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公开(公告)号：CN103332692B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201310329347.6
申请日：2013-07-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种高密度缺陷碳化硅纳米线的制备方法，涉及一种纳米线的制备方法。本发明是要解决现有制备碳化硅纳米线的方法存在生产成本高、工艺复杂、制备温度高，不适合大规模生产以及制备出的碳化硅纳米线发光波段窄的技术问题。本发明的制备方法如下：一、清洗衬底；二、磁控溅射；三、高温煅烧。本发明应用于制备碳化硅纳米线。
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公开(公告)号：CN111593310A
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN202010384746.2
申请日：2020-05-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种利用磁控溅射制备高光电稳定性透明导电膜的方法，本发明涉及制备透明导电膜的方法。本发明要解决现有Ag基多层薄膜在长期或高温条件下会发生光电性能劣化的问题。方法：一、将AZO靶材、Ni靶材及Ag靶材安装在多靶磁控溅射设备的靶位上，抽真空；二、AZO靶材溅射直至第一AZO层厚度为25nm～55nm，Ag靶材溅射直至Ag层厚度为6nm～10nm，Ni靶材溅射直至Ni层厚度为2nm～4nm，AZO靶材溅射直至第二AZO层厚度为25nm～55nm；三、关闭所有电源，取样。本发明可用于太阳能电池的电极、平板显示器等对透明导电薄膜有高光电性能及优异稳定性需求的领域。
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公开(公告)号：CN109659396B
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201811573167.1
申请日：2018-12-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L21/02 , C23C14/35
Abstract: 一种中红外透明P型半导体薄膜的制备方法，它涉及一种P型半导体薄膜的制备方法。本发明的目的是开发一种新型的P型中红外透明导电材料种类，解决现有LaSe2薄膜中红外透明导电薄膜制备困难，在中红外应用受到了极大地限制的技术问题。本发明：一、靶材和衬底的清洗；二、La2O3薄膜的制备；三、LaSe2薄膜的制备。本发明以单质Se粉末为Se源，利用真空封管处理，在硒化退火的条件下，Se蒸气可以将La2O3薄膜中的O置换出来的原理制备LaSe2薄膜，弥补了La与Se较高温度下不易反应的材料制备局限性。本发明制备的LaSe2薄膜具有较好的导电性能，中波红外光区的总透过率约为70％，透过性能较为良好。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108165947B
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201810226135.8
申请日：2018-03-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23C14/35
Abstract: 用于修补平面沉积膜层的自吸式磁控溅射系统及溅射方法，它涉及一种磁控溅射系统及溅射方法。本发明为了解决现有的大型平面结构件表面膜层发生脱落、起皮等现象后，存在不易进行再次镀膜修复，直接影响到结构件或是功能件的寿命和功能性的问题。本发明包括真空室组件、磁控靶挡板组件和磁控靶组件，磁控靶挡板组件通过控制第一手轮的旋转，使得挡板轴运动，同时万向节发生运动带动挡板的左右运动，实现遮挡溅射辉光的作用；磁控靶通过直靶支杆和靶支座固定在真空室桶内，采用屏蔽靶套套在永磁靶头上，防止溅射过程中辉光收到外界环境干扰。溅射方法包括准备工作、抽真空、起辉、镀膜修补和取下系统。本发明用于修补平面沉积膜层中。
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公开(公告)号：CN108470782A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201810198862.8
申请日：2018-03-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/032 , C23C14/35 , C23C14/08 , C23C14/58
Abstract: 一种中红外透明导电P型氧化物薄膜材料及其制备方法，它涉及一种P型导电氧化物薄膜材料及其制备方法。本发明是要解决现有的P型透明氧化物薄膜导电性较差、载流子浓度较低以及中波红外透过率低的技术问题。本发明的中红外透明导电P型氧化物薄膜材料的化学式为La2SexOy，其中x为3～4，y为9～11。本发明的制备方法：一、靶材和衬底的清洗；二、La2O3薄膜的制备；三、掺杂Se。本发明制备的P型透明导电氧化物薄膜的光学带隙约为4.0eV，空穴有效质量小于电子的有效质量，具有较高的载流子浓度和电导率，中波红外光区的透过率约为70％，透过性能较为良好。
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公开(公告)号：CN105385999A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510830384.4
申请日：2015-11-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: C23C14/352 , C23C14/0605 , C23C14/0617 , C23C14/0664 , C23C14/16 , C23C28/32 , C23C28/341 , C23C28/343
Abstract: 延长镜头模具钢循环使用寿命的方法，本发明涉及延长模具钢循环使用寿命的方法。本发明要解决现有镜头模具钢循环使用寿命差的问题。方法：一、单靶材的制备；二、复合靶材的制备；三、清洗；四、镀膜前准备工作；五、镀制Ti薄膜；六、镀制TiN薄膜；七、更换靶材；八、镀制TiNC薄膜；九、沉积类金刚石；十、关机，即完成延长镜头模具钢循环使用寿命的方法。本发明用于延长镜头模具钢循环使用寿命。
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公开(公告)号：CN103290367B
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201310206650.7
申请日：2013-05-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种薄膜体声波谐振器下电极的制备方法，它涉及薄膜体声波谐振器下电极的制备方法，本发明要解决现有的普通工艺得到的Mo薄膜存在表面粗糙、结构和几何均匀性差，电学及声学性能难以满足压电堆电极要求，以及其与AlN薄膜特性差异大，结合强度低的问题。本发明中一种薄膜体声波谐振器下电极的制备方法按以下步骤进行:一、清洗单晶硅衬底材料;二、进行单晶硅衬底表面离子清洗;三、在单晶硅衬底表面沉积Mo薄膜;四、对Mo薄膜表面进行氮化处理。本发明制备的Mo薄膜电极，表面平整，粗糙度低、结构和几何均匀性好，电学及声学性能优良。本发明可应用于电子材料技术领域。
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公开(公告)号：CN103290367A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201310206650.7
申请日：2013-05-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种薄膜体声波谐振器下电极的制备方法，它涉及薄膜体声波谐振器下电极的制备方法，本发明要解决现有的普通工艺得到的Mo薄膜存在表面粗糙、结构和几何均匀性差，电学及声学性能难以满足压电堆电极要求，以及其与AlN薄膜特性差异大，结合强度低的问题。本发明中一种薄膜体声波谐振器下电极的制备方法按以下步骤进行:一、清洗单晶硅衬底材料;二、进行单晶硅衬底表面离子清洗;三、在单晶硅衬底表面沉积Mo薄膜;四、对Mo薄膜表面进行氮化处理。本发明制备的Mo薄膜电极，表面平整，粗糙度低、结构和几何均匀性好，电学及声学性能优良。本发明可应用于电子材料技术领域。
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