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公开(公告)号：CN1516816A
公开(公告)日：2004-07-28
申请号：CN02806472.0
申请日：2002-03-14
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: G02B5/30 , G02F1/13363 , C08L1/10 , C08J5/18
CPC classification number: G02B5/3083 , G02F2001/133638 , Y10T428/1005 , Y10T428/1036 , Y10T428/105
Abstract: 一种包括一片聚合物薄膜的相位差板，所述聚合物薄膜含有的化合物具有棒状分子结构，并且在其溶液的紫外吸收光谱中表现出小于250 nm最大吸收波长(λmax)，并且其表现出在450nm波长处测量的延迟值(Re450)在60～135nm的范围内，并且在590nm波长处测量的延迟值(Re590)在100～170nm的范围内，它们满足关系：Re590－Re450≥2nm的条件。相位差板起着λ/4板的作用。
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公开(公告)号：CN113038884A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN201980074505.3
申请日：2019-11-12
Applicant: 富士胶片株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够以高的SN比测量生物体声音的听诊器及电子听诊装置。听诊器具备支撑台及被所述支撑台支撑并且检测从被测物发出的声音的检测部，检测部具有压电膜，所述压电膜与支撑台对置地至少配置于检测从被测物发出的声音的部分并且向与支撑台相反的一侧弯曲成凸，压电膜具备具有彼此对置的2个主表面的压电体层、设置于2个主表面中的所述支撑台侧的主表面的第1电极及设置于与支撑台相反的一侧的主表面的第2电极，所述听诊器将由于从被测物发出的声音而在所述压电膜中产生的形变作为振动信号而进行检测。
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公开(公告)号：CN102648869B
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201210044487.4
申请日：2012-02-23
Applicant: 富士胶片株式会社
CPC classification number: A61B17/22012 , A61B17/2202 , A61B2017/22021 , A61B2017/22074 , A61B2018/00589
Abstract: 本发明的目的在于提供能够获得高振动速度的谐振换能器以及包括谐振换能器的超声处置装置。该谐振换能器包括振动板以及压电元件，其中压电元件包括压电膜和上电极。振动板的杨氏模量和压电膜的杨氏模量之间的差不超过振动板的杨氏模量的20％。本发明还提供了包括该谐振换能器的超声处置装置。优选地，杨氏模量的差不超过10％。
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公开(公告)号：CN102299253B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201110175725.0
申请日：2011-06-24
Applicant: 富士胶片株式会社
CPC classification number: H01L41/1876 , B41J2/14233 , B41J2202/03 , C04B35/493 , C04B2235/3255 , C04B2235/3298 , C04B2235/768 , C04B2235/79 , H01L41/0805 , H01L41/0973 , H01L41/316
Abstract: 本发明公开了压电膜、压电装置和液体喷出设备。该压电膜具有由多个圆柱晶体构成的圆柱晶体结构，并且包含由下列表达式(P)所表示的钙钛矿氧化物作为主要成分：PbaAb[(ZrcTi1-c)1-dBd]Oe (P)其中，Pb和A是A位置元素，并且A是从由以下元素所构成的组中选择的至少一种元素：Bi、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Ca、Sr和Ba；Zr、Ti和B是B位置元素，并且B是从由以下元素所构成的组中选择的至少一种元素：Nb、Ta和Sb；a是铅的量，b是元素A的量，c是Zr/Ti比，d是元素B的量，e是氧的量；a、b和d的值满足a＜1、a+b≥1、以及0＜d＜b；并且e的值在获得钙钛矿结构的范围之内并且e＝3是标准的。
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公开(公告)号：CN103666477A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310439370.0
申请日：2013-09-24
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: C09K13/08 , H01L41/27 , H01L41/332 , C23F1/16
CPC classification number: H01L41/332 , C09K13/08 , H01L41/0477 , H01L41/1876
Abstract: 本发明提供了一种用于蚀刻压电薄膜的蚀刻溶液，用于制造压电元件的方法以及蚀刻方法，其中所述压电薄膜具有在形成于衬底（substrate）上的下部电极上生长成柱状结构的钙钛矿结构的薄膜，并且在薄膜与所述下部电极的界面上具有烧绿石层，其中所述蚀刻溶液至少包含：包含缓冲氢氟酸（BHF）、氟化氢（HF）以及稀释的氢氟酸（DHF）这三个中至少任一个的氢氟酸型化学制品；以及硝酸，并且具有按重量计小于10%的盐酸浓度以及为1/4或更小的盐酸与硝酸的重量比（盐酸/硝酸）。本发明还提供了一种制造压电元件的方法以使用蚀刻溶液执行蚀刻。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103187520A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201210460295.1
申请日：2012-09-28
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L41/083 , H01L41/277
CPC classification number: H01L41/0805 , B41J2/14233 , B41J2/161 , B41J2/1628 , B41J2/1642 , B41J2/1646 , B41J2002/14258 , B41J2202/03 , H01L41/04 , H01L41/0471 , H01L41/0477 , H01L41/0973 , H01L41/277 , H01L41/297 , H01L41/316
Abstract: 一种压电器件，包括：基板；层积在基板上方的第一电极；层积在第一电极上方的第一压电膜；层积在第一压电膜上方的金属氧化物膜；层积在金属氧化物膜上方的金属膜；层积在金属膜上方的第二压电膜；以及层积在第二压电膜上方的第二电极。
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公开(公告)号：CN102648869A
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN201210044487.4
申请日：2012-02-23
Applicant: 富士胶片株式会社
CPC classification number: A61B17/22012 , A61B17/2202 , A61B2017/22021 , A61B2017/22074 , A61B2018/00589
Abstract: 本发明的目的在于提供能够获得高振动速度的谐振换能器以及包括谐振换能器的超声处置装置。该谐振换能器包括振动板以及压电元件，其中压电元件包括压电膜和上电极。振动板的杨氏模量和压电膜的杨氏模量之间的差不超过振动板的杨氏模量的20％。本发明还提供了包括该谐振换能器的超声处置装置。优选地，杨氏模量的差不超过10％。
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公开(公告)号：CN101665907A
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200810213389.2
申请日：2008-09-02
Applicant: 富士胶片株式会社
CPC classification number: C23C14/088 , B41J2/14233 , B41J2/155 , B41J2202/03 , C04B35/493 , C04B2235/3227 , C04B2235/3251 , C04B2235/3258 , C04B2235/3298 , C04B2235/72 , C23C14/3407 , H01L41/0805 , H01L41/1876 , H01L41/316
Abstract: 本发明涉及一种用于形成铁电体膜的方法，铁电体膜，铁电体器件和液体排出装置。为了在A位掺杂至少5摩尔％的给体离子，在使得等离子体电位和浮动电位之差至多为35eV这样的屏蔽体(250)的高度的条件下，以及在至少400℃的基板温度的条件下，通过溅射在面向靶(T)的基板(B)上形成含有式(P)的钙钛矿型氧化物的铁电体膜(40)，所述屏蔽体(250)以非接触的状态环绕在所述基板侧的靶(T)的外周边，并且包括以一定间隔叠置的屏蔽层(250a，250a，…)： (Pb 1-x+δ M x )(Zr y Ti 1-y )O z …(P)，其中M表示选自Bi和镧系元素中的至少一种元素，0.05≤x≤0.4，并且0＜y≤0.7，标准组成是使得δ＝0和z＝3这样的标准组成。
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公开(公告)号：CN101381858A
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200810213469.8
申请日：2008-09-04
Applicant: 富士胶片株式会社
CPC classification number: H01L41/316 , C23C14/0036 , C23C14/088 , C23C14/548 , H01L41/1876 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明涉及形成铁电体膜的方法、铁电体膜、铁电体器件和液体排出装置。为了能够在A位掺杂至少5摩尔％的给体离子，在满足式(1)和(2)，或式(3)和(4)的条件下，通过溅射技术在基板上形成含有式(P)：(Pb1－x+δMx)(ZryTi1－y)Oz的钙钛矿型氧化物的铁电体膜，式(P)中M表示选自Bi和镧系元素中的至少一种元素，0.05≤x≤0.4，并且0＜y≤0.7，标准组成是使得δ＝0和z＝3的组成，式(1)～(4)中Ts(℃)表示成膜温度，并且Vs(V)表示在成膜时等离子体中的等离子体电位。400≤Ts(℃)≤475 (1)；20≤Vs(V)≤50 (2)；475≤Ts(℃)≤600 (3)；Vs(V)≤40 (4)。
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公开(公告)号：CN103187520B
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201210460295.1
申请日：2012-09-28
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L41/083 , H01L41/277
CPC classification number: H01L41/0805 , B41J2/14233 , B41J2/161 , B41J2/1628 , B41J2/1642 , B41J2/1646 , B41J2002/14258 , B41J2202/03 , H01L41/04 , H01L41/0471 , H01L41/0477 , H01L41/0973 , H01L41/277 , H01L41/297 , H01L41/316
Abstract: 一种压电器件，包括：基板；层积在基板上方的第一电极；层积在第一电极上方的第一压电膜；层积在第一压电膜上方的金属氧化物膜；层积在金属氧化物膜上方的金属膜；层积在金属膜上方的第二压电膜；以及层积在第二压电膜上方的第二电极。
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