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公开(公告)号：CN103021781A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210476899.5
申请日：2006-06-13
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 克里斯托弗·金博尔 , 埃里克·赫德森 , 道格拉斯·凯尔 , 阿列克谢·马拉赫塔诺夫
CPC分类号： H01J37/32431 , H01J37/32935 , H05H1/0081 , Y10T29/49002
摘要： 公开了一种探针装置，其配置为测量等离子体处理室内的电特性组，该等离子体处理室包括配置为暴露于等离子体的等离子体室表面组。该探针装置包括收集盘结构，其配置为暴露于所述等离子体，由此，收集盘结构与该等离子体室表面组中的至少一个是共面的。该探针装置还包括传导路径，其配置为将该电特性组由该收集盘结构传输到转换器组，其中由该等离子体的离子通量产生该电特性组。该探针装置进一步包括绝缘阻挡部，其配置为大体上将收集盘结构和传导路径与所述等离子体室表面组电分离。
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公开(公告)号：CN102912313A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201210393182.4
申请日：2007-07-06
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： C23C16/00
CPC分类号： H01J37/32183 , H01J37/32091 , H01J37/32174 , H01J37/32532
摘要： 一种用于半导体晶圆等离子处理的设备。该设备包含室，其中设有下电极和上电极。该下电极用于传送射频电流通过该室，以在该室内产生等离子。该上电极形成于下电极上方且与该室电隔离。将电压源连接到上电极。该电压源用以控制上电极相对于该室的电压。受到该电压源控制的上电极的电位能够影响将产生于上下电极之间的等离子的电位。
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公开(公告)号：CN101595238B
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN200780021091.5
申请日：2007-05-25
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： C23C14/00
CPC分类号： C23C16/52 , C23C16/509 , H01J37/32935 , H01J37/3299
摘要： 提供一种用于等离子处理室的失效检测方法。该方法包括检测该等离子室内的等离子参数和分析所得到的信息。这种分析使得能够检测如工艺副产物聚集、氦泄漏、匹配重调谐时间、差稳定速率和等离子限制损失的失效。还使得能够在该晶片处理过程中进行失效模式诊断。该方法包括测量该等离子参数与时间的函数和分析得到的数据。可利用如探针的探测器进行监测，该探测器优选地保持在该等离子室内基本上与该室内的表面共面并且直接测量净离子通量和其他等离子参数。
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公开(公告)号：CN102067739A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200980124648.7
申请日：2009-06-26
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 道格拉斯·凯尔 , 杰-保罗·布斯 , 克里斯托弗·索格林森
CPC分类号： H01J37/32935 , H01J37/32091 , H01J37/32146 , H01J37/32926 , H01J37/32954 , H01J2237/244 , H01J2237/24564 , H01J2237/327 , H01L21/263
摘要： 提供一种在衬底处理过程中自动表征等离子体的方法。该方法包括收集一组工艺数据，其至少包括有关电流和电压的数据。该方法还包括为该组工艺数据鉴别关联范围，其中该关联范围包括该组工艺数据的子集。该方法进一步包括确定一组种子值。该方法又包括使用该关联范围和该组种子值执行曲线拟合，其中该曲线拟合使得该等离子体能被自动表征。
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公开(公告)号：CN112164651A
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN202010824548.3
申请日：2017-05-10
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01L21/316 , H01L21/318 , H01L21/67
摘要： 本发明涉及用于执行等离子体处理以在晶片上沉积膜的系统和方法。公开了提供不同频率的多个射频信号，其中所述不同频率中的最低频率是基本频率，并且其中具有大于所述基本频率的频率的每个射频信号与所述基本频率的所述射频信号处于偶次谐波关系，并且其中具有大于所述基本频率的频率的每个射频信号与所述基本频率的所述射频信号处于固定的相位关系，多个射频信号具有相应的频率，所述相应的频率被设定为在所述等离子体产生区域内将所述工艺气体组合物转变成所述等离子体以使所述膜沉积在所述晶片上。
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公开(公告)号：CN102339714B
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201110279931.6
申请日：2006-03-24
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 埃里克·赫德森 , 道格拉斯·凯尔 , 阿列克谢·马拉赫塔诺夫
CPC分类号： H01J37/32963 , H01J37/32935
摘要： 本发明公开一种通过测量层的厚度来确定处理的终点的装置。所述层通过先前处理沉积在表面上。所述装置包括用于提供与所述表面共面的传感器的装置，其中，所述传感器被配置为测量所述厚度。所述装置还包括用于将等离子体室暴露给等离子体的装置，其中，通过所述暴露来改变所述厚度，以及用于确定所述厚度作为时间的函数的装置。所述装置进一步包括用于确定所述厚度中的稳态条件的装置，所述稳态条件的特征在于所述厚度基本上不变的测量结果，所述稳态条件的开始表示所述终点。
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公开(公告)号：CN102339714A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN201110279931.6
申请日：2006-03-24
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 埃里克·赫德森 , 道格拉斯·凯尔 , 阿列克谢·马拉赫塔诺夫
CPC分类号： H01J37/32963 , H01J37/32935
摘要： 本发明公开一种通过测量层的厚度来确定处理的终点的装置。所述层通过先前处理沉积在表面上。所述装置包括用于提供与所述表面共面的传感器的装置，其中，所述传感器被配置为测量所述厚度。所述装置还包括用于将等离子体室暴露给等离子体的装置，其中，通过所述暴露来改变所述厚度，以及用于确定所述厚度作为时间的函数的装置。所述装置进一步包括用于确定所述厚度中的稳态条件的装置，所述稳态条件的特征在于所述厚度基本上不变的测量结果，所述稳态条件的开始表示所述终点。
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公开(公告)号：CN101460656B
公开(公告)日：2011-07-13
申请号：CN200780020772.X
申请日：2007-04-03
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 道格拉斯·凯尔
IPC分类号： C23C16/00
CPC分类号： H01J37/32935 , G01R19/0061 , H01J37/32954 , H01J37/3299
摘要： 揭示了用平面离子流(PIF)探测装置探测和/或获取参数(如该等离子体势和该离子通量)的绝对值和/或相对变化的方法和装置。接着用该探测和/或获取的值控制该等离子处理工艺。
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公开(公告)号：CN101213147A
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200680023933.6
申请日：2006-06-13
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 克里斯托弗·金博尔 , 埃里克·赫德森 , 道格拉斯·凯尔 , 阿列克谢·马拉赫塔诺夫
IPC分类号： C02F1/00
CPC分类号： H01J37/32431 , H01J37/32935 , H05H1/0081 , Y10T29/49002
摘要： 公开了一种探针装置，其配置为测量等离子体处理室内的电特性组，该等离子体处理室包括配置为暴露于等离子体的等离子体室表面组。该探针装置包括收集盘结构，其配置为暴露于所述等离子体，由此，收集盘结构与该等离子体室表面组中的至少一个是共面的。该探针装置还包括传导路径，其配置为将该电特性组由该收集盘结构传输到转换器组，其中由该等离子体的离子通量产生该电特性组。该探针装置进一步包括绝缘阻挡部，其配置为大体上将收集盘结构和传导路径与所述等离子体室表面组电分离。
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