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公开(公告)号：CN112216751A
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN201910624743.9
申请日：2019-07-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/0336 , H01L31/072 , H01L31/109 , H01L31/18 , C23C16/30
Abstract: 本发明公开了GaSe/MoS2异质结的制备方法，属于光电器件的技术领域。本发明要解决现有制备GaSe/MoS2异质结存在MoS2纳米片形状不规则而且层数不可控、难以精确控制的技术问题。本发明采用化学气相沉积法得到单层MoS2，然后采用PDMS作为转移的媒介利用转移平台将机械剥离的GaSe与MoS2结合获得GaSe/MoS2异质结。本发明制备的GaSe/MoS2异质结是具有很好的光电性能，是许多光电器件的核心组件，比如紫外光电探测器等。
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公开(公告)号：CN112213004A
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN202011082973.6
申请日：2020-10-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01L1/18
Abstract: 本发明涉及基于梯度弹性模量的大响应范围、高灵敏触觉传感器，由封装层、柔性衬底/电极、梯度孔结构压阻层构成。灵敏度和响应范围作为触觉传感器最重要的两个指标，改善这两个指标一直都是触觉传感领域的研究热点，因为高灵敏度和大响应范围触觉传感器可以使机器人实现多场景精准感知，这一目标的实现将大大简化机器人传感设备，为机器人轻型化制备提供有利条件。但由于同时改善这两个指标的条件是相矛盾的，导致这一目标始终没有得到有效地进展。为了这一目标，本发明通过构建具有梯度弹性模量的梯度孔结构，实现了大响应范围、高灵敏度及快响应时间触觉传感器的制备。提供了一种适用于机器人多场景精准感知的新型结构触觉传感器制备方法。
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公开(公告)号：CN110350206A
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201810977962.0
申请日：2018-08-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种垂直石墨烯负载碳纳米管复合电极材料及其制备方法以及在全固态锌-空气电池中的应用，属于全固态金属-空气电池电极材料技术领域。本发明利用射频等离子体增强化学气相沉积技术在碳布上生长垂直石墨烯纳米片阵列，然后将其浸入Zif-67前驱体溶液中浸泡20小时，之后进行洗涤、干燥，利用化学气相沉积技术煅烧，在氢气和氩气的气氛下，三聚氰胺提供氮源时，在垂直石墨烯负载Zif-67的前驱体上生长碳纳米管。本发明制备得到的材料在ORR和OER方面均表现出优越的催化性能，作为全固态锌-空气电池的阴极时，具有优异的电化学性能和循环稳定性，在全固态金属-空气电池电极材料技术领域将具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN108565301A
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201810305675.5
申请日：2018-04-08
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/0272 , H01L31/101 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种基于金属表面等离子诱导双波段响应的光电探测器及制备方法，属于传感器技术领域。本发明探测器包括：衬底，硒化铟纳米片，金纳米阵列和两个金属电极。本发明中所用的光敏感材料为硒化铟，目前硒化铟基光电探测器的工作范围大多集中在紫外波段，其响应度从可见光波段开始严重衰减，使其在长波段无法正常工作。针对此问题，本发明中采用金属表面等离子体共振诱导的方法提高了硒化铟光电探测器在可见光区的量子效率，进而实现了其在紫外-可见-近红外的宽谱范围内具有双波段的探测功能。此外，这种新型双波段探测器具有结构简单、尺寸小、易于耦合焦平面读出电路等特点，有益于下一代多功能、多变量检测光探测器的开发。
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公开(公告)号：CN105442072A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201511014843.8
申请日：2015-12-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: D01D13/00 , D01D10/00 , D01F1/10 , D01F6/48 , D01F6/50 , D01F6/52 , D01F6/54 , D01F6/94
Abstract: 本发明公开了一种批量制备同时具有仿贝壳结构和螺旋结构的超强韧性纤维的方法，将微观—介观—宏观尺度相结合，通过层层组装的方式首先制备出仿贝壳结构的纤维，再通过干纺丝技术将这种纤维纺织成连续的螺旋结构，从而将仿贝壳和螺旋结构集成到同一纤维中。在受到轴向拉力时，通过介观上螺旋结构的开环和微观上石墨烯片之间滑移等多尺度变形抵抗外力做功，实现超高伸长率和抗拉强度，进而实现超高韧性。本发明所制备的同时具有仿贝壳结构和螺旋结构的纤维具有超高的伸长率（>400%）和超强韧性（~640 J/g），而且原料广泛，工艺简单连续，可以应用于不同二维无机纳米片与不用聚合物形成的纤维，具有普适性和可移植性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104045979A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410304515.0
申请日：2014-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种基于氧化石墨烯改进背衬材料吸声性能的方法，属于材料技术领域。为了解决W粉和Epoxy之间高的界面能问题，使得W粉和Epoxy得到很好的兼容效果，所述方法一为：一、制备W/Epoxy的复合物粉体；二、制备W/Epoxy/GO复合物粉体；三、制备W/Epoxy/GO/Epoxy复合物粉体；四、制备W/Epoxy/GO/Epoxy复合物薄膜。所述方法二为：一、制备W/GO复合物粉体；二、制备W/GO/Epoxy复合物粉体；三、制备W/GO/Epoxy复合物薄膜。本发明通过W、Epoxy和GO的层层组装，形成W/Epoxy/GO/Epoxy复合物薄膜或W/GO/Epoxy复合物薄膜，并改进传统背衬材料基体W和Epoxy的制备工艺，制备出中阻抗、高衰减的复合物薄膜背衬材料。
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公开(公告)号：CN102680527A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210161361.5
申请日：2012-05-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N27/00
Abstract: 一种基于纳米软印刷技术批量制备石墨烯气体传感器的方法，属于石墨烯传感器的制备领域。为了解决现有技术制备的石墨烯传感器制备技术存在石墨烯形状与尺寸难以控制、制成的石墨烯传感器性能不一致，且不利于微纳米级石墨烯传感器集成的问题，本发明的操作步骤如下：一、石墨烯薄膜的制备；二、制备规则形状的石墨烯（包括还原氧化石墨烯和CVD石墨烯两种不同方法制备的石墨烯）；三、石墨烯的改性；四、批量石墨烯气体传感器的制备。本发明主要用于批量制备石墨烯气体传感器。该方法充分发挥了纳米软光刻技术与二维材料石墨烯的二者的优点，并且制备出的带状石墨烯传感器具有相同的性质，这为石墨烯做传感器的广泛应用与工业化奠定了基础。
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公开(公告)号：CN102324279A
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN201110205508.1
申请日：2011-07-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种基于纳米软印刷技术制备石墨烯导电薄膜的方法，它涉及石墨烯导电薄膜的制备领域。本发明要解决现有制备石墨烯导电薄膜技术存在成本高，且制备的石墨烯导电薄膜厚度不能达到纳米级、形状和尺寸难以控制和不利于微纳米级半导体器件集成的问题。本发明的操作步骤如下：一、制备氧化石墨烯；二、制备氧化石墨烯薄膜；三、还原改性。本发明主要用于制备石墨烯导电薄膜。
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公开(公告)号：CN112301429B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202011076718.0
申请日：2020-10-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种制备单晶金属箔片及二维材料的管式炉改装装置及方法，通过这种方法可以实现管式炉内金属箔片样件的匀速推进，获得均匀可控的温度梯度，从而将工业金属箔片快速转化单晶金属箔片，并在其表面生长二维单晶材料。本方法可在不改变炉体密闭性和其他炉体参数的前提下，精细地调节样件的位置、移动的速度、以及所处的温度梯度场条件。本改装方法操作简单，适用性广，可与多数型号的水平管式炉相兼容，降低了单晶金属箔片的转化过程和二维材料的生长过程中对于特殊设备的要求。
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公开(公告)号：CN116265625A
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202211455347.6
申请日：2022-11-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种高质量、晶圆级单晶多层氮化硼薄膜及其可控制备方法和应用。本发明属于二维薄膜材料领域。本发明的目的是为了解决现有方法获得的氮化硼薄膜尺寸仅能达到微米级以及生长取向不一致的技术问题。本发明采用CVD工艺，将液态生长衬底置于生长区，将固态源置于源区，在还原气氛下进行薄膜的生长，通过控制生长时间调控单晶氮化硼薄膜的层数，得到高质量、晶圆级单晶多层氮化硼薄膜。本发明的制备方法通过简单改变工艺参数即可实现氮化硼薄膜层数控制，且生长的晶圆级薄膜层数均一，不同区域内的层数保持一致，粗糙度低，可控性较好，通过对生长时间的精确控制实现了单晶氮化硼薄膜的层数可控制备。
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