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公开(公告)号：CN104075217A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201410314747.4
申请日：2010-12-15
Applicant: 夏普株式会社
IPC: F21S8/10 , F21V17/00 , F21W101/02 , F21W101/10
CPC classification number: F21S41/00 , F21S41/14 , F21S41/16 , F21S41/24 , F21S41/322 , F21W2107/10 , F21Y2115/10
Abstract: 本发明提供一种车辆用前照灯及照明装置。前照灯(1)具有：出射激光的半导体激光器(3)、接收从半导体激光器(3)出射的激光而发光的发光部(7)、反射由发光部(7)出射的光的反射镜(8)。在前照灯(1)中，发光部(7)的亮度比25cd/mm2大，反射镜(8)的在与出射到前照灯(1)的外部的非相干光的行进方向相垂直的开口面(8a)的面积比2000mm2小。
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公开(公告)号：CN102313166A
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201110129572.6
申请日：2011-05-12
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 岸本克彦
IPC: F21S2/00 , F21V29/00 , F21S8/10 , F21W101/10
CPC classification number: F21V9/16 , B60Q1/0011 , F21S41/13 , F21S41/141 , F21S41/16 , F21S41/24 , F21V9/30
Abstract: 本发明提供发光体、发光装置、照明装置以及车辆用前照灯，其中，在发光部中，由接收激光而进行发光的荧光体堆积而成的荧光体膜形成在具有预定形状的金属板上。
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公开(公告)号：CN102252247A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201110087568.8
申请日：2011-04-06
Applicant: 夏普株式会社
IPC: F21S8/10 , F21V9/10 , F21W101/10 , F21Y101/02
CPC classification number: C09K11/0883 , C09K11/7721 , C09K11/7734 , F21S41/141 , F21S41/143 , F21S41/16 , F21S41/285 , G02B6/0006 , G02B6/0008 , G02B6/4206 , G02B6/4403 , H01S5/005 , H01S5/02212 , H01S5/32341 , H01S5/4031
Abstract: 前灯(1)包括发射激发光的半导体激光器(2)以及接收半导体激光器(2)所发射的激发光而发光的发光部(5)，该发光部(5)具备第一荧光体以及第二荧光体，其中，第一荧光体的发光光谱的峰值在500nm以上且520nm以下的范围内，第二荧光体具有不同于该第一荧光体的发光光谱的峰值。在发光部(5)发射出的光的光谱中，第一荧光体的发光光谱的峰值的发光强度大于540nm以上且570nm以下的范围内的发光光谱的发光强度。因此，前灯(1)能够发射出至少在黑暗场所对照射对象具有较高识别性的照明光。
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公开(公告)号：CN101276995A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200810088459.6
申请日：2008-03-31
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01S5/22
CPC classification number: H01S5/22 , B82Y20/00 , H01L22/26 , H01S5/0014 , H01S5/0425 , H01S5/209 , H01S5/2214 , H01S5/2277 , H01S5/34306 , H01S5/3436 , H01S2301/18 , H01S2304/00
Abstract: 本发明提供一种半导体激光器芯片及其制造方法，该方法能够抑制层中断，并且同时减少在水平方向上光辐射角的制造偏差。该方法包括在n型GaAs基板上形成半导体元件层的步骤，该半导体元件层由包括蚀刻标记层的多个半导体层组成；在该半导体元件层中的接触层中形成凹陷部分的步骤，该凹陷部分具有没有到达该蚀刻标记层的深度；以及通过干法蚀刻来蚀刻该半导体元件层且同时用激光监测在该凹陷部分的底区域中的蚀刻深度而形成脊部分的步骤。
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公开(公告)号：CN1290239C
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：CN200410031581.1
申请日：2004-03-25
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01S5/343
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/2206 , H01S5/2223 , H01S5/2231 , H01S5/3211 , H01S5/3406 , H01S5/3434 , H01S5/34373
Abstract: 本发明公开一种半导体激光装置和光盘装置，该激光装置具有大于760nm且小于800nm的振荡波长，在n型GaAs基板(101)上，顺次叠置n型第一和第二下包层(103，104)、下引导层(106)、应变InGaAsP多量子阱有源层(107)、上引导层(109)和p型上包层(110)。因为下引导层(106)由InGaP形成，所以减少了载流子从有源层中的泄漏。另外，因为上引导层(109)由AlGaAs形成，所以抑制了载流子(尤其是电子)的溢出。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110709918B
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN201780089086.1
申请日：2017-03-31
Applicant: 堺显示器制品株式会社 , 夏普株式会社
Abstract: 具备：反射型液晶显示元件(30)，其在TFT基板(20)的第一区域(R)中形成于绝缘层(25)的上方，并具有反射电极(31)、液晶层(32)以及对置电极(33)；和有机EL显示元件(40)，其在TFT基板(20)的绝缘层(25)上的第二区域(T)形成，并具有第一电极(41)、有机层(43)以及第二电极(44)。而且，为了包覆有机EL显示元件(40)的第二电极(44)以及有机层(43)，至少在有机EL显示元件(40)的表面形成有被覆层(45)，被覆层(45)的一部分与绝缘层(25)接合。作为其结果，得到不产生有机层的劣化且可靠性高的复合型的显示装置。
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公开(公告)号：CN110709918A
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201780089086.1
申请日：2017-03-31
Applicant: 堺显示器制品株式会社 , 夏普株式会社
Abstract: 具备：反射型液晶显示元件(30)，其在TFT基板(20)的第一区域(R)中形成于绝缘层(25)的上方，并具有反射电极(31)、液晶层(32)以及对置电极(33)；和有机EL显示元件(40)，其在TFT基板(20)的绝缘层(25)上的第二区域(T)形成，并具有第一电极(41)、有机层(43)以及第二电极(44)。而且，为了包覆有机EL显示元件(40)的第二电极(44)以及有机层(43)，至少在有机EL显示元件(40)的表面形成有被覆层(45)，被覆层(45)的一部分与绝缘层(25)接合。作为其结果，得到不产生有机层的劣化且可靠性高的复合型的显示装置。
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公开(公告)号：CN102042549A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN201010508977.6
申请日：2010-10-12
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: F21V23/0442 , F21S41/14 , F21S41/16 , F21S45/10 , F21V9/30 , F21W2102/00 , F21Y2115/30 , H01S5/005
Abstract: 本发明提供了一种对人眼的安全性进行了改善的照明装置。该照明装置包括：用作发射激光的激发光源的半导体激光元件；荧光板，该荧光版包含用于发射目标颜色的光的荧光物质，并由从半导体激光元件发射的激光照射；光接收元件部，该光接收元件部检测从荧光板反射的光；和光源控制部，该光源控制部基于来自光接收元件部的检测信号控制从半导体激光元件发射的激光。
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公开(公告)号：CN100581013C
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200710096023.7
申请日：2007-04-10
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/8592 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01S5/0202 , H01S5/02252 , H01S5/02288 , H01S5/028 , H01S5/0282 , H01S5/0287 , H01S5/22 , H01S5/2231 , H01S5/34353 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供了在高功率输出时能稳定工作而不损伤谐振腔端面的半导体激光装置及其制造方法，以及使用该半导体激光装置的光传输模块和光盘设备。一种半导体激光装置的制造方法，包括：形成至少具有半导体层以形成谐振腔端面的激光器晶片的激光器晶片形成步骤；在空气中解理该激光器晶片并形成具有该谐振腔端面的半导体激光元件的解理步骤；将该谐振腔端面与含氮气90-100体积%的含氮气气体接触至少一个小时的接触步骤；以及形成与该谐振腔端面接触的反射控制膜的反射控制膜形成步骤。
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公开(公告)号：CN1543025A
公开(公告)日：2004-11-03
申请号：CN200410031581.1
申请日：2004-03-25
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01S5/00
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/2206 , H01S5/2223 , H01S5/2231 , H01S5/3211 , H01S5/3406 , H01S5/3434 , H01S5/34373
Abstract: 本发明公开一种半导体激光装置和光盘装置，该激光装置具有大于760nm且小于800nm的振荡波长，在n型GaAs基板(101)上，顺次叠置n型第一和第二下包层(103，104)、下引导层(106)、应变InGaAsP多量子阱有源层(107)、上引导层(109)和p型上包层(110)。因为下引导层(106)由InGaP形成，所以减少了载流子从有源层中的泄漏。另外，因为上引导层(109)由AlGaAs形成，所以抑制了载流子(尤其是电子)的溢出。
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