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公开(公告)号：CN110428791B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201910759830.5
申请日：2019-08-16
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥鑫晟光电科技有限公司
IPC分类号： G09G3/36 , G09G3/3208 , G09F9/302
摘要： 本发明公开了一种显示装置，涉及显示技术领域，达到了提高显示装置保密效果的目的。本发明的主要技术方案为：包括：处理电路和显示面板，所述处理电路与所述显示面板相连接，所述处理电路用于向所述显示面板发送预设电压信号，所述显示面板包括像素层，所述像素层上阵列设置有大量的像素单元，每个所述像素单元包括至少三个子像素，每个所述像素单元中的所述子像素杂乱排布，所述显示面板根据所述预设电压信号控制各个所述子像素对应区域的加载电压。本发明主要用于显示装置的制造。
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公开(公告)号：CN104979380B
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN201510273988.3
申请日：2015-05-26
申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L29/417 , H01L29/08 , H01L29/66 , H01L29/786
摘要： 本发明实施例提供一种薄膜晶体管及其制造方法，涉及显示技术领域，能够减少源漏极至极性反转区的纵向电阻，从而提高源漏极至极性反转区的电流，提升TFT的性能。其中，TFT的有源层上存在未刻穿的第一凹槽和第二凹槽，TFT的源极和漏极分别至少部分形成于第一凹槽和第二凹槽内，源极和漏极分别通过第一凹槽和第二凹槽与有源层接触。本发明实施例用于TFT的制造。
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公开(公告)号：CN109188854B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201811214889.8
申请日：2018-10-18
申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种掩膜板、显示基板及其制作方法、显示装置，属于显示技术领域。其中，所述掩膜板包括透光区域、第一不透光区域和第一部分透光区域，所述掩膜板还包括位于所述第一部分透光区域与所述透光区域之间的过渡区，相同光照强度下，通过单位面积的所述过渡区的辐射能通量小于通过单位面积的所述第一部分透光区域的辐射能通量。本发明的技术方案能够避免金属层残留的现象，提高显示基板的透过率。
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公开(公告)号：CN111244039A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN201811441329.6
申请日：2018-11-29
申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
摘要： 一种密封结构及其制作方法和显示装置，该密封结构包括：衬底基板；位于衬底基板上的密封胶；以及位于衬底基板和密封胶之间且与密封胶接触的接触层。在该密封结构中，接触层的远离衬底基板的接触层表面在与密封胶接触的接触位置处是非平坦的。该密封结构具有较好的阻隔水汽的能力。
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公开(公告)号：CN110620154A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201910778034.6
申请日：2019-08-22
申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336
摘要： 本发明涉及显示技术领域，公开一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示面板及装置。其中，薄膜晶体管包括衬底基板和依次层叠在衬底基板上的有源层和源漏电极；源漏电极中的源电极在衬底基板上的投影与有源层的部分边缘在衬底基板上的投影重叠。上述薄膜晶体管中，有源层接收光照的面积较小，可有效降低空穴的产生，减小光照条件下光生载流子的浓度，进而，可以避免在高温光照环境下工作的TFT出现空穴俘获几率增加、阈值电压下降等缺陷态，改善TFT器件在高温光照环境下的性能。当上述薄膜晶体管应用于显示面板中时，可以提高显示产品在高温环境下的工作性能，增强显示产品的可靠性。
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公开(公告)号：CN106653774B
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201710005439.7
申请日：2017-01-04
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥鑫晟光电科技有限公司
IPC分类号： H01L27/12 , H01L21/77 , G02F1/1362
摘要： 本发明公开一种阵列基板及其制造方法、掩膜版、显示装置，属于显示技术领域。阵列基板包括：衬底基板以及依次设置在衬底基板上的像素电极、栅极、栅绝缘层、源漏极层、钝化层和像素连接线，源漏极层包括源极和漏极，栅绝缘层上设置有第一孔状结构，钝化层位于第一孔状结构内的部分设置有第二孔状结构，钝化层位于第一孔状结构外的部分设置有漏极过孔，第二孔状结构的侧壁与第一孔状结构的侧壁不接触，像素连接线通过第二孔状结构和漏极过孔将像素电极与漏极连接，本发明解决了显示装置容易出现暗线不良的问题，达到了避免显示装置出现暗线不良的效果。本发明用于显示装置。
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公开(公告)号：CN109390412A
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201811243824.6
申请日：2018-10-24
申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/06 , H01L21/336 , H01L27/12
摘要： 本发明提供一种晶体管及其制造方法、显示基板、显示装置，属于半导体技术领域，其可至少部分解决现有的硅基底栅型的ESL型晶体管漏电流过大的问题。本发明的晶体管包括基底；设置在基底上的栅极；设置在栅极的远离基底一侧的栅绝缘层；设置在栅绝缘层的远离基底一侧的有源区，有源区包括同层设置的多晶硅区、第一非晶硅区和第二非晶硅区，其中，第一非晶硅区和第二非晶硅区分别连接多晶硅区的相对的两个第一侧面；设置在多晶硅区的远离基底一侧的刻蚀阻挡层；多晶硅区在刻蚀阻挡层所在平面的正投影不超出刻蚀阻挡层，且多晶硅区的至少一个第一侧面在刻蚀阻挡层所在平面的正投影位于刻蚀阻挡层内部。
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公开(公告)号：CN105677123B
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：CN201610016241.4
申请日：2016-01-11
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥鑫晟光电科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种触控面板及其制作方法、显示装置，用以减少掩膜板的使用，降低生产成本。触控面板的制作方法包括：在衬底基板上通过构图工艺制作第一电极和第二电极，第一电极和第二电极在交叉位置处断开；沉积一有机膜层，通过一掩膜板形成有机膜层完全保留区、有机膜层部分保留区和有机膜层去除区，有机膜层去除区对应桥接层与第一电极或第二电极的接触区，有机膜层部分保留区对应桥接层区域，有机膜层完全保留区和有机膜层部分保留区对应的有机膜层形成第一有机膜层；沉积一导电层，在导电层上涂覆光刻胶，通过掩膜板形成光刻胶完全保留区、光刻胶部分保留区和光刻胶去除区；对完成上述步骤的衬底基板进行刻蚀以及去除光刻胶，形成桥接层。
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公开(公告)号：CN105241547B
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201510654421.0
申请日：2015-10-10
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥鑫晟光电科技有限公司
摘要： 本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种显示面板、显示装置和检测紫外线强度的方法，用以解决现有技术中检测紫外线的功能很难应用于小型化便携式设备的问题。本发明实施例中一种显示面板，包括相对设置的第一基板和第二基板，设置在第二基板上的至少一个检测单元，以及信号处理单元；其中检测单元包括第一光感应单元和第二光感应单元；第一基板出光侧表面上覆盖第一光感应单元和第二光感应单元的区域设置光过滤层，且覆盖第二光感应单元的区域还设置光转换材料；信号处理单元用于根据第一电信号的强度和第二电信号的强度，确定紫外线强度值。由于检测紫外线强度的检测单元和信号处理单元均位于显示面板内部，从而能够应用于小型化便携式设备。
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公开(公告)号：CN107731679A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201710947326.9
申请日：2017-10-12
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥鑫晟光电科技有限公司
IPC分类号： H01L21/311 , H01L27/12
摘要： 本发明公开了一种显示面板的制造方法、显示面板和显示装置，属于显示技术领域。所述方法包括：在衬底基板上依次形成第二膜层和第一膜层，第一膜层上形成有第一过孔；在形成有第一膜层的衬底基板上形成光刻胶图案；以高于光刻胶图案的耐受温度的温度对光刻胶图案进行热固化处理；通过刻蚀工艺刻蚀第二膜层，以在第二膜层上形成第二过孔。本发明通过以高于光刻胶图案耐受温度的温度对光刻胶图案进行热固化，使光刻胶图案在热固化过程中均匀附着在过孔侧壁上。解决了相关技术中，光刻胶难以保护过孔侧壁，导致过孔侧壁与衬底基板的夹角较大，使后续形成于过孔中的结构可能在该过孔处断裂，造成显示面板不良的问题，达到了提高显示面板良率的效果。
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