
Abstract: 一种掩模一体型表面保护膜，其为具有基材膜和设置于该基材膜上的掩模材料层的掩模一体型表面保护膜，其特征在于，上述掩模材料层为乙烯‑乙酸乙烯酯共聚物树脂、乙烯‑丙烯酸甲酯共聚物树脂或乙烯‑丙烯酸丁酯共聚物树脂，上述掩模材料层的厚度为50μm以下。
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公开(公告)号：CN107112230A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201680005517.7
申请日：2016-03-14
Applicant: 古河电气工业株式会社
Inventor： 内山具朗
IPC: H01L21/304 , C09J4/00 , C09J5/00 , C09J7/02 , C09J201/00
CPC classification number: C09J4/00 , C09J5/00 , C09J7/20 , C09J201/00 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供特别是在硅晶圆等的背面磨削工序中，在背面研磨后从晶圆表面将半导体加工用粘合带剥离时不会产生残胶的半导体加工用粘合带。本发明的半导体晶圆加工用粘合带1，其特征在于，其具有基材膜2和设置于上述基材膜2的单面侧的能量射线固化型的粘合剂层3，在将能量射线照射前的粘合力设为A(N/25mm)、将粘力设为T(KPa)、将伸长值设为E(mm)、将照射能量射线后的粘合力设为AUV(N/25mm)、将粘力设为TUV(KPa)、将伸长值设为EUV(mm)时，AUV/A≤0.3，且TUV/T≤0.05，且EUV/E≤0.3。
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公开(公告)号：CN104185896A
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201380012313.2
申请日：2013-03-12
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01L21/304 , C09J7/02
CPC classification number: H01L21/6836 , C09J7/29 , C09J2201/162 , C09J2201/622 , C09J2203/326 , C09J2205/114 , C09J2423/046 , C09J2423/106 , C09J2431/006 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381
Abstract: 本发明涉及半导体晶片表面保护用胶带，其中，在基材膜上具有粘合剂层，基材膜的总厚度为50μm～200μm，高弹性模量层厚度：低弹性模量层厚度之比为1：9～5：5，高弹性模量层配置在粘合剂层的背面，且为由聚丙烯或直链状的聚乙烯构成的厚度10μm以上的层，低弹性模量层由乙酸乙烯酯含有率为5质量％～20质量％、MFR为0.8g/10min～10g/10min的乙烯-乙酸乙烯酯共聚物构成，粘合剂层的厚度为10μm～50μm，在50℃加热剥离时相对于SUS280研磨面的粘合力或500mJ的紫外线照射后的粘合力中的任一者为1.0N/25mm以下、且为未加热时或未照射紫外线时的粘合力的50％以下。
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