公开(公告)号：CN116096936A

公开(公告)日：2023-05-09

申请号：CN202180051846.6

申请日：2021-05-27

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 坂井正宏 ,  大上翔平

IPC: C23C16/34

Abstract: 本发明提供一种III族元素氮化物半导体基板，其具备第一面和第二面，对于该III族元素氮化物半导体基板，即便在第一面上制作的器件的尺寸变大，同一基板内的器件间的器件特性的偏差也得以抑制。本发明的实施方式所涉及的III族元素氮化物半导体基板是具备第一面和第二面的III族元素氮化物半导体基板，其中，满足选自由下述(1)～(3)构成的组中的至少1者。(1)第一面的表面起伏曲线的最大高度Wz为150nm以下。(2)第一面的表面起伏曲线的均方根高度Wq为25nm以下。(3)第一面的表面起伏曲线要素的平均长度WSm为0.5mm以上。

公开(公告)号：CN111094637A

公开(公告)日：2020-05-01

申请号：CN201880059294.1

申请日：2018-07-03

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 坂井正宏 ,  大上翔平 ,  后藤万佐司 ,  吉野隆史

IPC: C30B29/38

Abstract: 提供一种基底基板(6)，其具备支撑基板(1)、和设置在支撑基板(1)的主面(1a)上的基底结晶层(3)，其中该基底结晶层(3)由13族元素氮化物结晶构成、且具有结晶培养面(3a)。基底结晶层(3)具备隆起部(5)。在隆起部(5)与支撑基板(1)之间存在有支撑基板(1)的材质与13族元素氮化物结晶的反应物、13族金属和/或空隙。

公开(公告)号：CN111052415A

公开(公告)日：2020-04-21

申请号：CN201880052347.7

申请日：2018-08-06

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 平尾崇行 ,  中西宏和 ,  市村干也 ,  下平孝直 ,  坂井正宏 ,  吉野隆史

IPC: H01L33/16 ,  C30B29/38 ,  H01L33/32

Abstract: 在利用阴极发光观察13族元素氮化物结晶层13的上表面13a时，具有线状的高亮度发光部5和与高亮度发光部5相邻的低亮度发光区域6。高亮度发光部5包括沿着13族元素氮化物结晶13的m面延伸的部分，上表面13a的法线T相对于13族元素氮化物结晶的＜0001＞方向而言具有2.0°以下的偏角θ。

公开(公告)号：CN111052413A

公开(公告)日：2020-04-21

申请号：CN201880052333.5

申请日：2018-07-31

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 平尾崇行 ,  中西宏和 ,  市村干也 ,  下平孝直 ,  坂井正宏 ,  吉野隆史

IPC: H01L33/16 ,  C30B29/38 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明提供一种13族元素氮化物结晶层，其包含选自氮化镓、氮化铝、氮化铟或它们的混晶中的13族元素氮化物结晶，且具有上表面及底面。在利用阴极发光观察上表面时，具有线状的高亮度发光部和与所述高亮度发光部相邻的低亮度发光区域。高亮度发光部包括沿着所述13族元素氮化物结晶的m面延伸的部分。上表面的算术平均粗糙度Ra为0.05nm以上1.0nm以下。

公开(公告)号：CN106068340B

公开(公告)日：2019-07-30

申请号：CN201580003750.7

申请日：2015-03-09

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 今井克宏 ,  岩井真 ,  坂井正宏 ,  下平孝直 ,  东原周平 ,  平尾崇行

IPC: C30B19/04 ,  C30B29/38

CPC classification number: C30B9/12 ,  C30B9/00 ,  C30B9/06 ,  C30B29/38 ,  C30B29/406

Abstract: 使用用于收容助熔剂和原料的坩埚6、收容坩埚6的反应容器5A～5D、收容反应容器的中间容器3、及收容中间容器且用于填充含有至少含氮原子的气体的气氛的压力容器1。在加热下使助熔剂和原料熔融而生长氮化物结晶时，使有机化合物的蒸气9扩散到反应容器外和中间容器内的空间3a。

公开(公告)号：CN103534391A

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201280013555.9

申请日：2012-03-16

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 岩井真 ,  下平孝直 ,  东原周平 ,  平尾崇行 ,  坂井正宏 ,  今井克宏

IPC: C30B29/38 ,  C30B9/00

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B9/12 ,  C30B29/406 ,  Y10T428/24355

Abstract: 晶种基板（10）具备支撑基板（1）及设置在支撑基板（1）上的晶种膜（3A），所述晶种膜（3A）由第13族金属氮化物单晶构成。晶种膜（3A）具有主体部（3a）和具有小于主体部（3a）的膜厚的薄壁部（3b）。主体部（3a）及薄壁部（3b）露出于晶种基板（10）的表面。在晶种膜（3A）上通过助熔剂法培养第13族金属氮化物（15）。

公开(公告)号：CN103429800A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201280014356.X

申请日：2012-03-16

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 今井克宏 ,  岩井真 ,  下平孝直 ,  坂井正宏 ,  东原周平 ,  平尾崇行

IPC: C30B29/38 ,  C30B19/12

CPC classification number: C30B9/12 ,  C30B19/02 ,  C30B19/12 ,  C30B29/406 ,  H01L31/1856

Abstract: 使用晶种基板、通过助熔剂法制造氮化镓层。晶种基板(8A)具备：支撑基板(1)、互相分离的多个晶种层(4A)、设置于晶种层(4A)与支撑基板之间的低温缓冲层(2)以及露出于邻接的晶种层(4A)的间隙的露出层(3)，所述多个晶种层由氮化镓单晶构成，所述低温缓冲层由第13族金属氮化物构成，所述露出层由氮化锅单晶或氮化铝镓单晶构成。在晶种层上通过助熔剂法培养氮化镓层。

公开(公告)号：CN101741344A

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200910221852.2

申请日：2009-11-18

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 多井知义 ,  坂井正宏 ,  大杉幸久

IPC: H03H9/25

CPC classification number: H03H9/02574 ,  H03H9/02228

Abstract: 本发明提供一种频率的不均小的兰姆波装置。兰姆波装置(102)具有压电体薄膜(106)、设置于上述压电体薄膜(106)的主表面上的IDT电极(108)、支持上述IDT电极(108)与压电体薄膜(106)的层叠体(104)且形成有隔离层叠体(104)的空腔(180)的支持结构体(122)。选择压电体薄膜(106)的膜厚h以及IDT电极(108)的电极条的间距p，使得相对于压电体薄膜(106)的膜厚h的音速v分散性小的兰姆波在目标频率下被激发。

公开(公告)号：CN116997690A

公开(公告)日：2023-11-03

申请号：CN202180093245.1

申请日：2021-11-19

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 坂井正宏 ,  今井克宏 ,  小林弘季

IPC: C30B29/38

Abstract: 本发明提供一种偏离角分布较小的III族元素氮化物半导体基板。本发明的一个实施方式所涉及的III族元素氮化物半导体基板具备第一面和第二面，该III族元素氮化物半导体基板的特征在于，该第一面的结晶面的翘曲具有多个极点。

公开(公告)号：CN111052414B

公开(公告)日：2023-07-21

申请号：CN201880052334.X

申请日：2018-07-27

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 平尾崇行 ,  中西宏和 ,  市村干也 ,  下平孝直 ,  坂井正宏 ,  吉野隆史

IPC: H01L33/16 ,  H01L33/32

Abstract: 在利用阴极发光观察13族元素氮化物结晶层13的上表面13a时，具有线状的高亮度发光部5和与高亮度发光部5相邻的低亮度发光区域6。高亮度发光部5包括沿着13族元素氮化物结晶13的m面延伸的部分，氧原子的含量为1×1018atom/cm3以下，硅原子、锰原子、碳原子、镁原子以及钙原子的含量分别为1×1017atom/cm3以下，铬原子的含量为1×1016atom/cm3以下，氯原子的含量为1×1015atom/cm3以下。