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公开(公告)号：CN115639453A
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202211252016.2
申请日：2022-10-13
Applicant: 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种可实现元件复用的功率器件导通压降在线测量电路。本发明的功率器件导通压降在线测量电路，包括：提供测试条件的半桥模块，包括测试回路，该测试回路包括串联而成的上桥臂功率器件和下桥臂功率器件；测量电路输入模块，包括第一输入通路和第二输入通路，输入通路通过NMOS管连接在被测功率器件的两端；测量电路限流模块，包括限流电阻R，以抑制被测功率器件开关过程中在测量电路上形成的瞬态电流；测量电路输出模块，当任一功率器件导通时，测量电路输出模块提取到其导通压降。本发明为一种实时的在线测量电路，结合功率器件的开关时序，实现了测量元件的复用，减少了组件数目与端口数量，结构简单且测量精度高。
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公开(公告)号：CN115616394A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211301443.5
申请日：2022-10-24
Applicant: 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院
IPC: G01R31/327
Abstract: 本发明公开了一种瓦斯继电器校验装置，涉及瓦斯继电器技术领域，包括：储油箱通过输油管串接瓦斯继电器，瓦斯继电器与输油支管并接，输油管上安装进气管与加压机构，瓦斯继电器下方设置沥油槽与储油腔相连通，储油腔中安装回油泵与储油箱相连通，位于沥油槽上方的输油管上安装排油管。本发明通过与瓦斯继电器并联的输油支管，能够实现对瓦斯继电器实际使用过程中变压器出现故障瞬间瓦斯继电器工作状态的模拟，从而对瓦斯继电器的校验更加地准确，同时加压操作简单，并在使用过程中实现对变压器油的循环利用，提高资源利用率，并不会出现变压器油外漏而影响环境卫生的情况。
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公开(公告)号：CN115166601A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210703998.6
申请日：2022-06-21
Applicant: 华北电力大学 , 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院
Inventor： 齐磊 , 刘一阳 , 张翔宇 , 王异凡 , 邵先军 , 郑一鸣 , 刘黎 , 王少华 , 曾明全 , 孙明 , 张恬波 , 骆丽 , 王尊 , 王一帆 , 宋琦华 , 龚金龙 , 杨青
Abstract: 本发明涉及一种MMC子模块状态在线监测方法及系统，该方法通过测量负载电流及在IGBT器件导通过程中电容器的电压变化量，获得电容器的容值，通过测量IGBT器件关断过程中的电容器的电压过充峰值，获得IGBT器件的结温，实现了电容器的容值和IGBT器件的结温的一体化监测，而且本发明在电容器的容值的获取过程中无需改变换流器的工作状态，不会对变流器的运行产生影响，可实现在线监测。
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公开(公告)号：CN114614254A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202210171979.3
申请日：2022-02-24
Applicant: 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院
Inventor： 王异凡 , 王少华 , 陈晓刚 , 马建国 , 黄辉 , 龚金龙 , 李治国 , 周绍华 , 单聚良 , 吴旭翔 , 孙明 , 王一帆 , 骆丽 , 张茹萱 , 万鑫 , 范俊 , 贺友杰 , 童跃升
Abstract: 本发明公开了用于传感器标定的镜面单锥天线设计方法及单锥天线系统，属于镜面单锥天线技术领域。现有的镜面单锥天线上的阻抗变换器，其输入阻抗不能灵活调整，导致单锥天线锥角不能调整，进而使得镜面单锥天线占地空间大，制造成本高。本发明的一种用于特高频传感器标定的镜面单锥天线设计方法，利用Klopfenstein阻抗渐变模型设计同轴阻抗变换器，以实现脉冲源与镜面单锥天线在宽频带的阻抗匹配，进而可以通过减小单锥天线锥角的方法，减小同样高度单锥天线的直径，从而缩减天线的占地面积，节约建设成本，使得镜面单锥天线结构更加紧凑；另一方面，采用Klopfenstein阻抗渐变设计阻抗变换器，能够实现阻抗变换效率最大化。
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公开(公告)号：CN112964926B
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202110155302.6
申请日：2021-02-04
Applicant: 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院 , 浙江大学绍兴微电子研究中心 , 国网浙江桐乡市供电有限公司
Inventor： 王异凡 , 龚金龙 , 杨青 , 刘黎 , 王一帆 , 孙明 , 林氦 , 邓志江 , 曾振源 , 张斌 , 陈少华 , 宋琦华 , 周迅 , 曹力力 , 张翾喆 , 汪桢毅 , 姜烔挺
Abstract: 本发明公开了一种大电流功率器件测试治具使用寿命管理方法，属于电力技术领域，目的在于克服现有测试治具寿命判定不准确的缺陷。测试治具使用寿命管理方法，当测试治具达成第一条件、第二条件和第三条件之一时，则判断测试治具寿命终止。本发明所提供的一种大电流功率器件测试治具使用寿命管理方法，通过预设三种条件，当其中一种条件满足时就判断测试治具寿命终止，其中第一条件为对接插件接插动作次数、通电次数和过流次数的综合考量，第二条件为对接插件阻抗增加程度的考量，第三条件为对接插件相邻两次阻抗变化率的考量，这样就提高了判断测试治具寿命终止的可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112964926A
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN202110155302.6
申请日：2021-02-04
Applicant: 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院 , 浙江大学绍兴微电子研究中心 , 国网浙江桐乡市供电有限公司
Inventor： 王异凡 , 龚金龙 , 杨青 , 刘黎 , 王一帆 , 孙明 , 林氦 , 邓志江 , 曾振源 , 张斌 , 陈少华 , 宋琦华 , 周迅 , 曹力力 , 张翾喆 , 汪桢毅 , 姜烔挺
Abstract: 本发明公开了一种大电流功率器件测试治具使用寿命管理方法，属于电力技术领域，目的在于克服现有测试治具寿命判定不准确的缺陷。测试治具使用寿命管理方法，当测试治具达成第一条件、第二条件和第三条件之一时，则判断测试治具寿命终止。本发明所提供的一种大电流功率器件测试治具使用寿命管理方法，通过预设三种条件，当其中一种条件满足时就判断测试治具寿命终止，其中第一条件为对接插件接插动作次数、通电次数和过流次数的综合考量，第二条件为对接插件阻抗增加程度的考量，第三条件为对接插件相邻两次阻抗变化率的考量，这样就提高了判断测试治具寿命终止的可靠性。
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公开(公告)号：CN107229029B
公开(公告)日：2020-03-03
申请号：CN201710361044.0
申请日：2017-05-22
Applicant: 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院 , 北京华电智成电气设备有限公司
Abstract: 本发明公开了一种灵敏度在线校核装置及其校核方法，该灵敏度在线校核装置，用于校验特高频在线监测系统，包括：多个在线校核单元，与特高频在线监测系统的传感器和待校核检测系统OCU连接；在线校核中心处理单元，与所述多个在校校核单元通过光缆连接，接收多个在线校核单元发送的信号。
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公开(公告)号：CN109581258A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811324511.3
申请日：2018-11-08
Applicant: 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
IPC: G01R35/00
Abstract: 本发明公开了一种镜面-单锥标准脉冲场复现系统及方法。本发明的镜面-单锥标准脉冲场复现系统，包括镜面-单锥子系统、位移量监控-自动调整子系统、馈源-射频子系统和软件控制子系统；所述的馈源-射频子系统，包括脉冲信号源、示波器、阻抗变换器以及同轴电缆，通过同轴电缆把脉冲信号源与阻抗变换器连接，阻抗变换器作为馈源使用；所述的软件控制子系统，用于控制脉冲信号源和示波器，并且采集位移监控装置的数据；当锥尖相对于镜面的位移量超过设定范围时，软件控制子系统控制自动调整机构对锥体角度进行微调，减小锥尖与镜面之间的变形量。本发明确保标准脉冲场所依赖的几何外形不变，具有实现方式简单、成本低等优点。
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公开(公告)号：CN119907271A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202411850715.6
申请日：2024-12-16
Applicant: 浙江大学 , 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院
Abstract: 一种平面栅MOSFET结构及其制备方法，属于平面栅MOSFET技术领域，一种平面栅MOSFET结构，包括元胞结构，所述元胞结构包括：N型衬底；N型外延层；P阱区，两个P阱区的顶部皆形成有沟道区；两个P阱区之间形成有JFET区；栅氧层包括第一栅氧区、第二栅氧区和第三栅氧区，第一栅氧区位于沟道区与栅极结构之间，第二栅氧区位于N型区与栅极结构之间，第三栅氧区位于JFET区与栅极结构之间，第二栅氧区的最大厚度大于第一栅氧区的厚度，第三栅氧区的最大厚度大于第一栅氧区的厚度。本申请通过优化MOSFET栅氧的厚度分布，保证沟道处栅氧具有的低界面态密度、高迁移率的导通优势，降低了栅氧泄漏电流，提高了栅氧可靠性，同时也减小了栅氧电容，提高了MOSFET的开关速度。
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公开(公告)号：CN117497497A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311842265.1
申请日：2023-12-29
Applicant: 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院 , 浙江大学
IPC: H01L23/373 , H01L23/473 , H01L23/49
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种功率模块液冷散热封装结构。针对现有碳化硅功率模块散热效率较低的不足,本发明采用如下技术方案：一种功率模块液冷散热封装结构，包括DBC陶瓷基板；功率芯片；内铜层，形成流经功率芯片的内冷却通道；外铜层，形成外冷却通道；冷却液，在内冷却通道和外冷却通道流动；引线，一端连接功率芯片，另一端经内铜层、DBC陶瓷基板引出；DBC陶瓷基板、内铜层、功率芯片、外铜层沿厚度方向层叠分布并连接为一个整体。本发明的有益效果是：提高了散热效率，降低了不同面的温度差，提升功率芯片工作可靠性；相比现有的双面水冷散热结构，外铜层可以直接形成封装结构的外表面。
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